|
КОНСПЕКТЫ ЛЕКЦИЙ, ШПАРГАЛКИ
Общая электроника и электротехника. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения (самое важное)
Справочник / Конспекты лекций, шпаргалки Оглавление (развернуть) 10. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ОТСУТСТВИИ ВНЕШНЕГО НАПРЯЖЕНИЯ Область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности называется электронно-дырочным, или p-n-переходом. Электронно-дырочный переход обладает свойством несимметричной проводимости, т. е. имеет нелинейное сопротивление. Работа большинства полупроводниковых приборов, применяемых в радиоэлектронике, основана на использовании свойств одного или нескольких p-n-переходов. Рассмотрим физические процессы в таком переходе. Пусть внешнее напряжение на переходе отсутствует. Так как носители заряда в каждом полупроводнике совершают беспорядочное тепловое движение, т. е. имеются собственные скорости, то происходит их диффузия (проникновение) из одного полупроводника в другой. Носители перемещаются оттуда, где их концентрация велика, туда, где концентрация мала. Таким образом, из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа диффундируют электроны, а в обратном направлении из полупроводника р-типа в полупроводник n-типа диффундируют дырки. В результате диффузии носителей по обе стороны границы раздела двух полупроводников с различным типом электропроводности создаются объемные заряды различных знаков. В области п возникает положительный объемный заряд. Он образован главным образом положительно заряженными атомами до-норной примеси и в небольшой степени пришедшими в эту область дырками. Подобно этому в области р возникает отрицательный объемный заряд, образованный отрицательно заряженными атомами акцепторной примеси и отчасти пришедшими сюда электронами. Между образовавшимися объемными зарядами возникает так называемая контактная разность потенциалов и электрическое поле. В p-n-переходе возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузионному переходу носителей. Чем больше концентрация примесей, тем выше концентрация основных носителей и тем большее количество их диффундирует через границу. Плотность объемных зарядов возрастает и увеличивается контактная разность потенциалов, т. е. высота потенциального барьера. При этом толщина p-n-перехода уменьшается. Одновременно с диффузным перемещением основных носителей через границу происходит и обратное перемещение носителей под действием электрического поля контактной разности потенциалов. Это поле перемещает дырки из n-области обратно в р-область и электроны из р-области обратно в n-область. При определенной температуре p-n-переход находится в состоянии динамического равновесия. Каждую секунду через границу в противоположных направлениях диффундирует определенное количество электронов и дырок, а под действием поля такое же их количество дрейфует в обратном направлении. Перемещение носителей за счет диффузии является диффузионным током, а движение носителей под действием поля представляет собой ток проводимости. При динамическом равновесии перехода эти токи равны и противоположны по направлению. Поэтому полный ток через переход равен нулю, что и должно быть при отсутствии внешнего напряжения. Каждый из токов имеет электронную и дырочную составляющие. Величины этих составляющих различны, так как они зависят от концентрации и подвижности носителей. Высота потенциального барьера всегда автоматически устанавливается именно такой, при которой наступает равновесие, т. е. диффузионный ток и ток проводимости взаимно компенсируют друг друга. Автор: Косарева О.А. << Назад: Диффузия носителей заряда в полупроводниках >> Вперед: Электронно-дырочный переход при действии прямого напряжения
▪ Социальная психология. Шпаргалка
Лабораторная модель прогнозирования землетрясений
30.11.2025 Музыка как естественный анальгетик
30.11.2025 Алкоголь может привести к слобоумию
29.11.2025
▪ Световое загрязнение затрудняет наблюдение за звездами ▪ Беспроводной датчик CoinGuard для охранной сигнализации ▪ Магнитные нано-пробы для исследования клеток ▪ Выдры быстро учатся друг у друга
▪ раздел сайта Регуляторы мощности, термометры, термостабилизаторы. Подборка статей ▪ статья И только что в газетах осталось: выехал в Ростов. Крылатое выражение ▪ статья Как появился на свет Минотавр? Подробный ответ ▪ статья Арсенал привала. Советы туристу ▪ статья Первичные кварцевые часы. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники ▪ статья Просмотр телевидения семьей. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте www.diagram.com.ua |