В настоящее время фамилию ПЕРВОГО, добившегося больших успехов в искусстве, переводят словом, которое входит в название фильма одного известного режиссера. В одном из произведений ПЕРВОГО два человека делают то, чем ВТОРОЙ, герой другого фильма того же режиссера, занимался профессионально. Назовите город, вблизи которого родился ПЕРВЫЙ, и город, с которым ошибочно связали ВТОРОГО.
Правильный ответ: Витебск и Тель-Авив. Комментарий: ПЕРВЫЙ - художник М. Шагал, родившийся в поселке Лиозно, рядом с Витебском . Его фамилию можно рассматривать и как глагол прошедшего времени. Переведя его в настоящее время, получим слово "шагаю". Один из фильмов Г. Данелия - "Я шагаю по Москве". На картине М. Шагала "Над городом" изображены летящие мужчина и женщина . ВТОРОЙ - герой фильма "Мимино", профессиональный летчик. В одном из эпизодов фильма телефонистка ошибочно связала его с Тель-Авивом .
Интересная Случайная пятерка вопросов викторины онлайн.
Смотрите другие статьи раздела Викторина онлайн.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
<< Назад
Другие вопросы Викторины онлайн:
"tva" по-шведски означает "два". А какое слово, по мнению некоторых филологов, появилось в русском языке благодаря шведскому числительному "один"?
Попробуйте изобразить то, что американская актриса Филлис Дилер назвала кривой, которая выпрямляет все.
Свое название этот объект получил благодаря откладывающемуся вокруг источников и гейзеров на поверхности земли слою гейзерита.
Википедия утверждает, что ЕГО название говорит не о растении, из которого ОН сделан, а намекает на ЕГО местоположение. В "ЕГО" творчестве встречается фраза "встретимся на нашем берегу". Назовите ЕГО.
<< Назад
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Сон как эффективный механизм обучения
23.12.2025
Процесс обучения и формирования долговременных воспоминаний продолжает оставаться одной из самых загадочных функций человеческого мозга. Новое исследование, проведенное учеными из Университета Брауна в США, проливает свет на то, как именно мозг повторно обрабатывает информацию во сне, помогая закреплять полученные навыки. Это открытие потенциально может быть использовано при создании устройств и методик для помощи людям с параличами или неврологическими нарушениями.
В ходе эксперимента исследователи наблюдали за лабораторными мышами, обученными проходить лабиринт. С помощью специальных датчиков ученые отслеживали активность нейронов, которые активировались в момент правильного выбора пути. Оказалось, что во сне те же нейроны воспроизводили точно такую же последовательность сигналов, как и в период обучения.
Этот феномен, который ученые называют "повторным воспроизведением", помогает мозгу переносить краткосрочные воспоминания в долговременную память. Таким образом, полученная инф ...>>
Термопаста Arctic MX-7
23.12.2025
Швейцарская компания Arctic представила новую версию своей фирменной термопасты - MX-7, позиционируя ее как универсальное решение для различных устройств, от настольных ПК до игровых консолей и ноутбуков.
Arctic MX-7 отличается оптимальной консистенцией, которая обеспечивает равномерное нанесение на поверхность процессора или GPU, минимизируя появление воздушных пузырьков и улучшая теплопередачу. Производитель подчеркивает, что паста устойчива к эффекту "pump-out", когда термоинтерфейс со временем выдавливается из-за циклов нагрева и охлаждения, что продлевает срок службы компонентов.
Хотя Arctic не раскрывает официальное значение теплопроводности MX-7, независимые тесты подтверждают высокую эффективность термопасты. Например, по данным портала Igor's Lab, показатель теплопроводности составляет 6,17 Вт/мК, что делает ее конкурентоспособной на фоне других высококлассных термоинтерфейсов.
Применение MX-7 не ограничено настольными системами. Паста подходит для замены штатных терм ...>>
Гибкая кремниевая мембрана, меняющая цвет при растяжении
22.12.2025
Исследователи Амстердамского университета продемонстрировали уникальный метаматериал, способный изменять цвет под воздействием механического растяжения. В основе этой технологии лежит структурный цвет - явление, при котором окраска определяется геометрией микроструктур, а не пигментами.
Команда ученых во главе с Фриком ван Горпом преобразовала кремний в тонкую сетку с определенным узором, что позволило создать одновременно гибкий и функциональный материал. При растяжении отдельные элементы структуры поворачиваются, меняя способ отражения света: материал плавно изменяет оттенок от зеленого до красного, создавая эффект "живого" цвета.
Один из первых вызовов заключался в хрупкости кремния. Отказавшись от подложки, исследователи получили тонкую гибкую мембрану, способную выдерживать деформацию. Йорик ван де Гроп подчеркнул, что ключевой особенностью разработки является многофункциональность структуры. Она объединяет свойства механических метаматериалов с возможностями оптических мета ...>>
Случайная новость из Архива Микросхемы SRAM Renesas RMLV0816B и RMLV0808B с высокой радиационной стойкостью
21.12.2014
Компания Renesas Electronics объявила о выпуске пяти новых моделей микросхем статической памяти с произвольным доступом с пониженным энергопотреблением (Advanced LP SRAM), относящихся к сериям RMLV0816B и RMLV0808B. Они имеют плотность 8 Мбит и изготавливаются по нормам 110 нм.
Зачем же использовать такой "грубый" техпроцесс, когда микросхемы для потребительской мобильной электроники уже давно выпускаются по гораздо более тонким нормам?
Все дело в том, что за счет увеличения элементов удается повысить радиационную стойкость. По словам производителя, в новой памяти исключены однократные сбои (Soft Error или Single-Event Upset, SEU) и защелкивание транзисторов (Latch-up).
Причиной однократных сбоев является импульс тока, возникающий при попадании в ячейку иона. Он переводит ячейку в противоположное состояние, но схема остается в работоспособном состоянии. Поскольку размеры транзистора в новых микросхемах сравнительно велики, для переключения требуется такой большой заряд, что вероятность возникновения сбоя стремится к нулю. Кроме того, в схему ячейки введен специальный конденсатор. В отличие от коррекции ошибок с помощью ECC, такой подход позволяет предотвратить одновременное возникновение нескольких ошибок. Применение этого и других приемов, по оценке Renesas, позволило получить такую же степень радиационной стойкости, как и в случае микросхем, выпускаемых по нормам 150 нм.
Что касается защелкивания транзисторов, его причиной является вызванный ионом импульс тока, который приводит к открытию напоминающей тиристор схемы, образуемой паразитными структурами из пар транзисторов разного типа. В результате защелкивания ток через транзисторы растет даже после прекращения воздействия иона, что может привести к перегреву и выходу микросхемы из строя. В новой памяти на монокристаллической подложке сформированы только транзисторы с каналом n-типа, а транзисторы с каналом p-типа сформированы как тонкопленочные транзисторы с использованием поликристаллического кремния, что исключает образование тиристора из паразитных структур и принципиально устраняет риск защелкивания транзисторов. Попутно это позволило уменьшить площадь ячейки и размеры кристалла, приблизив эти показатели к показателям памяти, выпускаемой по нормам 65 нм.
Потребляемый ток в режиме ожидания не превышает 2 мкА при температуре 25°C, что делает микросхемы подходящими для хранения данных в устройствах с резервным батарейным питанием.
В планах Renesas - выпуск такой памяти плотностью 16 Мбит.
|
Другие интересные новости:
Реклама на экране смартфона дополнительно разряжает аккумулятор
Искусственный интеллект услышит болезни людей
Запах партнера улучшает сон
Микробы витают в облаках
В Тибете построят детектор гравитационных волн
Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:
▪ раздел сайта Жизнь замечательных физиков. Подборка статей
▪ статья Потерпеть фиаско. Крылатое выражение
▪ статья Почему золото дорогое? Подробный ответ
▪ статья Лобелия одутлая. Легенды, выращивание, способы применения
▪ статья Организация безопасного рабочего места сварщика. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
▪ статья Регулируемый стабилизатор, 30/3-25 вольт 2 ампера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2025