Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Общая электроника и электротехника. Трансформаторы (самое важное)

Конспекты лекций, шпаргалки

Справочник / Конспекты лекций, шпаргалки

Комментарии к статье Комментарии к статье

Оглавление (развернуть)

68. ТРАНСФОРМАТОРЫ

В 1876 г.

П.И. Яблочков предложил пользоваться трансформатором для питания свечей. В дальнейшем конструкции трансформаторов разрабатывал другой русский изобретатель, механик И.Ф. Усагин, который предложил применять трансформаторы для питания не только свечей Яблочкова, но и других потребителей электрической энергии.

Трансформатор представляет собой электрический аппарат, основанный на явлении взаимоиндукции и предназначенный для преобразования переменного тока одного напряжения в переменный ток другого напряжения, но той же самой частоты. Простейший трансформатор имеет стальной сердечник и две обмотки, изолированные как от сердечника, так и друг от друга.

Обмотка трансформатора, которая подключается к источнику напряжения, называется первичной обмоткой, а та обмотка, к которой подключаются потребители или линии передач, ведущие к потребителям, называется вторичной обмоткой.

Переменный ток, проходя по первичной обмотке, создает переменный магнитный поток, который сцепляется с витками вторичной обмотки и наводит в них ЭДС.

Так как магнитный поток переменный, то индуктированная ЭДС во вторичной обмотке трансформатора также переменная и частота ее равна частоте тока в первичной обмотке.

Переменный магнитный поток, проходящий по сердечнику трансформатора, пересекает не только вторичную обмотку, но и первичную обмотку трансформатора. Поэтому в первичной обмотке также будут индуктироваться ЭДС.

Величины ЭДС, индуктирующихся в обмотках трансформатора, зависят от частоты переменного тока, числа витков каждой обмотки и величины магнитного потока в сердечнике. При определенной частоте и неизменном магнитном потоке величина ЭДС каждой обмотки зависит только от числа витков этой обмотки. Эту зависимость между величинами ЭДС и числами витков обмоток трансформатора можно выразить формулой: ?1 / ?2 = N1 / N2, где ?1 и ?2 - ЭДС первичной и вторичной обмоток, N1 и N2 - числа витков первичной и вторичной обмоток.

Разница между ЭДС и напряжением так мала, что зависимость между напряжениями и числами витков обеих обмоток можно выразить формулой: U1 / U2 = = N1 /N2. Разница между ЭДС и напряжением в первичной обмотке трансформатора становится особенно малой тогда, когда вторичная обмотка разомкнута и ток в ней равен нулю (холостая работа), а в первичной обмотке протекает только небольшой ток, называемый током холостого хода. При этом напряжение на зажимах вторичной обмотки равно наводимой в ней ЭДС.

Число, показывающее, во сколько раз напряжение в первичной обмотке больше (или меньше) напряжения во вторичной обмотке, называется коэффициентом трансформации и обозначается буквой k. k = U1 / U2 ? N1 / N2.

Номинальное напряжение обмоток высшего и низшего напряжений, указанное на заводском щитке трансформатора, относится к режиму холостого хода.

Трансформаторы, которые служат для повышения напряжения, называют повышающими; коэффициент трансформации у них меньше единицы. Понижающие трансформаторы понижают напряжение; коэффициент трансформации у них больше единицы.

Режим, при котором вторичная обмотка трансформатора разомкнута, а на зажимы первичной обмотки подано переменное напряжение, называется холостым ходом или холостой работой трансформатора.

Автор: Косарева О.А.

<< Назад: Трехфазный переменный ток

>> Вперед: Устройство и типы трансформаторов

Рекомендуем интересные статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки:

Нервные болезни. Конспект лекций

Таможенное право. Шпаргалка

Финансы и кредит. Шпаргалка

Смотрите другие статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива

Новые стандарты Ethernet 17.01.2014

Организация IEEE заявила о запуске трёх новых проектов, которые помогут стандартам Ethernet адекватно отвечать на современные вызовы. Все три спецификации будут разрабатываться под эгидой известного комитета IEEE 802.3. Суть работы состоит в добавлении в базовый стандарт Ethernet целого ряда поправок и усовершенствований, что позволит использовать его в различных приложениях. Кроме того, IEEE будет активно обговаривать перспективы разворачивания сети следующего поколения Ethernet Passive Optical Network (NG-EPON).

Несмотря на появление разнообразных сетевых технологий, Ethernet остаётся ведущим стандартом. В одном только 2012 году было использовано более 1,2 млрд Ethernet-портов для установки сетевых соединений (400 млн проводных и 800 млн беспроводных), согласно данным IDC. Изначально Ethernet был нацелен на традиционные настольные компьютеры, принтеры, серверные системы, другие устройства локальной сети, но позже этот популярный стандарт нашел гораздо более широкое применение, в том числе в сетях дата-центров, планшетах, смартфонах, инфраструктуре энергоснабжения, "умных" счетчиках, персональных медицинских приборах, "интеллектуальных" автомобилях.

Черновой стандарт IEEE P802.3br будет разрабатываться с учетом особых требований для аудио и видео приложений, автомобильной отрасли, промышленной автоматизации, транспортной сферы. Эта версия будет нацелена на обеспечение минимальных задержек и эффективное управление потоками трафика на одном и том же физическом соединении (тогда как другие решения требуют параллельного использования нескольких соединений).

Проект IEEE P802.3bt запущен с целью предложить более эффективное решение для приложений Power-over-Ethernet (PoE, подача электропитания по сети Ethernet). Этот стандарт будет использоваться в камерах систем безопасности, видеофонах, цифровых киосках и POS-терминалах, тонких клиентах, точках доступа, ноутбуках и других. Развитие PoE также выбрано для версии IEEE P802.3bu. В данном случае речь идёт о добавлении поддержки технологии PoE в терминальное оборудование (DTE, Data Terminal Equipment) с использованием всего одной витой пары Ethernet.

Также IEEE заявила о разворачивании Ad Hoc-сети NG-EPON, которая будет тестироваться на скоростях свыше 10 Гбит/с. NG-EPON придёт на смену текущей версии EPON.

Другие интересные новости:

▪ Противомикробная сталь

▪ Скульптуры со дна Роны

▪ Притягивающие лучи

▪ Камчатских оленей чипировали

▪ Управление объектами при помощи воздушных потоков

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Нормативная документация по охране труда. Подборка статей

▪ статья Войско баранов, возглавляемое львом. Крылатое выражение

▪ статья Какая империя в истории человечества была самой долгоживущей? Подробный ответ

▪ статья Чернушка посевная. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Измерить параметры антенны? Совсем несложно! Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Простой регулятор мощности на тринисторах. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026