Тиристорные переключатели серий КР1125КП2 и КР1125КПЗ. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Микросхемы КР1125КПЗА - КР1125КПЗВ представляют собой комплементарные пары транзисторных аналогов динисторов, оформленные в одном корпусе. Они предназначены для работы в аппаратуре фазового регулирования мощности переменного тока и других импульсных устройствах (узлах зажигания мощных газоразрядных ламп, автогенераторах пилообразных импульсов и т. п.). Зарубежный аналог - BR100/03.

Приборы изготовлены на кристалле размерами 1,2x1,2 мм по планарно-диффузионной технологии с изоляцией р-n переходом. Корпус - пластмассовый, КТ-26 (рис. 1); масса - не более 0,3 г. Предусмотрен также конструктивный вариант бескорпусного исполнения переключателя.

Схема переключателя и его цоколевка представлены на рис. 2.

Прибор представляет собой два идентичных транзисторных аналога динистора, включенных встречно-последовательно и смонтированных в общем корпусе. Цепи стабилитронов VD1-VD3 и VD5- VD7 задают напряжение открывания динисторов. Так, в переключателе КР1125КПЗА в этих цепях включено по одному стабилитрону, в КР1125КПЗБ - по два, в КР1125КПЗВ - по три.

Вольт-амперная характеристика прибора показана на рис. 3. Легко видеть, что она симметрична относительно нуля координат. Цепи VD4R3 и VD8R7 обеспечивают протекание анодного тока через прибор в обход соответствующего аналога динистора при обратном напряжении на нем. Резисторы R3, R4 и R7, R8 позволяют использовать аналог динистора без дополнительного токоограничительного резистора.

Основные технические характеристики*

• Напряжение переключения (открывания), В, при значениях температуры -60, 25 и 85°С для КР1125КПЗА......8,5±1
• КР1125КПЗБ......15±1
• КР1125КПЗВ......21 ±2
• Температурный коэффициент напряжения переключения, мВ/°С, не более......2
• Постоянное напряжение на открытом динисторе, В, при прямом токе 50 мА и температуре 25°С .....1,2...3,5**
• Несимметрия плеч по напряжению переключения, В, не более, при температуре 25°С......1
• Ток переключения, мА, не более, при значениях температуры 25 и 85°С......0,15
• Ток удержания динистора в открытом состоянии, мА, не более, при температуре -10...+85°С......1
• Время включения, не, не более, при сопротивлении токоограничивающего резистора 1 кОм и температуре 25°С......80

Предельные эксплуатационные значения

• Скорость нарастания напряжения на закрытом динисторе, В/мкс, не более, при температуре -60...+85°С ... .0,1
• Повторяющийся импульсный ток открытого динистора, А, при частоте следования импульсов не более 50 Гц, емкости накопительного конденсатора в анодной цепи не более 1 мкФ, сопротивлении измерительного резистора 1 Ом и температуре -60...+85°С......0,6...3
• Наибольшая рассеиваемая мощность открытого динистора, Вт, при температуре -60...+50°С......250
• +85°С......20
• Наибольшее допустимое статическое напряжение, кВ......2
• Рабочий температурный интервал, °С......-60...+85

Оба динистора прибора могут быть использованы как в паре, так и независимо один от другого. При этом значение повторяющегося импульсного тока открытого динистора необходимо уменьшить до 0,25...1,2 А, а напряжение переключения уменьшается для КР1125КПЗА до 7...9 В, для КР1125КПЗБ - до 13,5...15,5 В и для КР1125КПЗВ - до 18,5...22,5 В. Обратное напряжение каждого из динисторов равно 1,5 В при обратном токе 10 мА.

Динисторные переключатели серии КР1125КПЗ способны работать формирователями импульсов при условии соблюдения указанных условий эксплуатации. Частоту следования импульсов определяет допустимая скорость нарастания анодного напряжения.

При эксплуатации микросхемы в температурном интервале -60...+60°С допускается увеличить скорость нарастания напряжения на закрытом динисторе до 1 В/мкс.

Микросхемы пригодны для монтажа на печатной плате методом групповой пайки. При ручном монтаже температура паяльника не должна превышать 265°С, а время пайки - 4 с. Допускаемое число перепаек - 2. Место пайки не должно быть ближе 3 мм от кромки корпуса. Выводы можно изгибать один раз под угол до 90 град, с радиусом изгиба не менее 2,2 мм. Место изгиба не должно находиться ближе трех миллиметров от корпуса; усилие изгибания не должно передаваться на корпус.

На рис. 4, 5 и 6 изображены типовые температурные зависимости тока удержания динистора в открытом состоянии, тока переключения и отношения тока удержания к току переключения соответственно.

Схема фазового регулятора мощности с микросхемой из серии КР1125КПЗ в узле управления тринистором показана на рис. 7.

В устройстве использовано только одно плечо динисторного переключателя VS2. Конденсатор С1 - накопительный, резистор R3 - орган регулирования мощности. Резистор R2 ограничивает ток через цепь управления в верхнем по схеме положении движка резистора R3; резистор R1 - режимный, предназначен для обеспечения четкой работы тринистора VS1 при повышенной температуре его корпуса. Динисторный переключатель VS2 играет роль спускового элемента. Диод VD1 обеспечивает пределы регулирования мощности от 50 до 100%.

На рис. 8 представлена схема подобного регулятора мощности, собранного на симисторе VS1. Здесь динисторный пепреключатель VS2 формирует двуполярные управляющие импульсы - использованы оба плеча переключателя.

Микросхема КР1125КП2 отличается от КР1125КПЗ в основном тем, что представляет собой не двуплечий, а одноплечий переключатель. Корпус - тот же, но цоколевка отлична (рис. 9); масса - не более 0,3 г. Зарубежный аналог - 4Е20-28.

Поскольку в переключателе КР1125КП2 только один аналог динистора, его вольт-амперная характеристика несимметрична (рис. 10).

Основные технические характеристики

• Напряжение переключения (открывания), В, при значениях температуры -60, 25 и 85°С......21 ±3
• Температурный коэффициент напряжения переключения, мВ/°С, не более......2
• Постоянное напряжение на открытом динисторе, В, при прямом токе 50 мА и температуре 25°С......1,2...3,5*
• Ток переключения, мА, не более,при температуре 25 и 85°С......0,13
• Ток удержания динистора в открытом состоянии, мА, не более, при температуре 25°С......3
• 85°С......0,5
• Время включения, не, не более, при сопротивлении токоограничивающего резистора 1 кОм и температуре 25°С......80

* Без учета внутреннего сопротивления - не более 1 В.

Предельные эксплуатационные значения

• Скорость нарастания напряжения на закрытом динисторе, В/мкс, не более, при температуре -60...+85°С ... .0,1
• Повторяющийся импульсный ток открытого динистора, А, при частоте следования импульсов не более 50 Гц, емкости накопительного конденсатора 1 мкФ, сопротивлении измерительного резистора 1 Ом и температуре -60...+85°С.....0,25.-1,2
• Наибольшая рассеиваемая мощность открытого динистора, Вт, при температуре -60...+50°С......250
• +85°С......20
• Рабочий температурный интервал,°С......-60...+85

На рис. 11 представлена типовая температурная зависимость тока переключения динистора, а на рис. 12 - отношения его тока удержания к току переключения.

Типовая схема включения микросхемы КР1125КП2 в тринисторный регулятор мощности аналогична показанной на рис. 7. На рис. 13 изображена схема импульсного устройства зажигания высокоинтенсивных газоразрядных уличных источников света.

Здесь L1 и Т1 - стандартные балластный дроссель и импульсный трансформатор.

Автор: А.Нефедов, г.Москва

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Коммутаторы PCI Express 5.0 11.02.2021 Компания Microchip подготовила к выпуску первые в мире коммутаторы PCI Express (PCIe) 5.0 - семейство Switchtec PFX PCIe 5.0. Устройства нового поколения удваивают производительность межсоединений для вычислений высокой интенсивности, сетевого оборудования и хранилищ NVM Express (NVMe). Новинки совместимы с восстановителями синхронизации XpressConnect, которые также поддерживают PCIe Gen 5. Коммутаторы семейства Switchtec PFX PCIe 5.0 могут насчитывать от 28 до 100 линий и до 48 мостов NTB. Устройства поддерживают возможность горячего и неожиданного подключения и безопасной аутентификации при загрузке. Также они обладают набором инструментов для отладки и диагностики. Компания Microchip дополнительно выпустила полный набор инструментов, необходимых для разработки конечных решений на базе новых продуктов. К таким инструментам относятся документация для проектирования, примеры референсного дизайна, ознакомительные платы и другие средства.

Другие интересные новости:

▪ Туризм - основная причина возможной экологической катастрофы

▪ Стук клавиш как личная метка

▪ 2,5-дюймовые накопители Transcend SSD250N для сетевых хранилищ

▪ Гаджет продления жизни обычной батарейки

▪ Бумага, сохраняющая энергию электричества

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Палиндромы. Подборка статей

▪ статья В борьбе обретешь ты право свое. Крылатое выражение

▪ статья Как появились вилки? Подробный ответ

▪ статья Обвальщик мяса. Должностная инструкция

▪ статья Проверка жидкокристаллического индикатора. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Печатная плата для кабеля Nokia 32xx/51xx/61xx (M2Bus/max232). Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026