Мощные кремниевые полевые транзисторы КП737А-КП737В с изолированным затвором, обогащенным n-каналом и встроенным обратно-смещенным защитным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для работы в бестрансформаторных источниках вторичного электропитания, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в устройствах управления электродвигателями и других узлах электронной аппаратуры широкого применения.

Транзисторы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28 (ТО-220) с жесткими штампованными лужеными выводами. Масса прибора - не более 2,5 г. По конструкции корпуса, схеме внутренних соединений и цоколевке аналогичны транзисторам серии КП727 (см. "Радио", 2002, № 1, с. 46 - 48).

Зарубежные функциональные аналоги: КП737А - IRF630, КП737Б - IRF634, КП737В - IRF635.

Основные характеристики при Токр ср =25°С

*Справочные параметры

Предельно допустимые значения

Условия монтажа транзисторов в аппаратуру должны соответствовать ОСТ 11336.907.0. Не разрешается использование транзисторов при предельных значениях двух и более совмещенных параметров. Для повышения надежности рекомендуется эксплуатировать приборы при значениях параметров, не превышающих 70 % от предельных.

При монтаже допускается одноразовое изгибание выводов не ближе 5 мм от края корпуса, радиус сгиба - не менее 1,5 мм. Линия сгиба должна лежать в плоскости выводов. Скручивать выводы нельзя. При изгибании необходимо принять меры, исключающие передачу усилия на корпус. -

Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выводов не должно быть менее 5 мм. Температура пайки - не более 265°С, время лужения - не более 2 с, время пайки - не более 4 с.

С целью уменьшения теплового сопротивления корпус-теплоотвод место их контакта рекомендуется покрывать теплопроводящими смазками или пастами, например, КПТ-8 по ГОСТ 19783. Если под транзистором должна находиться изоляционная прокладка, необходимо учитывать ее тепловое сопротивление.

Типовые графические зависимости параметров транзисторов КП737А - КП737В представлены на рис. 1 -7.

На рис. 1,а показаны зависимости тока стока от напряжения сток-исток при различных значениях напряжения между затвором и истоком и нормальной температуре корпуса, а на рис. 1,б - те же зависимости при температуре корпуса 1505 °С.

Типовая передаточная характеристика приборов при двух значениях температуры корпуса изображена на рис. 2.

Нормализованная температурная зависимость сопротивления открытого канала показана на рис. 3, а типовые зависимости входной, выходной и проходной емкости от напряжения сток-исток - на рис. 4. По мере разогревания корпуса транзистора максимальный ток стока необходимо уменьшать в соответствии с графиком на рис. 5.

Типовая зависимость заряда емкости затвора от напряжения затвор-исток представлена на рис. 6.

Возможности встроенного защитного диода иллюстрирует рис. 7, на котором Iс - ток через стоковый вывод транзистора, если диод открыт, а Uпр - прямое падение напряжения на диоде.

Автор: В.Киселев