Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


География. Загрязнение окружающей среды и экологические проблемы человечества. Виды загрязнений и их распространение. Пути решения экологических проблем (самое важное)

Конспекты лекций, шпаргалки

Справочник / Конспекты лекций, шпаргалки

Комментарии к статье Комментарии к статье

Оглавление (развернуть)

Загрязнение окружающей среды и экологические проблемы человечества. Виды загрязнений и их распространение. Пути решения экологических проблем

Под загрязнением окружающей среды понимают комплекс изменений, происходящих во всех сферах Земли под воздействием поступающих в них веществ, если это поступление обусловлено деятельностью человека, неосознанной или целенаправленной.

Загрязнение природы продуктами жизнедеятельности человечества может выступать как:

1) количественное загрязнение, т. е. возвращение в окружающую природу тех веществ, которые существуют в ней в естественном состоянии, но прошли промышленную;

2) качественное загрязнение - это выброс в окружающую среду веществ и соединений, которые не являются природными, естественными.

Помимо данной градации, возможна типология загрязнений, учитывающая изменения, которые они вызывают в каждой из сфер планеты, т. е. подразделение всех загрязнений на загрязнения:

1) литосферы;

2) гидросферы;

3) атмосферы.

Загрязнения литосферы - это совокупность всех веществ, подвергающихся антропогенной обработке и поступивших в литосферу Земли, а также процесс этого поступления.

Загрязнение гидросферы - более сложная проблема для современного мира.

Загрязнение атмосферы - процесс, представляющий непосредственную опасность для всех живых существ планеты, включая человечество.

Основными путями решения природоохранных проблем, входящих в общий комплекс экологических проблем, могут быть:

1) рациональное размещение наиболее опасных, но необходимых производств;

2) строительство очистных сооружений;

3) уничтожение и переработка производственных отходов и бытового мусора;

4) рекультивация земель;

5) переход на менее токсичные виды топлива;

6) применение новых природоохранительных технологий.

Автор: Бабаев Г.А., Казакова В.Н.

<< Назад: Общая экономико-географическая характеристика Японии

>> Вперед: Сельское хозяйство. Состав. Особенности развития в развитых и развивающихся странах. Сельское хозяйство и окружающая среда

Рекомендуем интересные статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки:

Конституционное право Российской Федерации. Шпаргалка

Специальная психологи. Шпаргалка

Экология. Конспект лекций

Смотрите другие статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Атомный секрет вечного блеска золота 20.06.2026

Золото издавна считается символом вечности и благородства не только из-за своей редкости, но и благодаря удивительной химической стойкости. В отличие от большинства металлов, оно не окисляется на воздухе, не тускнеет и не покрывается ржавчиной даже спустя тысячелетия. Эта уникальная инертность позволила золотым артефактам сохранять первозданный блеск с древних времен. Однако точный механизм такой защиты долго оставался загадкой для ученых. Недавнее исследование американских химиков-вычислителей раскрыло, что дело не просто в слабом взаимодействии с кислородом, а в особой атомной структуре поверхности металла. Сотрудники Тулейнского университета Санту Бисвас и Мэтью М. Монтемор провели детальное компьютерное моделирование, чтобы понять, как молекулы кислорода взаимодействуют с поверхностью золота. Ученые сравнили два основных типа атомных структур: "реконструированные" и "нереконструированные" поверхности. Было доказано, что природная способность золота к перестройке атомов играет кл ...>>

Смарфон Realme 16T 5G 20.06.2026

В сегменте доступных смартфонов с акцентом на длительную работу без подзарядки компания Realme представила интересную новинку - модель Realme 16T 5G. Главным преимуществом устройства стала по-настоящему впечатляющая батарея емкостью 8000 мАч, которая способна обеспечить до трех дней автономной работы при умеренном использовании. При этом инженерам удалось сохранить относительно компактный корпус толщиной менее 9 мм и вес всего 224 грамма, что делает смартфон удобным для повседневного ношения несмотря на внушительный аккумулятор. Смартфон оснащен большим 6,8-дюймовым LCD-дисплеем с высокой частотой обновления 144 Гц и пиковой яркостью до 1200 нит. Такое сочетание обеспечивает плавную картинку в динамичных сценах и комфортное восприятие контента даже под прямыми солнечными лучами. За производительность отвечает энергоэффективный процессор MediaTek Dimensity 6300, дополненный оперативной памятью LPDDR4X и накопителем UFS 2.2. Для эффективного отвода тепла во время продолжительных нагру ...>>

Проблема набора веса после 40 19.06.2026

С возрастом многие люди замечают, что поддерживать привычный вес становится все сложнее, даже если рацион и уровень активности существенно не меняются. Ученые из Каролинского института в Швеции раскрыли одну из ключевых биологических причин этого явления. Они показали, что с годами в жировой ткани замедляется процесс обновления липидов, из-за чего организм постепенно накапливает жир. Это естественное возрастное изменение объясняет, почему после 40 лет тело начинает "работать" иначе, способствуя набору веса. В долгосрочном исследовании специалисты наблюдали за жировой тканью 54 мужчин и женщин на протяжении в среднем 13 лет. Независимо от того, набирали участники вес или, наоборот, худели, у всех без исключения скорость липидного обмена в жировых клетках заметно снижалась. Жир в клетках обновляется все медленнее, и этот процесс происходит автоматически с течением времени. Те, кто не компенсировал замедление уменьшением калорийности питания, в среднем набирали около 20% от исходного в ...>>

Случайная новость из Архива

Инновационное производство 3D-наночипов 27.07.2013

Новая технология микроскопии облегчит разработку и обеспечит контроль производства трехмерных полупроводниковых чипов.

Ученые из Национального института стандартов и технологий (National Institute of Standards and Technology, NIST) модернизировали разработанную ими несколько лет назад технологию оптической микроскопии и приспособили ее для наблюдения наноразмерных объектов, что позволяет произвести контроль производства элементов трехмерных полупроводниковых чипов нового поколения. С помощью этой технологии, называемой TSOM (Through-Focus Scanning Optical Microscopy), можно не только рассмотреть наноразмерные компоненты чипов, которые до недавнего времени были двухмерными конструкциями, но и с достаточно высокой точностью определить различия в их формах и размерах, что и требуется для проведения технологического контроля.

Новые поколения полупроводниковых чипов имеют в своем составе трехмерные элементы, которые накладываются друг на друга. Для правильной и надежной работы чипа в целом требуется, чтобы все компоненты имели правильные формы и строго заданные габариты. Существующие методы микроскопии - электронная, атомно-силовая и другие - могут обеспечить контроль формы и размеров элементов чипа, но делают это крайне медленно, с риском нанести повреждения хрупкой структуре чипа, а также обходятся они крайне дорого. А использование оптических методов микроскопии ограничивается тем, что размеры элементов чипов намного меньше половины длины волны света видимого диапазона (250 нм для зеленого света), поэтому оптический микроскоп физически не может увидеть столь маленькие объекты.

Технология TSOM позволяет увидеть оптическим способом объекты, размеры которых приблизительно равны 10 нм, а в перспективе и еще меньше. В методе TSOM используется обычный оптический микроскоп, который делает не один, а множество расфокусированных двухмерных снимков интересующего объекта с нескольких точек зрения. Используя изменения яркости с этих расфокусированных снимков, компьютер вычисляет градиенты света и определяет границы снимаемых объектов, создавая таким образом результирующее трехмерное изображение.

Изображения, получаемые с помощью метода TSOM, несколько абстрактны, но детали, которые на них видны, позволяют с достаточно высокой точностью определить различия в формах и размерах компонентов полупроводниковых чипов.

"Наши исследования показали, что с помощью метода TSOM мы можем рассмотреть элементы размерами около 10 нм, чего вполне достаточно для обеспечения контроля технологических процессов производства полупроводников на ближайшее десятилетие, - рассказывает Рэвикирэн Аттота (Ravikiran Attota), ученый из NIST. - Кроме этого, технологию TSOM можно будет использовать не только в электронной промышленности, но и в других отраслях, в науке и везде, где требуется производить анализ и контроль форм крошечных трехмерных объектов".

Другие интересные новости:

▪ 20-нм чипы, произведенные на TSMC

▪ Биометрический браслет с GPS

▪ Воспитание собаки похоже на воспитание ребенка

▪ Технология позиционирования в закрытых помещениях

▪ Кибервойска США растут

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Параметры радиодеталей. Подборка статей

▪ статья Активатор для рассады. Советы домашнему мастеру

▪ статья Чем обусловлено различие слов чай и tea? Подробный ответ

▪ статья Калина красная. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Электронный пускорегулирующий аппарат с питанием от низковольтного источника на микросхеме КР1211ЕУ1. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Рука на голове. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026