БЕСПЛАТНАЯ ТЕХНИЧЕСКАЯ БИБЛИОТЕКА
Сборник Новый Радиоежегодник №11
Вы можете бесплатно и без регистрации скачать Сборники Новый Радиоежегодник. Бесплатные сборники содержат принципиальные электрические схемы современных радиоэлектронных устройств с подробными описаниями на следующие темы: автоматика, автоэлектроника, аудиотехника, бытовая электроника, видеотехника, измерения, источники питания, микроконтроллеры, радиолюбительские технологии, электронные компоненты.
Using a Phase-Shifted Full-Bridge Topology in Small Form Factor Power Converters LM5045/46
Voltage Reference Selection Basics LM4030 LM4140 LM4132 LM4120 LM4050 LM4128
Гальваническая оптронная развязка в цепи обратной связи импульсных стабилизированных ИП на примере продукции National Semiconductor LM5041 LMV431 LM4050 LM358
Импульсные модули питания от National Semiconductor LMZ
Импульсные преобразователи Simple Switcher® - высокий КПД, низкий шум, минимум внешних элементов LM310x LM2267x LM22680 LM285x LM2557x LM557x LM315x
Интегральные импульсные стабилизаторы напряжения фирмы National Semiconductor LM2594/99 LM2674/79 LM2651 LM2653 LM2586 LM2660/63
Как спроектировать источник питания для FPGA за несколько минут LMZ
Модули питания Simple Switcher LMZ-EXT для экстремальных условий эксплуатации
Мощные высоковольтные микросхемы серии LМ5ххх фирмы National Semiconductor LM5000 LM5007 LM5008 LM5010 LM5020 LM5021 LM5025 LM5030/LM5033 LM5032/LM5034 LM5041 LM5115 LM5642 LM5070 LM5080 LM5068 LM5100 LM5101 LM5102 LM5104 LM5105 LM5107 LM5110/LM5112
Новейшее решение для питания устройств через Ethernet при помощи микросхемы LM5070
Новое поколение интегральных микросхем National Semiconductor для импульсных источников питания LM257x 557x LM3495 LM3677 LM2830/1/2 LM3100 LM3880
Новые ЧИМ/ШИМ DC/DC-преобразователи LM3670 LM3671
Новый однотактный ШИМ-контроллер с активным демпфированием LM5026
Новый ШИМ-контроллер полумостового преобразователя с высокой степенью интеграции LM5035
Обзор LED-драйверов National Semiconductor LM340x
Обзор микросхем для импульсных повышающе-понижающих преобразователей с одной индуктивностью LM3668
Повышающий стабилизатор LM2623: особенности функционирования и применения LM2623
Применение импульсных повышающих преобразователей фирмы National Semiconductor для управления светодиодами LM3502/3503 LM3509 LM3519 LM3551/3552 LM3224 LM2698
Применение современных микросхем National Semiconductor для повышения эффективности работы прямоходовых схем LM5026 LM5025 LM5034
Для большинства людей звук жевания, дыхания или сопения остается практически незаметной частью повседневной жизни. Однако у людей с мизофонией такие совершенно обычные звуки способны вызывать мгновенную и крайне сильную негативную реакцию. Причины этого состояния до сих пор изучены недостаточно, однако новое исследование указывает на важную роль наследственности. Полученные данные свидетельствуют о том, что предрасположенность к мизофонии может иметь глубокую генетическую основу.
Исследованием занималась команда Медицинской школы Йельского университета, сосредоточившая внимание на семейной истории людей с этим расстройством. В отличие от ряда предыдущих работ, проводившихся преимущественно с помощью дистанционных опросов, на этот раз специалисты непосредственно обследовали 101 человека с мизофонией и членов их семей. Такой подход позволил исследователям оценить не только распространенность состояния среди родственников, но и возможные связи с другими особенностями психического здоро ...>>
Системы хранения данных постоянно сталкиваются с необходимостью одновременно увеличивать скорость записи, плотность информации и энергоэффективность. Один из возможных путей решения этой задачи связан с использованием света для управления магнитными состояниями материала. Инженеры Калифорнийского университета в Сан-Диего разработали метод, в котором специально сформированные лазерные импульсы позволяют изменять направление намагниченности, открывая перспективу создания более быстрых и компактных магнитных устройств памяти.
Главное отличие нового подхода заключается в том, что исследователи управляют не составом магнитного материала, а характеристиками самого лазерного излучения. Ультрабыстрый лазер концентрирует энергию на микроскопическом участке поверхности. Когда диаметр светового пятна становится меньше 1,36 мкм, специалистам удается переключать направление намагниченности независимо от спиральности света, то есть направления вращения его поляризации. Это позволяет отказаться от ...>>
Химия все чаще обращается к биологическим молекулам, чтобы сделать синтез сложных веществ более точным и эффективным. Особенно важны такие технологии при создании соединений, у которых одинаковый химический состав может сопровождаться разным пространственным расположением атомов и, следовательно, различными свойствами. Исследователи из Калифорнийского технологического института и Университета Питтсбурга предложили новый биокаталитический подход, позволяющий получать хиральные оксазолидиноны непосредственно из простых неактивированных алкенов.
В основе предложенного метода лежит последовательность из двух реакций - азиридинирования и последующего расширения цикла. Этот каскад запускается с помощью гемопротеина, который выполняет функцию катализатора и позволяет направлять химическое превращение в нужную сторону. В результате из относительно простого исходного соединения формируется более сложная циклическая структура с заданной пространственной конфигурацией.
Особенно существенным ...>>
Случайная новость из Архива
Apple iPhone
20.02.2007
Еще окончательно неясно, как реально будет именоваться устройство, анонсированное Стивом Джобсом на выставке MacWorld 2007, но пока назовем его iPhone.
"Сегодня мы представляем три революционных продукта: широкоэкранный iPod с сенсорным экраном, мобильный телефон и Интернет-устройство. И все это в одном аппарате", заявил босс Apple. В новинке используется интерфейс с патентованной технологией Multi-Touch, позволяющей управлять без стилуса, простым прикосновением пальца.
iPhone имеет экран с диагональю 3,5" и разрешением 160 ppi. Он оснащен памятью в 8 GB и встроенной камерой в 2 Мп, при этом имеет толщину всего 11,6 мм.