Транзисторы серии КТ8156. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Мощные кремниевые составные n-p-n транзисторы КТ8156А и КТ8156Б с интегральными демпфирующим и база-эмиттерным ускоряющим диодами изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для работы в выходных ступенях горизонтальной развертки малогабаритных электронно-лучевых трубок и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Транзисторы оформлены в стандартном пластмассовом корпусе КТ-28 (ТО-220) с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 1). Масса прибора - не более 2,5 г.

Зарубежный аналог транзистора КТ8156А - BU807.

Принципиальная схема прибора изображена на рис. 2.

Основные характеристики

• Граничное напряжение колллектор-эмиттер, В, не менее (при токе коллектора 100 мА, нулевом токе базы, длительности импульсов не более 500 мкс и скважности не менее 100), для КТ8156А......150
• КТ8156Б......200
• Обратный ток коллектора, мА, не более (при напряжении коллектор-база 330 В и нулевом токе эмиттера), для КТ8156А......0.1
• КТ8156Б......1
• Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, не более (при напряжении коллектор-эмиттер 330 В и нулевом напряжении эмиттер-база), для КТ8156А......0,1
• КТ8156Б......1
• Обратный ток эмиттера, мА, не более (при напряжении эмиттер-база 6 В и нулевом токе коллектора)......3
• Статический коэффициент передачи тока, не менее (при напряжении коллектор-эмиттер 1,5 В и токе коллектора 5 А)......100
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, не более (при токе коллектора 5 А и токе базы 50 мА)......1.5
• Напряжение насыщения база-эмиттер, В, не более (при токе коллектора 5 А и токе базы 50 мА)......2,4
• Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт, не более......2,08
• Прямое напряжение демпфирующего диода. В, не более......2
• Рабочий температурный интервал,°С......-60...+100

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение коллектор-база, В......330
• Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер, для КТ8156А......150
• КТ8156Б......200
• Наибольшее напряжение эмиттер-база, В......6
• Наибольший постоянный ток коллектора. А......8
• Наибольший импульсный ток коллектора. А (при длительности импульсов не более 10 мс и скважности не менее 100)......15
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Вт (при установке на теплоотвод и температуре корпуса в пределах -60...+25°С).....60
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Вт (без теплоотвода при температуре окружающей среды в пределах-60...+25°С)......1,5
• Наибольшая температура перехода, °С......150

Не разрешается эксплуатация транзисторов при предельных знамениях двух параметров.

Допустимо одноразовое изгибание выводов прибора не ближе 5 мм от корпуса (в плоскости выводов изгибать их не рекомендуется). При этом необходимо принять меры, исключающие передачу усилия на корпус. Радиус изгиба - не менее 1,5 мм. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выводов не должно быть менее 5 мм.

С целью улучшения передачи тепла от транзистора теплоотводу рекомендуется перед монтажом прибора покрыть его металлический фланец слоем теплопроводной смазки (например, КТП-8 по ГОСТ 19783). На рис. 3 показана зависимость статического коэффициента передачи тока базы транзистора от его тока коллектора, на рис. 4 - зависимость постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса, а на рис. 5 - типовая зависимость постоянного прямого напряжения на демпфирующем диоде (VD2 на рис. 2) от прямого тока через него.

(нажмите для увеличения)

Типовая зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от постоянного тока базы представлена на рис. 6, а от тока коллектора - на рис. 7. Типовая зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от постоянного тока коллектора изображена на рис. 8.

Автор: В.Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива Безкремниевый компьютер толщиной в один атом 23.10.2025 Ограничения кремния, который десятилетиями был основой микросхем, побуждают ученых искать альтернативные материалы, способные сделать компьютеры еще меньше, быстрее и энергоэффективнее. Университет Пенсильвании (Penn State) сообщил о создании первого работающего компьютера, полностью обходящегося без кремния, использующего так называемые двумерные материалы толщиной всего один атом. Кремний на протяжении десятилетий оставался стандартом для производства микросхем, от смартфонов и ноутбуков до автомобилей и бытовой техники. Однако по мере уменьшения размеров транзисторов кремний начинает терять свои электрические свойства, что ограничивает дальнейшее развитие миниатюрной электроники. Команда профессора Саптарши Даса предложила решение этой проблемы, создав рабочий компьютер на основе двух 2D-материалов: молибден (IV) сульфида (MoS2) использовался для n-типа транзисторов, а вольфрам (IV) селенида (WSe2) - для p-типа. Эти транзисторы выполняют те же функции, что и в традиционных кремниевых микросхемах, управляя потоком электрического тока, при этом компьютер построен по привычной CMOS-схеме (комплементарная металлооксидная полупроводниковая технология), но без кремния. "Кремний позволял микросхемам становиться меньше и мощнее на протяжении десятилетий. Но при дальнейшем уменьшении элементов его эффективность падает. Двумерные материалы лишены этого ограничения", - объяснил профессор Дас, подчеркивая уникальные свойства новых веществ. Чтобы создать рабочие транзисторы, исследователи изготовили более 1000 элементов каждого типа, вырастив большие листы материалов с помощью технологии MOCVD, при которой пары веществ оседают на поверхности и формируют тончайшие слои. Такой подход позволяет производить качественные и стабильные транзисторы, пригодные для построения полноценного устройства. Первый автор работы, аспирант Penn State Субир Гош, отметил, что компьютер на 2D-материалах работает на низком напряжении, потребляет крайне мало энергии и способен выполнять простые логические операции с частотой до 25 килогерц. Это демонстрирует перспективность технологии для создания миниатюрных и энергоэффективных устройств будущего. Открытие команды Penn State может изменить подход к проектированию электроники. Использование материалов толщиной в один атом открывает путь к компьютерам, которые будут не только меньше и легче, но и смогут работать при минимальном энергопотреблении, что особенно важно для портативной электроники и носимых устройств.

Другие интересные новости:

▪ Однокристальный контроллер SM2320 для портативных внешних SSD

▪ Смартфон HTC One max

▪ Летающий робот размером с насекомое

▪ Кремниевые волокна в 15 раз прочнее стали

▪ Американские ученые разработали новый фильтр

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Светодиоды. Подборка статей

▪ статья Труженики моря. Крылатое выражение

▪ статья Как производится искусственный каучук? Подробный ответ

▪ статья Экономист по сбыту. Должностная инструкция

▪ статья Советы для пайки. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Стабилизатор тока от 0 до 150 А. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026