Усилитель мощности с полевым транзистором в качестве источника тока для входного каскада и элементами симметрирования выходного каскада. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Усилители мощности транзисторные

 Комментарии к статье

Он имеет следующие основные технические характеристики:

Номинальная выходная мощность ....... 75 Вт
Коэффициент гармоник .......... 0,06%
Полоса рабочих частот .......... 20 ... 40 000 Гц
Отношение сигнал-шум .......... 86 дБ
Напряжение питания ........... ±40 В
Ток покоя .............. 20 мА

Улучшение качественных показателей в этом усилителе по сравнению с предыдущим достигнуто рядом схемотехнических решений. В эмиттерную цепь входного дифференциального каскада включен источник тока на полевом транзисторе. Это позволяет повысить коэффициент передачи первого каскада и улучшить его термостабильность. Для улучшения симметрии плеч выходного каскада усилителя и уменьшения нелинейных искажении в эмиттерную цепь одного из транзисторов предоконечного каскада вводится корректирующая цепь, состоящая из диода, резистора и конденсатора.

Принципиальная схема усилителя приведена на рис.1. Он содержит дифференциальный входной каскад (VT2, VT4), усилители тока (VT3) и напряжения {VT6), .выходной каскад (VT9-VT12) и устройство защиты от перегрузок (VT7, VT8). Как уже говорилось, источник тока на транзисторе VT1, включенный в эмиттерные цепи транзисторов VT2, VT4, позволяет, не увеличивая температурную нестабильность, повысить коэффициент передачи по напряжению дифференциального каскада. Транзистор VT3 позволяет уменьшить нагрузку на выход дифференциального каскада. Каскад с разделенной нагрузкой на транзисторе VT6 усиливает сигнал по напряжению, обеспечивая максимальный размах выходного напряжения.

Рис.1 (нажмите для увеличения)

Квазикомплементарный выходной каскад, выполненный на составных транзисторах (VT9, VT11 и VT10, VT12), хорошо согласовывается с низкоомной нагрузкой. Корректирующая цепь, состоящая из параллельно соединенных диода VD2, резистора R28 и конденсатора С10, улучшает симметрию плеч усилителя, уменьшая тем самым нелинейные искажения. Начальное смещение на базах выходных транзисторов для работы в режиме АВ определяется падением напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT5 и регулируется резистором R16. Транзисторы VT7 и VT8 шунтируют при перегрузке эмиттерный переход выходных транзисторов, осуществляя тем самым их защиту. Элементы С3, R5, С4, R31, С12 предотвращают самовозбуждение усилителя на высоких частотах. Цепь R7, С6 служит для выравнивания АЧХ усилителя на высоких частотах звукового диапазона (до 20 кГц).

Конструктивно усилитель собран на печатной плате. Температурная стабилизация тока покоя выходных транзисторов осуществляется с помощью транзистора VT5, установленного на общем с VT12 или VT11 радиаторе; в непосредственной близости от них. Для питания усилителя необходим двухполярный источник, обеспечивающий при напряжении ±40 В ток не менее 2,5 А.

Налаживание усилителя, собранного из исправных элементов, заключается в проверке правильности монтажа и установке тока покоя выходных транзисторов резистором R16 в пределах 20... 40 мА.

Литература

1. Д.И.Атаев, В.А.Болотников. Практические схемы высококачественного звуковоспроизведения. М. Радио и связь. 1986г.

Публикация: Н. Большаков, rf.atnn.ru

Смотрите другие статьи раздела Усилители мощности транзисторные.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Эффективный инфракрасный светодиодный кристалл от Osram 25.12.2012 Прототип инфракрасного светодиодного кристалла достиг нового рекордного показателя эффективности в 72%. В лабораторных условиях при рассеиваемой мощности в 930 мВт и рабочем токе в 1 А его светоотдача оказалась на 25% выше, чем у кристаллов, доступных в настоящее время на рынке. Это означает, что в перспективе инфракрасные светодиоды могут достичь еще более высокой энергоэффективности. Измерение эффективности было выполнено при комнатной температуре и постоянном токе в 1 А. Этот кристалл с длиной волны излучения в 850 нм, предназначен, в первую очередь, для систем инфракрасной подсветки. Новый инфракрасный светодиодный кристалл площадью 1 мм2 имеет впечатляющую эффективность в 72% и высокую квантовую эффективность, которая сохраняется на уровне около 65% при токах до 1 А. Результаты, полученные в исследовательской лаборатории в Регенсбурге, обозначили новую веху развития технологии ИК-кристаллов. Прототип инфракрасного кристалла площадью 1 мм2, изготовленный по тонкопленочной технологии, достиг эффективности в 72% при рабочем токе в 100 мА. Эта эффективность, известная как излучательная (или "розеточная") эффективность (wall plug efficiency - WPE), показывает отношение излучаемой мощности к входной электрической мощности. Внешняя квантовая эффективность (external quantum efficiency - EQE) инфракрасного кристалла, другими словами, вероятность создания фотона и его эмиссии из светодиодного кристалла на один электрон, достигает 7% и остается выше 64% при рабочих токах до 1 А. Длина волны излучения прототипа кристалла в 850 нм идеальна для инфракрасной подсветки, в частности, для систем слежения и применения в камерах охранного видеонаблюдения. Имеется также возможность применения этих кристаллов в системах безопасности автомобилей, например, в датчиках предаварийного состояния, а также в качестве источников света для систем ночного видения. "Метод, который был использован для увеличения эффективности и яркости этих кристаллов, может быть перенесен с длины волны в 850 нм на другие длины волн, - отметил Маркус Брёль (Markus Broll), менеджер проекта по разработкам в области ИК-кристаллов в компании Osram Opto Semiconductors в Регенсбурге. - Это означает, что в будущем станет возможным создавать высокоэффективные решения для систем инфракрасного освещения". В многокристальных приложениях потребуется меньшее число компонентов, что обеспечит экономию средств и энергии.

Другие интересные новости:

▪ 32-разрядный процессор ARM Cortex-M7 для высокопроизводительных микроконтроллеров

▪ Иллюзия плаща-невидимки

▪ Древние люди травились тяжелыми металлами

▪ Первыми на Марс должны полететь только женщины

▪ Беспилотники Google спасут животных от вымирания

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Антенны. Подборка статей

▪ статья Пластиковые лыжи. История изобретения и производства

▪ статья Какой представляли систему кровообращения до XVII века? Подробный ответ

▪ статья Актинидия коломикта. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Акустическое реле. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Электронные трансформаторы для галогенных ламп на 12 В. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026