К1464СА1 - два компаратора напряжения с выходом Открытый коллектор. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

В корпусе этой микросхемы - два независимых (связанных только цепями питания) компаратора. Каждый из них способен работать в широком интервале значений входного напряжения, питается как от однополярного, так и от двуполярного источника, имеет выход с открытым коллектором. Во входных ступенях компараторов работают p-n-р транзисторы, поэтому входной ток - вытекающий. Входной ток практически не зависит от состояния выхода и сопротивления нагрузки.

К достоинствам компараторов следует также отнести сравнительно низкий потребляемый ток и способность сравнивать входные сигналы, по напряжению близкие к нулевому уровню. Микросхема может быть использована в генераторах импульсов, аналого-цифровых преобразователях, высоковольтных логических элементах, детекторах импульсов и др. узлах. По уровням выходного напряжения компараторы совместимы с элементами ТТЛ, ДТЛ, ЭСЛ и КМОП.

Приборы оформлены в пластмассовом восьмивыводном корпусе двух типов: 2101.8-1 (DIP-8) - K1464CA1R для традиционного монтажа и 430310.8-А (SO-8) - К1464СА1Т, для поверхностного. Чертежи корпусов представлены на рис. 1,а и б. По электрическим характеристикам обе микросхемы идентичны. Зарубежный аналог микросхемы К1464СА1 - LM393 (фирмы National Semiconductor Corporation).

Цоколевка микросхемы показана на рис. 2

Основные электрические характеристики

Входное напряжение смещения, мВ, не более, при напряжении питания 5 В и температуре*

• +25 °С......7
• -40...+85°С......9

Входной ток, нА, не более, при напряжении питания 5 В и температуре

• +25 °С......250
• -40...+85°С......400

Разность значений тока входов, нА, не более, при напряжении питания 5 В и температуре

• +25 °С......50
• -40...+85°С......150

Пределы входного синфазного напряжения, В, при напряжении питания 30 В и температуре

• +25 °С......0...(Unt1T-1,5B)
• -40...+85°С......0...(ипит-2В)

Потребляемый ток, мА, не более, при неподключенном выходе, температуре +25 °С и напряжении питания

• 5В......1
• 36 В......2,5

• Выходной ток (втекающий), мА, не менее, при напряжении на инвертирующем входе 1 В, нулевом напряжении на неинвертирующем входе, выходном напряжении не более 1,5 В, напряжении питания 5 В и температуре + 25 °С......6
• Напряжение насыщения, мВ, не более, при напряжении на инвертирующем входе 1 В, нулевом напряжении на неинвертирующем входе, выходном токе не более 4 мА, напряжении питания 5 В и температуре 25 °С......700
• Выходной ток утечки, мкА, не более, при напряжении на неинвертирующем входе 1 В, нулевом напряжении на инвертирующем входе, выходном напряжении 30 В и температуре 25 °С......1
• Напряжение питания, В, однополярное......2...36
• двуполярное......2x1...2x18
• Дифференциальное входное напряжение, В......0...36

* Везде температура окружающей среды.

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение питания, В......40
• Наибольшее входное дифференциальное напряжение, В......40
• Наибольший входной ток, мА, при входном напряжении, меньшем -0,3 В......50*
• Наибольшая температура кристалла, °С......+170
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-40...+85
• Наибольшая температура хранения, ° С......150

* Поскольку входные транзисторы имеют структуру p-n-p, при однополярном питании их коллекторы оказываются соединенными с общим проводом. При подаче на вход минусового напряжения (в_ номинальном режиме оно не должно быть менее нуля) через коллекторный переход входных транзисторов протекает прямой ток - втекающий, в отличие от вытекающего, в нормальном режиме. Указанное значение - предел, на котором входной ток должен быть ограничен в тех случаях, когда описанный режим компаратора возможен.

Типовая схема инвертирующего компаратора с "гистерезисом" напряжения показана на рис. 3. Значения нижнего и верхнего входного порогового напряжения Uпор.н и Uпор.в определено следующими соотношениями:

При условии R1=R2=R3

Значения напряжения на выходе компаратора: U°=Uнас; U1=Uпит - Iут·R4. Напряжение насыщения Uнас зависит от тока нагрузки:

(Iут - выходной ток утечки; ток через резистор R3 при больших значениях сопротивления резисторов R1-R3 можно не учитывать ввиду его малости).

На рис. 4 представлена типовая схема неинвертирующего компаратора с гистерезисом напряжения. Для него

Передаточные характеристики описанных выше инвертирующего и неинвертирующего компараторов напряжения изображены на рис. 5,а и б соответственно.

Следует отметить, что для обеспечения стабильных пороговых значений напряжения питать компаратор, как инвертирующий, так и неинвертирующий, и особенно формирователь образцового напряжения (на рис. 3 и 4 - резистивные делители R1R2) необходимо от стабилизированного источника.

Рассмотрим кратко несколько вариантов применения компаратора.

На рис. 6 изображена схема генератора прямоугольных импульсов. Он построен на базе инвертирующего компаратора напряжения с "гистерезисом" и имеет такие же пороги переключения. Элементы R4, VD2 образуют цепь зарядки конденсатора С1 и определяют длительность выходного импульса τи=R4·C1·ln2. Через элементы R3, VD1 конденсатор С1 разряжается, формируя паузу tn=R3·C1·ln2. Процессы, протекающие в цепях генератора, иллюстрирует рис. 7.

Благодаря тому что компараторы имеют выход с открытым коллектором, их можно соединять по схеме монтажного ИЛИ. Для этого достаточно объединить выходы компараторов (вывод 1 и 7) и через общий нагрузочный резистор сопротивлением 3 кОм соединить выход элемента с плюсовым проводом питания.

На рис. 8 показана схема детектора прохождения через "нуль". Основой узла служит инвертирующий компаратор напряжения с "гистерезисом". При указанных на схеме номиналах резисторов приведенные к входу пороговые уровни соответствуют: Uпор.н=-0,0023Uпит; Uпор.в=0,0027Uпит. На выходе детектор формирует короткий импульс при каждом прохождении входного напряжения через "нуль". Диод VD1 защищает компаратор от перегрузки входным током при минусовых полупериодах входного сигнала.

Авторы: М.Шаполвалова, А.Шестаков, Н.Минина, г.Брянск

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива Квантовый датчик для измерения интенсивности, поляризации и длины волны света 05.06.2022 Группа исследователей из Йельского университета и Техасского университета в Далласе создала крошечный квантовый оптический датчик, размер которого составляет приблизительно одну тысячную часть от сечения человеческого волоса. Но, несмотря на столь малые размеры, этот датчик обладает широчайшими возможностями, используя квантовые свойства электронов, он способен одновременно измерять интенсивность, поляризацию и длину волны света. Создание такого универсального сенсора позволит в будущем совершить значительные прорывы в областях астрономии, здравоохранения и дистанционного зондирования. За последние годы ученые выяснили, что скручивание или другой вид деформации определенных материалов в некоторых случаях позволяет придать этим материалам некоторые свойства, которыми они не обладают в нормальном виде. В данном случае ученые также использовали такой метод, применив его по отношению к двухслойному графену, который получил название TDBG (twisted double bilayer graphene). Скручивание графена нарушает симметрию его кристаллической решетки и наделяет графен совершенно новыми свойствами. Такое изменение свойств графена привело к тому, что в изогнутом графене начал сильно проявляться так называемый аномальный фотоэлектрический эффект (anomalous photovoltaic effect, APVE). Этот эффект заключается в преобразовании света в электрический ток, величина которого пропорционально зависит от интенсивности, поляризации и длины волны света. Более того, некоторые параметры этого эффекта могут быть "подстроены" при помощи напряжения, прикладываемого к графену. Далее ученые создали специализированную искусственную нейронную сеть, которая была обучена на данных, получаемых от графенового датчика, который облучался светом с различными параметрами. И после такого обучения нейронная сеть стала способна "расшифровывать" показания датчика, выдавая достоверные и точные результаты по каждому из упомянутых выше параметров света. Малые габариты нового интеллектуального датчика, который один может заменить достаточно сложные, громоздкие и дорогостоящие устройства, позволят создать в будущем совершенно новые типы астрономических инструментов, медицинского диагностического оборудования, систем видения для автономных транспортных средств и летательных аппаратов и т.п. Кроме этого, работа, проведенная учеными, открывает целую новую область, в которой "деформированные" материалы будут выступать в качестве нелинейных оптических компонентов.

Другие интересные новости:

▪ Интеллектуальный датчик STMicroelectronics на базе IO-Link-трансивера L6364W

▪ Пробиотик, способный уничтожить антибиотикорезистентные бактерии

▪ Смарт-проектор Partaker M3

▪ Трехмерный транзистор

▪ Видеокарта ASUS ROG Matrix GeForce RTX 2080 Ti

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Интересные факты. Подборка статей

▪ статья Пластиковый пакет. История изобретения и производства

▪ статья Кто построил первый маяк? Подробный ответ

▪ статья Помпельмус. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Мастика для ремонта резиновых изделий. Простые рецепты и советы

▪ статья Двойное предсказание. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026