Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Гражданское право. Особенная часть. Право на секрет производства (Ноу-хау) (самое важное)

Конспекты лекций, шпаргалки

Справочник / Конспекты лекций, шпаргалки

Комментарии к статье Комментарии к статье

Оглавление (развернуть)

Тема 29. ПРАВО НА СЕКРЕТ ПРОИЗВОДСТВА (НОУ-ХАУ)

В гл. 75 ГК регулируются отношения, связанные с секретом производства (ноу-хау; от англ. know how - знать как).

В соответствии со ст. 1465 ГК секретом производства (ноу-хау) признаются сведения любого характера (производственные, технические, экономические, организационные и другие), в том числе о результатах интеллектуальной деятельности в научно-технической сфере, а также сведения о способах осуществления профессиональной деятельности, которые имеют действительную или потенциальную коммерческую ценность в силу неизвестности их третьим лицам, к которым у третьих лиц нет свободного доступа на законном основании и в отношении которых обладателем таких сведений введен режим коммерческой тайны.

Обладателю секрета производства принадлежит исключительное право использования его в соответствии со ст. 1229 ГК любым не противоречащим закону способом (исключительное право на секрет производства), в том числе при изготовлении изделий и реализации экономических и организационных решений. Обладатель секрета производства может распоряжаться указанным исключительным правом.

Лицо, ставшее добросовестно и независимо от других обладателей секрета производства обладателем сведений, составляющих содержание охраняемого секрета производства, приобретает самостоятельное исключительное право на этот секрет производства (п. 2 ст. 1466 ГК).

Как предусмотрено в ст. 1467 ГК, исключительное право на секрет производства действует до тех пор, пока сохраняется конфиденциальность сведений, составляющих его содержание. С момента утраты конфиденциальности соответствующих сведений исключительное право на секрет производства прекращается у всех правообладателей.

ГК предусматривает возможность заключения договора об отчуждении исключительного права на секрет производства (ст. 1468) и лицензионного договора о предоставлении права использования секрета производства (ст. 1469).

В ст. 1470 и 1471 ГК говорится соответственно о служебном секрете производства и секрете производства, полученном при выполнении работ по договору.

В соответствии с п. 1 ст. 1472 ГК нарушитель исключительного права на секрет производства, в том числе лицо, которое неправомерно получило сведения, составляющие секрет производства, и разгласило или использовало эти сведения, а также лицо, обязанное сохранять конфиденциальность секрета производства в соответствии с п. 2 ст. 1468, п. 3 ст. 1469 или п. 2 ст. 1470 ГК, обязано возместить убытки, причиненные нарушением исключительного права на секрет производства, если иная ответственность не предусмотрена законом или договором с этим лицом. В то же время лицо, которое использовало секрет производства и не знало и не должно было знать о том, что его использование незаконно, в том числе в связи с тем, что оно получило доступ к секрету производства случайно или по ошибке, не несет ответственность, указанную выше (п. 2 ст. 1472 ГК).

Автор: Ивакин В.Н.

<< Назад: Право на топологии интегральных микросхем

>> Вперед: Права на средства индивидуализации юридических лиц, товаров, работ, услуг и предприятий (Право на фирменное наименование. Право на товарный знак и право на знак обслуживания. Право на наименование места происхождения товара. Право на коммерческое обозначение)

Рекомендуем интересные статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки:

Нормальная физиология. Конспект лекций

Товароведение. Шпаргалка

Возрастная анатомия и физиология. Шпаргалка

Смотрите другие статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива

Жидкие нанотранзисторы для суперкомпьютеров 29.03.2013

Преимуществом жидких нанотранзисторов является то, что они сохраняют состояние 'включения' или 'выключения' при отсутствии управляющего тока. В будущем на их основе возможно создание мощных и эффективных вычислительных устройств. Ученые лаборатории IBM Almaden Research Lab в Сан-Хосе, Калифорния, представили новый экспериментальный способ хранения информации - в жидких нанотранзисторах, сообщает Technology Review.

Исследователи продемонстрировали материал, состоящий из наноканалов, заполненных электролитом. Если к такому материалу приложить электрический ток, в нем образуется слой ионов, который меняет свойства проводимости материалов. Данный процесс является обратимым. Воздействуя электричеством на данный материал, его можно переводить из состояния проводимости в состояние отсутствия проводимости и обратно, записывая, таким образом, единицу или ноль.

Особенностью жидких нанотранзисторов является то, что они не нуждаются в постоянном снабжении электричеством для того, чтобы сохранять текущее состояние, пояснил Стюарт Паркин(Stuart Parkin), почетный сотрудник IBM Research, один из участников проекта, который принимает участие в другом проекте IBM - разработке 'памяти с беговой дорожкой'.

'В отличие от сегодняшних транзисторов, новый материал можно переключать в состояние 'включен' или 'выключен' навсегда, без необходимости поддерживать состояние', - рассказал он, добавив, что со временем данное свойство может привести к созданию новых более эффективных логических устройств и компьютерной памяти. Созданные учеными жидкие нанотранзисторы позволяют строить электронные схемы, которые можно перепрограммировать. Это открывает более широкие возможности по сравнению с современными процессорами, конфигурацию электрических каналов в которых изменить нельзя, сообщил Паркин.

Проблема заключается в том, что процесс перехода жидких нанотранзистров из одного состояния в другое медленный - на один-два порядка медленнее по сравнению со скоростью работы современных микросхем. Решить проблему может уменьшение размеров транзисторов и их более плотное расположение друг к другу, считает Паркин. В конечном счете, с их помощью можно будет создавать мощные вычислительные устройства с более низким потреблением энергии, считает ученый. По мнению коллег Паркина, новую технологию еще предстоит достаточно хорошо изучить, чтобы понять, сможет ли она внести свой вклад в развитие микроэлектронной индустрии.

Другие интересные новости:

▪ Лазерные турели для боевых самолетов

▪ Собака положительно влияет на здоровье хозяина

▪ Жук-шпион

▪ Видеохит от Gigabyte

▪ Новый способ секвенирования белков

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Автомобиль. Подборка статей

▪ статья Эры задавать. Крылатое выражение

▪ В чем уникальность Франции в IХ-ХI? Подробный ответ

▪ статья Козлик. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Мистика коротких антенн. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Фокус с трехзначными числами. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2025