Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Мощный полевой транзистор КП784А. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Кремниевые р-канальные транзисторы КП784А с изолированным затвором и обогащением канала, со встроенным защитным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в узлах питания компьютеров, в устройствах привода электродвигателей и другой аппаратуре широкого применения.

Транзисторы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28-2 (ТО-220АВ) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1).

Мощный полевой транзистор КП784А

Масса прибора - не более 2,5 г.

Зарубежный аналог транзистора КП784А - IRF9Z34.

Основные технические характеристики

  • Пороговое напряжение, В, при токе стока 0,25 мА и соединенных затворе и истоке.....2...4
  • Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и скважности не менее 50, при токе стока 11 А и напряжении затвор-исток 10 В.....0,14
  • Остаточный ток стока, мкА, не более, при напряжении сток-исток 60 В и нулевом напряжении затвор-сток.....100
  • Ток утечки затвора, мкА, не более, при напряжении затвор-исток ±20 В и нулевом напряжении сток-исток.....±0,1
  • Крутизна вольтамперной характеристики, А/В, не менее, при длительности импульсов не болев 300 мс и скважности не менее 50, при напряжении сток-исток 25 В и токе стока 11 А.....5,9
  • Постоянное прямое напряжение защитного диода, В, не более, при длительности импульсов менее 300 мс и скважности более 50, при нулевом напряжении затвор-исток и токе стока 18А.....6,3
  • Максимальная рабочая частота, МГц.....1
  • Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт, не более.....1,7
  • Время задержки включения, не, не более, при напряжении сток-исток 30 В, токе стока 18 А и выходном сопротивлении источника сигнала 12 Ом.....40
  • типовое значение.....20
  • Емкость транзистора, пФ, не более, при напряжении сток-исток 25 В, нулевом напряжении затвор-исток и частоте 1 МГц, входная.....1540
  • выходная.....660
  • проходная.....140
  • Время нарастания тока стока, не, не болев, при напряжении сток-исток 30 В, токе стока 18 А и выходном сопротивлении источника сигнала 12 Ом.....240
  • типовое значение.....120
  • Время спада тока стока, не, не более, при напряжении сток-исток 30 В, токе стока 18 А и выходном сопротивлении источника сигнала 12 Ом.....116
  • типовое значение.....58

* При температуре корпуса 25 °С.

Предельно допустимые значения

  • Наибольшее напряжение сток-исток, В.....60
  • Наибольшее напряжение за­твор-исток, В.....+20
  • Наибольший постоянный ток* стока, А.....18
  • Наибольший импульсный ток* стока, А.....72
  • Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность, Вт, при температуре корпуса 25 °С**.....88
  • Наибольшая температура перехода, °С.....175
  • Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С.....-55...+150

* При условии непревышения наибольших значений рассеиваемой мощности и температуры перехода.

** В интервале температуры корпуса Ткорп +25...+150 °С максимальную мощность необходимо уменьшать в соответствии с формулой

Рmax =(Tnepmax -Ткорп)/Rт.н-к где Tnepmax наибольшая допустимая температура перехода; Rт.н-к - тепловое сопротивление переход-корпус.

Допустимое значение статического потенциала - 200 В (III степень жесткости по ОСТ 11073.062). Режим эксплуатации и условия монтажа транзисторов в аппаратуру должны соответствовать ОСТ 11336.907.0 (см. статью В. Киселева "Полевые транзисторы серии КП737" в "Радио", 2002, № 5, с. 47, 48). Допускается не более трех перепаек выводов транзистора при проведении монтажно-сборочных операций.

Основные типовые графические зависимости параметров транзистора КП784А представлены на рис. 2-5.

Мощный полевой транзистор КП784А

На рис. 2,а и б изображены зависимости тока стока Iс от напряжения сток-исток Uси при двух значениях температуры корпуса Ткорп - 25±10 и 150 °С, а на рис. 3 - от напряжения затвор-исток Uзи.

Мощный полевой транзистор КП784А

Изменение сопротивления канала RK открытого транзистора в рабочем интервале температуры перехода иллюстрирует рис. 4 (RK - текущее значение сопротивления канала; Rк25 - сопротивление канала при Тпер = 25 °С).

Мощный полевой транзистор КП784А

Зависимость входной, выходной и проходной емкости от напряжения сток-исток показана на рис. 5.

Мощный полевой транзистор КП784А

Автор: В.Кисилей, г.Минск, Беларусь

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Токсичность интернета преувеличена 07.01.2026

Социальные сети нередко воспринимаются как арена постоянной агрессии, оскорблений и распространения фейковой информации. Новое исследование Стэнфордского университета показывает, что реальность значительно отличается от популярного представления: интернет гораздо менее токсичен, чем многие пользователи считают. Ученые опросили более тысячи американцев, попросив их оценить долю пользователей соцсетей, которые ведут себя агрессивно или распространяют ненависть. Оказалось, что впечатления людей сильно преувеличивают масштабы проблемы. Например, респонденты считали, что почти половина пользователей Reddit хотя бы раз оставляла оскорбительные комментарии, тогда как фактические данные платформы показывают, что таких людей не более 3%. Аналогичная ситуация наблюдается с дезинформацией. Опрос показал, что большинство участников считали почти половину аудитории Facebook распространителями фейковых новостей, однако статистика говорит об обратном: фактическая доля таких пользователей состав ...>>

Процессоры Ryzen AI 400 07.01.2026

Современные вычисления все больше ориентируются на интеграцию искусственного интеллекта и высокую производительность в компактных устройствах, таких как ноутбуки и мини-ПК. Новая линейка процессоров AMD Ryzen AI 400 демонстрирует, как разработчики объединяют мощные центральные ядра, графику и нейросетевые ускорители в одном чипе, чтобы удовлетворять растущие потребности пользователей в играх, контенте и ИИ-приложениях. AMD представила процессоры серии Gorgon Point, которые включают до 12 ядер Zen 5 и до 24 потоков вычислений. Чипы поддерживают интегрированную графику RDNA 3.5, обеспечивают максимальную тактовую частоту до 5,2 ГГц и имеют энергопотребление от 15 Вт до 54 Вт. Особое внимание уделено NPU, способному обрабатывать до 60 триллионов операций в секунду (TOPS), что делает эти процессоры эффективными для задач с искусственным интеллектом. Конструкция Ryzen AI 400 сочетает ядра Zen 5 и Zen 5c, обеспечивая высокую гибкость и производительность. Несмотря на то, что архитектур ...>>

Женщины лучше распознают признаки болезни по лицу 06.01.2026

Способность распознавать, что кто-то нездоров, часто проявляется интуитивно: бледная кожа, опущенные веки, уставшее выражение лица могут сигнализировать о недомогании. Новое исследование международной группы ученых показало, что женщины в среднем точнее мужчин улавливают такие тонкие невербальные признаки болезни, что может иметь эволюционные и социальные объяснения. В отличие от предыдущих работ, где использовались отредактированные фотографии или имитация больных лиц, ученые решили проверить, насколько люди способны распознавать естественные признаки недомогания. Такой подход позволил оценить реальную чувствительность к изменениям в лицах, возникающим при болезни. В исследовании приняли участие 280 студентов, поровну мужчин и женщин. Участникам предложили оценить 24 фотографии, на которых изображены люди как в здоровом состоянии, так и во время болезни. Это дало возможность сравнить восприятие естественных признаков недомогания в реальных лицах. Для анализа состояния каждого ...>>

Случайная новость из Архива

Русские покупают гаджетов больше, чем американцы и европейцы 31.01.2012

Из 10 стран, опрошенных Accenture, среднегодовые доходы в России оказались самыми низкими, а процент расходов на гаджеты при этом - одним из самых высоких. По данным исследования американской консалтинговой компании Accenture, в России покупатели тратят на потребительскую электронику в среднем 3,6% своего годового дохода. В США, например, этот показатель составляет 1,8%, в Германии и Франции - 2%.

Данные основываются на опросе 10 тыс. покупателей из 10 стран: Японии, России, США, Швеции, Германии, Франции, Индии, Южной Африки, Бразилии и Китая. При этом авторы подчеркивают, что исследование везде отражает среднюю ситуацию по стране, за исключением России, Китая, Индии и Южной Африки, где опрос проводился, главным образом, среди городского населения. Как показал опрос, тратить на гаджеты больший процент доходов характерно для всех развивающихся стран. Больше же всего это любят делать в Китае, где на электронику тратят в среднем 4,5% годового дохода.

Наименьший процент годового бюджета на гаджеты выделяют японцы - всего 1,3%. Стоит отметить, что при этом из всех опрошенных стран в России исследователи обнаружили самый маленький среднегодовой доход - $27,75 тыс. В пересчете на российскую валюту это означает зарплату примерно 69 тыс. руб. в месяц. В Японии, где на гаджеты тратят меньше всего, для сравнения, исследователи насчитали среднегодовой доход в 79 $тыс.

Что касается планов по приобретению новых гаджетов на ближайшие 12 месяцев, самой желанной покупкой в России, равно как и в других странах, является смартфон: его намереваются купить до 28% опрошенных. При этом аналитики отмечают, что Россия показала самый высокий уровень роста владения смартфонами среди других стран - число их владельцев за год выросло на 34%. Примечательно, что Россия и Бразилия на фоне других стран выделяются особой любовью к нетбукам: в России их планируют приобрести 22% опрошенных в возрасте 18-34 лет и 15% - в возрасте старше 35 лет. Для сравнения, в США этот показатель не превышает 10%, в Германии - 6%.

Что касается планшетных компьютеров, их покупка входит в планы 23% опрошенных в России потребителей 18-34 лет и 16% - старше 35 лет. Больше всего о "таблетках" мечтают в Бразилии - их планируют приобрести до 30% опрошенных, а менее всего - в Японии, где такая покупка запланирована не более чем у 4% респондентов. Стоит также отметить, что в России самый высокий процент опрошенных, использующих планшет главным образом для работы - 8%. Самый низкий процент таких пользователей - в Японии, всего 1%

Другие интересные новости:

▪ Трехкнопочная клавиатура

▪ Кожные бактерии на страже нашего здоровья

▪ Шпинат против терроризма

▪ Дневные раны заживают быстрее ночных

▪ Сверхминиатюрные катушки индуктивности без намотки

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Аудиотехника. Подборка статей

▪ статья Послушная пила. Советы домашнему мастеру

▪ статья Почему серые киты спариваются в группах по три особи? Подробный ответ

▪ статья Врач-невропатолог. Должностная инструкция

▪ статья Видимый ночью включатель. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Ветровая плотина. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026