- Принятые сокращения
- Договор купли-продажи (Общие положения о договоре купли-продажи. Договор розничной купли-продажи. Договор поставки товаров. Договор поставки товаров для государственных или муниципальных нужд. Договор контрактации. Договор энергоснабжения. Договор продажи недвижимости. Договор продажи предприятия)
- Договоры мены, дарения, ренты (Договор мены. Договор дарения. Договор ренты)
- Договоры аренды, лизинга, ссуды (Договор аренды. Договор финансовой аренды (Лизинга). Договор безвозмездного пользования (Ссуды))
- Договор найма жилого помещения и другие жилищные обязательства (Договор найма жилого помещения. Договор обмена жилыми помещениями)
- Подряд (Договор подряда. Договор бытового подряда. Договор строительного подряда. Договор подряда на выполнение проектных и изыскательских работ. Государственный или муниципальный контракт на выполнение подрядных работ для государственных или муниципальных нужд)
- Договоры на выполнение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ (НИР и ОКР)
- Договор возмездного оказания услуг (Общие положения об обязательствах по оказанию услуг. Договор возмездного оказания услуг)
- Транспортные и экспедиционные договоры (Транспортные договоры. Договор транспортной экспедиции)
- Договор хранения
- Договоры поручения, комиссии и агентирования (Договор поручения. Договор комиссии. Агентский договор)
- Обязательства из действий в чужом интересе без поручения
- Доверительное управление имуществом
- Договор коммерческой концессии
- Обязательства по страхованию (Понятие и отдельные виды страхования. Участники страхового обязательства. Страховой договор)
- Договоры займа, кредита и финансирования под уступку денежного требования (Договор займа. Кредитный договор. Договор финансирования под уступку денежного требования)
- Договоры банковского счета и банковского вклада (Договор банковского счета. Договор банковского вклада)
- Обязательства по расчетам (Общие положения о наличных и безналичных расчетах. Наличные и безналичные расчеты)
- Договор простого товарищества
- Обязательства из односторонних действий (Обязательства из публичного обещания награды. Обязательства из публичного конкурса. Обязательства из проведения игр и пари)
- Обязательства вследствие причинения вреда (Внедоговорные обязательства. Ответственность за вред, причиненный органами публичной власти и их должностными лицами. Ответственность за вред, причиненный несовершеннолетними и недееспособными гражданами. Ответственность за вред, причиненный источником повышенной опасности. Ответственность за вред, причиненный жизни или здоровью гражданина)
- Обязательства вследствие неосновательного обогащения
- Институт наследственного права (Общие положения о наследовании. Наследование по завещанию. Наследование по закону. Приобретение наследства)
- Права на результаты интеллектуальной деятельности и средства индивидуализации: общие положения
- Авторское право
- Права, смежные с авторскими
- Патентное право
- Право на селекционное достижение
- Право на топологии интегральных микросхем
- Право на секрет производства (Ноу-хау)
- Права на средства индивидуализации юридических лиц, товаров, работ, услуг и предприятий (Право на фирменное наименование. Право на товарный знак и право на знак обслуживания. Право на наименование места происхождения товара. Право на коммерческое обозначение)
- Право использования результатов интеллектуальной деятельности в составе единой технологии
Тема 28. ПРАВО НА ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Нормы, относящиеся к праву на топологии интегральных микросхем содержатся в гл. 74 ГК. Согласно ст. 1448 ГК топологией интегральной микросхемы является зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. При этом интегральной микросхемой является микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, которое предназначено для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено такое изделие.
Правовая охрана, предоставляемая ГК, распространяется только на оригинальную топологию интегральной микросхемы, созданную в результате творческой деятельности автора и неизвестную автору и (или) специалистам в области разработки топологий интегральных микросхем на дату ее создания. Топология интегральной микросхемы признается оригинальной, пока не доказано обратное. Топологии интегральной микросхемы, состоящей из элементов, которые известны специалистам в области разработки топологий интегральных микросхем на дату ее создания, предоставляется правовая охрана, если совокупность таких элементов в целом отвечает требованию оригинальности (п. 2 ст. 1448 ГК).
Согласно норме ст. 1449 ГК автору топологии интегральной микросхемы, отвечающей условиям предоставления правовой охраны, предусмотренным ГК, принадлежат следующие интеллектуальные права:
1) исключительное право;
2) право авторства.
В случаях, предусмотренных ГК, автору топологии интегральной микросхемы принадлежат также другие права, в том числе право на вознаграждение за использование служебной топологии.
Согласно норме п. 2 ст. 1454 ГК использованием топологии признаются действия, направленные на извлечение прибыли, в частности:
1) воспроизведение топологии в целом или частично путем включения в интегральную микросхему либо иным образом, за исключением воспроизведения только той части топологии, которая не является оригинальной;
2) ввоз на территорию Российской Федерации, продажа и иное введение в гражданский оборот топологии, или интегральной микросхемы, в которую включена эта топология, или изделия, включающего в себя такую интегральную микросхему.
В соответствии со ст. 1452 ГК правообладатель в течение срока действия исключительного права на топологию интегральной микросхемы (ст. 1457 ГК) может по своему желанию зарегистрировать топологию в федеральном органе исполнительной власти по интеллектуальной собственности (Роспатенте). Если до подачи заявки на выдачу свидетельства о государственной регистрации топологии имело место использование топологии, заявка может быть подана в срок, не превышающий двух лет со дня первого использования топологии.
На основании заявки на регистрацию Роспатент проверяет наличие необходимых документов и их соответствие требованиям п. 3 ст. 1452 ГК. При положительном результате проверки Роспатент вносит топологию в Реестр топологий интегральных микросхем, выдает заявителю свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы и публикует сведения о зарегистрированной топологии в официальном бюллетене (п. 5 ст. 1452 ГК).
За лицом, независимо создавшим топологию, идентичную другой топологии, признается самостоятельное исключительное право на эту топологию (п. 3 ст. 1454 ГК).
Согласно норме ст. 1455 ГК для оповещения о своем исключительном праве на топологию правообладатель вправе использовать знак охраны, который помещается на топологии, а также на изделиях, содержащих такую топологию. Указанный знак состоит из следующих элементов:
▪ выделенной прописной буквы "Т" ("Т", [Т], буква "Т" в окружности или буква "Т" в квадрате);
▪ даты начала срока действия исключительного права на топологию;
▪ информации, позволяющей идентифицировать правообладателя. В ст. 1457 ГК установлен срок действия исключительного права на топологию. Согласно п. 1 данной статьи указанное право действует в течение 10 лет. По истечении срока действия исключительного права топология переходит в общественное достояние.
Нормы, касающиеся служебной топологии, а также топологии, созданной при выполнении работ по договору, заказу, государственному муниципальному контракту содержатся в ст. 1461 - 1464 ГК.
Автор: Ивакин В.Н.
<< Назад: Право на селекционное достижение
>> Вперед: Право на секрет производства (Ноу-хау)
Рекомендуем интересные статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки:
▪ История экономики. Шпаргалка
▪ Банковское право. Шпаргалка
▪ Управление персоналом. Шпаргалка
Смотрите другие статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
<< Назад
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку
02.01.2026
Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата.
Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности.
Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>
Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть
02.01.2026
Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств.
Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам.
Для решения этих проблем ученые предлож ...>>
Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем
01.01.2026
Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта.
Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей.
Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>
Случайная новость из Архива Чип питается от света, тепла и вибрации
17.07.2012
Чип способен одновременно извлекать энергию из света, тепла и вибрации. Датчики с такими чипами никогда не потребуют наличия внутреннего источника энергии - батарейки или аккумулятора - и смогут работать вечно. Ученые из Массачусетского технологического института совершили важный шаг к появлению датчиков без внутренних источников энергии - батареек и аккумуляторов, - сообщает Physorg. Глава кафедры института по электротехнике и вычислительной технике Сурав Бандиопадхай (Saurav Bandyopadhyay) создал чип, способный "черпать" энергию из окружающей среды: света, тепла и вибрации.
Ранее исследования в этом направлении уже проводились. Коллега ученого Ананта Чандракасан (Anantha Chandrakasan) научился брать электрическую энергию из трех различных источников по-отдельности: света, тепла и вибрации. В новой работе ученый объединил возможность брать энергию из указанных источников в одной микросхеме, а также повысил эффективность питания.
Созданный чип может брать энергию от перемещения частей тела человека, например, при его ходьбе, или от разницы температур в человеческом теле. Датчики с такими чипами могут использоваться для съема параметров организма и работать бесконечное время. В свою очередь, датчики, установленные на автомобильных и железнодорожных мостах, которые информируют службы о состоянии конструкции, могут брать энергию от вибрации, образующейся вследствие прохождения по мосту транспорта.
Основная сложность, по словам разработчика, заключалась в создании электрической схемы чипа, которая бы смогла обрабатывать сразу несколько источников, отличающихся разной мощностью. Как правило, эта проблема решается простым автоматическим выбором того источника, который дает максимальную мощность. По словам Бандиопадхая, такой подход менее эффективен, потому что энергия оставшихся источников в это время расходуется впустую. "Вместо этого мы научились получать энергию от всех источников разом", - комментирует ученый. Сделано это было с помощью конденсаторов, которые накапливают заряд от других источников тогда, когда питание осуществляется от основного.
Второй задачей стала минимизация энергии, которую схема потребляет сама. Обычно питание осуществляется через аккумулятор или конденсатор повышенной емкости. Энергия поступает к ним, а только затем - к основной цепи. Бандиопадхай заставил схему работать напрямую от источника энергии. По его словам, это существенно подняло эффективность.
|
Другие интересные новости:
▪ Переработка пищевых отходов в еду
▪ Загрязнение воздуха и аппендицит
▪ Сонные коровы дают снотворное молоко
▪ Intel отказался от памяти Direct Rambus DRAM (DR DRAM)
▪ Альтернатива GPS работает даже под землей
Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:
▪ раздел сайта Усилители мощности. Подборка статей
▪ статья Квинт Септимий Флоренс Тертуллиан. Знаменитые афоризмы
▪ статья Чье отчество в советской печати склонялось вопреки правилам русского языка? Подробный ответ
▪ статья С компасом через магнитные поля. Детская научная лаборатория
▪ статья Устройство автоматической подсветки с номером дома. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
▪ статья Превращение чая в воду. Химический опыт
Оставьте свой комментарий к этой статье:
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2026