Транзисторы серии КТ8156. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Мощные кремниевые составные n-p-n транзисторы КТ8156А и КТ8156Б с интегральными демпфирующим и база-эмиттерным ускоряющим диодами изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для работы в выходных ступенях горизонтальной развертки малогабаритных электронно-лучевых трубок и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Транзисторы оформлены в стандартном пластмассовом корпусе КТ-28 (ТО-220) с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 1). Масса прибора - не более 2,5 г.

Зарубежный аналог транзистора КТ8156А - BU807.

Принципиальная схема прибора изображена на рис. 2.

Основные характеристики

• Граничное напряжение колллектор-эмиттер, В, не менее (при токе коллектора 100 мА, нулевом токе базы, длительности импульсов не более 500 мкс и скважности не менее 100), для КТ8156А......150
• КТ8156Б......200
• Обратный ток коллектора, мА, не более (при напряжении коллектор-база 330 В и нулевом токе эмиттера), для КТ8156А......0.1
• КТ8156Б......1
• Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, не более (при напряжении коллектор-эмиттер 330 В и нулевом напряжении эмиттер-база), для КТ8156А......0,1
• КТ8156Б......1
• Обратный ток эмиттера, мА, не более (при напряжении эмиттер-база 6 В и нулевом токе коллектора)......3
• Статический коэффициент передачи тока, не менее (при напряжении коллектор-эмиттер 1,5 В и токе коллектора 5 А)......100
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, не более (при токе коллектора 5 А и токе базы 50 мА)......1.5
• Напряжение насыщения база-эмиттер, В, не более (при токе коллектора 5 А и токе базы 50 мА)......2,4
• Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт, не более......2,08
• Прямое напряжение демпфирующего диода. В, не более......2
• Рабочий температурный интервал,°С......-60...+100

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение коллектор-база, В......330
• Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер, для КТ8156А......150
• КТ8156Б......200
• Наибольшее напряжение эмиттер-база, В......6
• Наибольший постоянный ток коллектора. А......8
• Наибольший импульсный ток коллектора. А (при длительности импульсов не более 10 мс и скважности не менее 100)......15
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Вт (при установке на теплоотвод и температуре корпуса в пределах -60...+25°С).....60
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Вт (без теплоотвода при температуре окружающей среды в пределах-60...+25°С)......1,5
• Наибольшая температура перехода, °С......150

Не разрешается эксплуатация транзисторов при предельных знамениях двух параметров.

Допустимо одноразовое изгибание выводов прибора не ближе 5 мм от корпуса (в плоскости выводов изгибать их не рекомендуется). При этом необходимо принять меры, исключающие передачу усилия на корпус. Радиус изгиба - не менее 1,5 мм. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выводов не должно быть менее 5 мм.

С целью улучшения передачи тепла от транзистора теплоотводу рекомендуется перед монтажом прибора покрыть его металлический фланец слоем теплопроводной смазки (например, КТП-8 по ГОСТ 19783). На рис. 3 показана зависимость статического коэффициента передачи тока базы транзистора от его тока коллектора, на рис. 4 - зависимость постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса, а на рис. 5 - типовая зависимость постоянного прямого напряжения на демпфирующем диоде (VD2 на рис. 2) от прямого тока через него.

(нажмите для увеличения)

Типовая зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от постоянного тока базы представлена на рис. 6, а от тока коллектора - на рис. 7. Типовая зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от постоянного тока коллектора изображена на рис. 8.

Автор: В.Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Самоконтроль усыпляет память 21.09.2015 Даже когда мы занимаемся абсолютно привычным делом, наш мозг сохраняет способность среагировать на нештатную ситуацию. Например, если на дороге перед домом появится яма, вряд ли мы в нее свалимся - для этого нужно очень сильно замечтаться. Такая способность контролировать собственные действия особенно сильно проявляется в ситуациях, в которых возможны какие-то неожиданности и которые требуют повышенного внимания: например, водитель, соблюдающий все правила дорожного движения, все равно должен быть готов среагировать, если что-то вдруг пойдет не так. Но за самоконтроль приходится платить - он, как оказалось, подавляет внимание и память. Психологи из Университета Дьюка поставили опыт в двух частях: сначала добровольцев просили просмотреть 120 фотографий людей, причем при появлении мужского лица нужно было нажимать на специальную кнопку (другая группа участников эксперимента нажимала на кнопку при появлении женского фото); а потом, через несколько минут выполнения такого задания, им внезапно предлагали тест на память - теперь требовалось вспомнить, какие лица они видели в предыдущей серии, а какие нет. Разумеется, оказалось, что запомнились не все лица, однако при этом обнаружилась любопытная закономерность: хуже в памяти откладывались те фотографии, на которых не нужно было нажимать на кнопку. То есть прерывание действия ввиду условного запрета как будто влияло на память и внимание. С использованием магнитно-резонансной томографии гипотезу удалось подтвердить. На тех фото, которые по условию пропускали мимо, в мозге включалась особая ингибирующая система, подавляющая ответную реакцию, и действие которой распространялось на участок коры, участвующий в запоминании. Аналогичным образом водитель, вынужденный внезапно маневрировать на дороге, чтобы избежать столкновения с другой машиной, не запомнит ни ее марку, ни цвет - у подобной невнимательности есть вполне определенный нейрофизиологический механизм. Авторы работы полагают, что в некоторых психоневрологических расстройствах, вроде синдрома дефицита внимания, неполадки в работе мозга могут быть связаны именно с тем, что подавляющие, прерывающие действие нейронные структуры становятся слишком активными. Если попытаться на них подействовать, то, возможно человек перестанет дергаться по пустякам и сможет, наконец, управлять собственным вниманием.

Другие интересные новости:

▪ Молекула-транзистор

▪ Туннель затыкается огромной пробкой

▪ Прибор против кессонной болезни

▪ Переработка биопластика в биорастворитель

▪ Наушники-алкотестер

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Афоризмы знаменитых людей. Подборка статей

▪ статья Чарльз Роберт Дарвин. Знаменитые афоризмы

▪ статья Как Гильотен был связан с гильотиной? Подробный ответ

▪ статья Дежурный за стойкой. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Детектор лжи. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Хранение и монтаж микросхем КМОП. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026