Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Детская хирургия. Предоперационая подготовка при острых хирургических заболеваниях, сопровождающихся интоксикацией (самое важное)

Конспекты лекций, шпаргалки

Справочник / Конспекты лекций, шпаргалки

Комментарии к статье Комментарии к статье

Оглавление (развернуть)

4. Предоперационая подготовка при острых хирургических заболеваниях, сопровождающихся интоксикацией

В связи с этим задачи предоперационной подготовки при интоксикации сводятся к нормализации температуры тела больного, улучшению периферического кровотока и уменьшению степени обезвоживания. Перечисленные задачи решает инфузионная терапия.

Последовательность целей инфузионной терапии в этой ситуации должна быть следующей:

1) обеспечение объема жидкости, соответствующего степени водного дефицита;

2) уменьшение энергетического дефицита с нормализацией транспорта электролитов через клеточную мембрану и предотвращением внутриклеточного отека с помощью концентрированных растворов глюкозы с инсулином;

3) улучшение реологии крови и детоксикации с использованием низкомолекулярных плазмозаменителей;

4) нормализация кислотно-основного состояния крови. Объем жидкости, который требуется больному для ликвидации дефицита воды и электролитов в предоперационном периоде, рассчитывают с учетом степени дегидратации и возраста ребенка. При изотонической или соледефицитной дегидратациях, наиболее частых при хирургических заболеваниях, расчет основывается на величине гематокритного показателя.

В тех случаях, когда определить гематокрит технически не удается либо лабораторные признаки гемо-концентрации отсутствуют, жидкость на предоперационный период назначают в объеме 2-3 % массы тела (20-30 мл/кг).

Состав вводимых растворов зависит от состояния гемодинамики и стадии обезвоживания. При декомпенсации кровообращения инфузию начинают с переливания препаратов волемического действия: плазмы (10 мл/кг), 10 %-ного раствора альбумина (10 мл/кг) или реополиглюкина (20 мл/кг). Оставшийся объем вводят в виде 10 %-ного раствора глюкозы с инсулином (1 ед. - 5 г). При нормальных показателях центральной гемодинамики и преобладании интоксикации над обезвоживанием волемические препараты заменяют низкомолекулярными кровезаменителями группы гемодеза (10 мл/кг). Инфузию в этих случаях начинают с концентрированных растворов глюкозы.

Терапию нужно начинать лишь тогда, когда стандартный бикарбонат крови падает ниже 15 ммоль/л. В клинической практике для лечения метаболических ацидозов используют 1,3-5 %-ные растворы гидрокарбоната натрия.

У детей старше 2 месяцев целесообразно применять гипертонические растворы гидрокарбоната натрия.

Если лабораторный контроль не проводится, то ощелачивающие растворы нужно использовать очень осторожно. Абсолютным показанием к их применению являются: недостаточность периферического кровообращения с бледностью, "мраморностью" кожных покровов; симптом "белого пятна" с артериальной гипотонией; олигоанурия, возникающая как результат спазма приводящих артериол почек.

Гидрокарбонат натрия в этих случаях назначают в дозе 0,12-0,25 г сухого вещества или по 5-7 мл 5%-ного раствора на 1 кг массы тела ребенка.

Авторы: Дроздов А.А., Дроздова М.В

<< Назад: Проявление интоксикации

>> Вперед: Терапия травматического шока

Рекомендуем интересные статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки:

▪ Налоги и налогообложение. Шпаргалка

▪ Педагогика для педагогов. Шпаргалка.

▪ История и теория религий. Шпаргалка

Смотрите другие статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Электромобиль VENTRA с системой очистки воздуха 11.10.2026

Даже автомобили без двигателя внутреннего сгорания не являются полностью безвредными для окружающей среды. При движении любой автомобиль изнашивает шины и тормозные элементы, в результате чего в воздух и на дорожное покрытие попадают мельчайшие частицы. Студенты Эйндховенского технологического университета решили обратить внимание именно на этот мало заметный источник загрязнения и создали концептуальный электромобиль VENTRA, способный собирать часть таких загрязняющих веществ непосредственно во время движения. Проект разработала команда TU/ecomotive, которая оснастила VENTRA специальной системой улавливания частиц, образующихся при износе шин и торможении. Авторы концепта считают, что переход на электрическую тягу сам по себе не решает проблему автомобильных выбросов. Более тяжелые электромобили дополнительно нагружают шины, а их электродвигатели способны обеспечивать очень быстрое ускорение, что также может способствовать повышенному износу резины. Собранные около колес частицы си ...>>

Лазерное переключение магнитов 10.10.2026

Технологии хранения данных постоянно стремятся уменьшить размеры элементов памяти и одновременно увеличить скорость записи информации. Один из возможных путей связан с использованием света, который способен переносить энергию с огромной скоростью и воздействовать на очень небольшие области материала. Инженеры Университета Калифорнии в Сан-Диего (UC San Diego) продемонстрировали необычный способ управления магнитным состоянием вещества, при котором внешнее магнитное поле вообще не требуется. В обычных жестких дисках информация записывается в виде последовательности крошечных магнитных областей, соответствующих значениям 1 и 0. Для изменения их состояния обычно необходимо внешнее магнитное поле, однако такой способ требует значительных энергетических затрат и ограничивает скорость записи. Исследователи UC San Diego предложили альтернативу - так называемое оптическое переключение, при котором магнитное состояние изменяется под воздействием лазерного излучения. По оценкам специалистов, ...>>

Случайная новость из Архива

22-нанометровый транзистор 26.12.2012

Специалистами Института микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) в Пекине создан полевой транзистор с затвором длиной 22 нм. В транзисторе применена технология HKMG (high-K metal-gate). Как утверждается, разработка является ключом к созданию более совершенных микросхем, что позволит Китаю экономить на импорте высоких технологий и повысит конкурентоспособность китайских микросхем на мировом рынке.

Участники проекта отмечают, что им удалось достичь "мирового уровня производительности и низкого энергопотребления". Напомним, компания Intel, обладающая наиболее передовыми технологиями производства микросхем, сейчас выпускает процессоры по 22-нанометровой технологии. Крупные контрактные производители, такие, как TSMC и Globalfoundries, пока не довели такие технологии до коммерческого уровня и выпускают продукцию по 28-нанометровой технологии.

В течение многих лет Китай не мог получить доступ к передовым технологиям полупроводникового производства, поскольку их экспорт из западных стран был ограничен сначала деятельностью комитета CoCom, а затем условиями Вассенарских договоренностей. Однако дополняя лицензированием собственные разработки, Китаю удалось продвинуться довольно далеко.

В настоящее время ведущий китайский контрактный производитель полупроводниковой продукции Semiconductor Manufacturing International выпускает продукцию по 40-нанометровой технологии. До норм 65 нм компания разрабатывала техпроцессы самостоятельно. Чтобы избежать расходов на создание собственной 45-нанометровой технологии, SMIC в конце 2007 года лицензировала ее у IBM. В 2008 году китайский производитель включил в свои планы освоение норм 40 и 32 нм.

Работы по созданию 22-нанометровых транзисторов были начаты в Китае в 2009 году, как один из основных национальных научных проектов.

Другие интересные новости:

▪ Солнечная энергетика развивается по экспоненте

▪ Электронная книга Hewlett Packard

▪ Голосование в мире животных

▪ Бактериальная батарейка для Марса

▪ Технология E Ink Advanced Color ePaper

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Справочник электрика. Подборка статей

▪ статья Да только воз и ныне там. Крылатое выражение

▪ статья Почему человеческие глаза бывают голубыми и зелеными, хотя в них нет таких пигментов? Подробный ответ

▪ статья Пескоструйщик. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Диагностический прибор - маршрутный компьютер. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Клетка в коробке. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026