Лекция № 41. Терроризм и его проявления. Экстремальные ситуации социального характера

Терроризм - насилие в отношении физических лиц или организаций, а также уничтожение (повреждение) или угроза уничтожения (повреждения) имущества и других материальных объектов, создающие опасность гибели людей. Терроризм может проявляться в трех формах:

1) криминальный терроризм;

2) политический терроризм;

3) международный терроризм.

Криминальный терроризм осуществляют с целью нарушить общественную безопасность, устрашить население или оказать воздействие на принятие органами власти решений, выгодных террористам, или удовлетворить их неправомерные имущественные или иные интересы.

Политический терроризм проявляется в посягательстве на жизнь государственного или общественного деятеля с целью прекратить его деятельность, либо из мести за такую деятельность. Международный терроризм выражается в нападении на представителя иностранного государства или сотрудника международной организации, пользующихся международной защитой, в целях провокации войны или осложнения международных отношений.

Если вы оказались в заложниках:

1) не подвергайте себя излишнему риску;

2) будьте покладисты и спокойны;

3) если преступники находятся в состоянии алкогольного или наркотического опьянения, постарайтесь ограничить с ними всякие контакты, так как действия их могут быть непредсказуемы;

4) при первой же возможности постарайтесь сообщить о своем местонахождении родным или в милицию;

5) постарайтесь установить контакт, вызвать гуманные чувства и завести разговор, не наводя их на мысль, что вы хотите что-либо узнать;

6) не позволяйте себе падать духом. Используйте любую возможность поговорить с самим собой о своих надеждах и желаниях;

7) внимательно следите за поведением преступников и их намерениями. При первой же удобной и безопасной возможности будьте готовы спасаться бегством.

Если вы находитесь в местах большого скопления агрессивно настроенных людей (митинги, забастовки):

1) держитесь дальше от центра;

2) дальше от группы экстремистов;

3) держитесь уверенно на ногах;

4) держитесь подальше от милиции и от экстремистов любых видов - "красных", "коричневых", "черных", "голубых", "зеленых", соблюдайте нейтралитет;

5) если у вас сумка или пакет в руках, будьте бдительны - вам могут подбросить наркотики, оружие, боеприпасы и прочие "улики";

6) к толпам людей любых видов лучше вообще не приближаться и к нарядам милиции тоже;

7) проявляйте максимальную бдительность и внимание на улицах города - это в целях сохранения вашей свободы и безопасности.

Авторы: Алексеев В.С., Жидкова О.И., Ткаченко И.В.

<< Назад: Город как зона повышенной опасности

>> Вперед: Понятие о ЧС

Рекомендуем интересные статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки:

▪ История экономики. Шпаргалка

▪ Бизнес-планирование. Конспект лекций

▪ Детская хирургия. Конспект лекций

Смотрите другие статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Трехмерный транзистор 18.12.2012 Новый тип транзистора, разработанный в Университете Пердью и Гарвардском университете, обещает в течение десятилетия решить проблему дальнейшей миниатюризации электроники. Исследователи создали транзистор из трех крошечных нанопроводов, сделанных не из кремния, как обычные транзисторы, а из индий-галлий-арсенида. Три нанопровода создают коническую фигуру, напоминающую елку, и этого "новогоднего подарка" производители электроники ждут уже давно. Новейшее поколение кремниевых чипов, появившееся в этом году, содержит транзисторы с вертикальной 3D-структурой вместо обычного плоского дизайна. Однако кремний обеспечивает ограниченную подвижность электронов и для дальнейшего прогресса необходимы материалы, которые позволят потокам электронов двигаться быстрее. Это в разы повысит быстродействие и энергоэффективность компьютеров. Индий-галлий-арсенид является одним из нескольких перспективных полупроводников, которые могли бы заменить кремний. Такие материалы называются полупроводники-III-V, поскольку они сочетают в себе элементы третьей и пятой групп периодической таблицы. Транзисторы имеют важную деталь под названием ворота, которая позволяет транзисторам включаться и выключаться, управляя электрическим током. Чем меньше ворота, тем быстрее транзистор и, соответственно, компьютер. Современные транзисторы имеют ворота длиной около 22 нанометров. Инженеры работают над созданием транзисторов с воротами длиной 14 нанометра: ожидается, что они будут готовы к 2015 году, а 10-нм - к 2018 году. К сожалению, расчеты показывают, что размеры менее 10 нм на кремниевой основе недостижим и для электроники будущего придется искать новые материалы для проводников и диэлектриков. Нанопровода в новом типе транзистора покрыты различными типами композитных изоляторов: 4-нм слоем алюмината лантана с ультратонким 0,5-нм слоем оксида алюминия. Новый сверхтонкий диэлектрик позволил ученым создать транзистор на основе индий-галлий-арсенида, который потенциально может перейти важный рубеж в 10 нм. Пока прототип нового транзистора имеет 20-нм ворота, что само по себе превосходит современные технологии. Новый транзистор работает в 2,5 раза быстрее кремниевых и питается низким напряжением - всего 0,5 В.

Другие интересные новости:

▪ ISL43640 - мультиплексор-демультиплексор 4:1

▪ Клавиши в ямке

▪ Выращены миниатюрные нейросети мозга

▪ Ультразвуковая медицина

▪ Капсула для возврата с Марса

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Радиоэлектроника и электротехника. Подборка статей

▪ статья Восемь операторских косяков. Искусство видео

▪ статья Какая подделка под античность из Лувра сама стала объектом фальсификаций? Подробный ответ

▪ статья Работа с подъемника (вышки). Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Анимированные рисунки на светодиодной матрице. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Знакомые цифры. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026