www.diagram.com.ua
www.diagram.com.ua
Русский: Русская версия English: English version
Translate it!
Поиск по сайту

+ Поиск по журналам
+ Поиск по статьям сайта
+ Поиск по схемам СССР
+ Поиск по Библиотеке

Бесплатная техническая библиотека:
Все статьи А-Я
Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
Новости науки и техники
Журналы, книги, сборники
Архив статей и поиск
Схемы, сервис-мануалы
Электронные справочники
Инструкции по эксплуатации
Голосования
Ваши истории из жизни
На досуге
Случайные статьи
Отзывы о сайте

Справочник:
Большая энциклопедия для детей и взрослых
Биографии великих ученых
Важнейшие научные открытия
Детская научная лаборатория
Должностные инструкции
Домашняя мастерская
Жизнь замечательных физиков
Заводские технологии на дому
Загадки, ребусы, вопросы с подвохом
Инструменты и механизмы для сельского хозяйства
Искусство аудио
Искусство видео
История техники, технологии, предметов вокруг нас
И тут появился изобретатель (ТРИЗ)
Конспекты лекций, шпаргалки
Крылатые слова, фразеологизмы
Личный транспорт: наземный, водный, воздушный
Любителям путешествовать - советы туристу
Моделирование
Нормативная документация по охране труда
Опыты по физике
Опыты по химии
Основы безопасной жизнедеятельности (ОБЖД)
Основы первой медицинской помощи (ОПМП)
Охрана труда
Радиоэлектроника и электротехника
Строителю, домашнему мастеру
Типовые инструкции по охране труда (ТОИ)
Чудеса природы
Шпионские штучки
Электрик в доме
Эффектные фокусы и их разгадки

Техническая документация:
Схемы и сервис-мануалы
Книги, журналы, сборники
Справочники
Параметры радиодеталей
Прошивки
Инструкции по эксплуатации
Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатный архив статей
(200000 статей в Архиве)

Алфавитный указатель статей в книгах и журналах

Бонусы:
Ваши истории
Загадки для взрослых и детей
Знаете ли Вы, что...
Зрительные иллюзии
Веселые задачки
Каталог Вивасан
Палиндромы
Сборка кубика Рубика
Форумы
Карта сайта

ДИАГРАММА
© 2000-2020

Дизайн и поддержка:
Александр Кузнецов

Техническое обеспечение:
Михаил Булах

Программирование:
Данил Мончукин

Маркетинг:
Татьяна Анастасьева

Перевод:
Наталья Кузнецова

Контакты

При использовании материалов сайта обязательна ссылка на https://www.diagram.com.ua

сделано в Украине
сделано в Украине

Диаграмма. Бесплатная техническая библиотека

Бесплатная техническая библиотека Бесплатная техническая библиотека, Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

НОВОСТИ НАУКИ И ТЕХНИКИ, НОВИНКИ ЭЛЕКТРОНИКИ
Бесплатная техническая библиотека / Лента новостей

Смартфон с бесконечной памятью 18.02.2016

Стартап Nextbit приступил к продажам на своем сайте смартфона с "бесконечной" памятью Robin. Новинка доступна в двух цветовых исполнениях: мятном и темно-сером. Стоимость составляет $399. Дополнительно предлагаются различные аксессуары - от пленки на экран до бампера и зарядки.

Nextbit Robin определяет, к каким данным пользователь обращается реже всего, и переносит их со смартфона в облако Nextbit, освобождая место в памяти мобильного устройства. Эта проверка выполняется постоянно, и если владелец начинает запрашивать данные из облака чаще, они возвращаются в локальное хранилище.

Таким образом, Robin динамически распределяет данные пользователя между памятью устройства и облачным хранилищем с той целью, чтобы, во-первых, память устройства не была загромождена, и, во-вторых, у пользователя всегда был доступ к необходимым данным и их не пришлось закачивать из облака в самый неподходящий момент, как это часто бывает, например, на Apple iPhone.

Разработчики утверждают, что синхронизация с облаком в Nextbit Robin реализована на уровне операционной системы, поэтому Robin способен предложить более широкие возможности по сравнению с другими аппаратами на рынке в этом плане. За динамическую синхронизацию отвечает прошивка Nextbit OS, основанная на Android.

Nextbit Robin оснащен 5,2-дюймовым IPS-дисплеем с разрешением 1920 x 1080 пикселей, прикрытым стеклом Gorilla Glass 4, процессором Qualcomm Snapdragon 808, 3 ГБ оперативной и 32 ГБ постоянной памяти. Разрешение основной камеры составляет 13 МП. Она оснащена фазовым автофокусом и двойной вспышкой со светодиодами разного оттенка. Разрешение фронтальной камеры - 5 МП.

Устройство оснащено двумя фронтальными динамиками, датчиком отпечатка пальца и поддержкой NFC. Есть также поддержка технологии быстрой зарядки Qualcomm Quick Charge 2.0. Подключение к зарядному устройству осуществляется с помощью интерфейса USB Type-C.

<< Назад: Инопланетяне могут считать Землю необитаемой 19.02.2016

>> Вперед: Солнечный тандем 18.02.2016

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Бобры изменяют климат Аляски 03.07.2020

Специалисты из Института полярных и морских исследований им. Альфреда Вегенера в Германии установили, что бобры, живущие на территории площадью 18 тыс. кв. км на северо-западе Аляски, всего за 5 лет создали 56 новых озер. Это может усилить оттаивание вечной мерзлоты и ускорить изменение клима. Бобры быстро распространяются по Аляске. Всего за несколько лет они населили многие тундровые районы, где их никогда раньше не видели. От двух плотин в 2002 году число дамб возросло до 98 к 2019 году, п ...>>

Платы расширения STM32 Nucleo для работы с цифровым звуком 03.07.2020

Новая плата расширения X-NUCLEO-CCA01M1 представляет собой плату расширения на базе 2.1-канального высокоэффективного звукового терминала STA350BW Sound Terminal с системой цифрового аудиовыхода. Она может работать в паре с платой STM32 Nucleo и позволяет выводить цифровой аудиопоток на подключенную непосредственно к ней пару динамиков. STM32 MCU управляет микросхемой STA350BW по I2C, а для передачи аудиоданных применяется шина I2S. Высокая производительность микроконтроллеров STM32 позволяет ...>>

Антивирусное ожерелье 02.07.2020

Ученые NASA создали антивирусное ожерелье. Задумка была реализована на фоне пандемии коронавируса, от чего, собственно, она и будет защищать своего владельца. Украшение будет предупреждать человека, вибрируя в тот момент, когда пользователь будет пытаться дотронуться до лица, а изготавливаться украшение будет на 3D-принтере. Устройство, созданное в NASA с помощью инфракрасного датчика, будет улавливать движение руки, которую хозяин ожерелья вознамерился поднести к лицу ближе, чем положен ...>>

Серийное производство памяти HBM2E 02.07.2020

Компания SK hynix объявила о начале полномасштабного серийного производства высокоскоростной памяти DRAM или HBM2E. Располагая 1024-разрядной шиной, каждая линия которой работает со скоростью 3,6 Гбит/с, память HBM2E обеспечивает пропускную способность 460 ГБ/с, превосходя память HBM2 по этому показателю на 50%. В стеке HBM2E может быть до восьми кристаллов плотностью 16 Гбит, связанных с помощью технологии TSV (Through Silicon Via), так что максимальный объем памяти достигает 16 ГБ. Это в ...>>

Биоразлагаемый материал из оливковых косточек 01.07.2020

Испанский архитектор Хосеан Вилар и бразильский дизайнер Сильвана Катазин разработали в Барселоне биоматериал из оливковых косточек, который по свойствам напоминает пластик. В отличие от обычного пластика он сможет разложиться естественным путем после своего срока службы, а при нагреве не выделяет вредных веществ. Для создания нового материала используются оливковые косточки - отход производства оливкового масла, которое в Испании делают как на крупных заводах, так и на небольших домашних уст ...>>

Случайная новость из Архива

Микросхемы мобильной памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит 03.01.2014

Компания Samsung объявила о разработке первой в отрасли микросхемы памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит. Память Samsung LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит предназначена для мобильных устройств. По словам Samsung, ее использование позволит повысить производительность мобильных устройств, улучшить отклик на действия пользователя, реализовать новые функции, повысить разрешение экранов.

Микросхема максимальной на сегодня плотности рассчитана на выпуск по техпроцессу 20-нанометрового класса. Четыре чипа плотностью 8 Гбит позволяют получить в одном корпусе объем 4 ГБ. В микросхемах используется интерфейс LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), первоначально предложенный Samsung организации JEDEC и ставший частью стандарта LPDDR4 DRAM.

Он обеспечивает передачу данных со скоростью 3200 Мбит/с, что вдвое превосходит возможности серийно выпускаемой сейчас памяти LPDDR3 DRAM. Вообще же, LPDDR4 по производительности превосходит LPDDR3 и DDR3 на 50%, потребляя примерно на 40% меньше энергии, поскольку работает при напряжении 1,1 В.

Производитель отмечает, что новая память поможет ему сосредоточиться на мобильных устройствах верхнего сегмента, включая смартфоны, планшеты и ультратонкие ноутбуки с экранами Ultra HD.

Смотрите полный Архив новостей науки и техники, новинок электроники


Бесплатная техническая библиотека Бесплатная техническая документация для любителей и профессионалов