К1464СА1 - два компаратора напряжения с выходом Открытый коллектор. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

В корпусе этой микросхемы - два независимых (связанных только цепями питания) компаратора. Каждый из них способен работать в широком интервале значений входного напряжения, питается как от однополярного, так и от двуполярного источника, имеет выход с открытым коллектором. Во входных ступенях компараторов работают p-n-р транзисторы, поэтому входной ток - вытекающий. Входной ток практически не зависит от состояния выхода и сопротивления нагрузки.

К достоинствам компараторов следует также отнести сравнительно низкий потребляемый ток и способность сравнивать входные сигналы, по напряжению близкие к нулевому уровню. Микросхема может быть использована в генераторах импульсов, аналого-цифровых преобразователях, высоковольтных логических элементах, детекторах импульсов и др. узлах. По уровням выходного напряжения компараторы совместимы с элементами ТТЛ, ДТЛ, ЭСЛ и КМОП.

Приборы оформлены в пластмассовом восьмивыводном корпусе двух типов: 2101.8-1 (DIP-8) - K1464CA1R для традиционного монтажа и 430310.8-А (SO-8) - К1464СА1Т, для поверхностного. Чертежи корпусов представлены на рис. 1,а и б. По электрическим характеристикам обе микросхемы идентичны. Зарубежный аналог микросхемы К1464СА1 - LM393 (фирмы National Semiconductor Corporation).

Цоколевка микросхемы показана на рис. 2

Основные электрические характеристики

Входное напряжение смещения, мВ, не более, при напряжении питания 5 В и температуре*

• +25 °С......7
• -40...+85°С......9

Входной ток, нА, не более, при напряжении питания 5 В и температуре

• +25 °С......250
• -40...+85°С......400

Разность значений тока входов, нА, не более, при напряжении питания 5 В и температуре

• +25 °С......50
• -40...+85°С......150

Пределы входного синфазного напряжения, В, при напряжении питания 30 В и температуре

• +25 °С......0...(Unt1T-1,5B)
• -40...+85°С......0...(ипит-2В)

Потребляемый ток, мА, не более, при неподключенном выходе, температуре +25 °С и напряжении питания

• 5В......1
• 36 В......2,5

• Выходной ток (втекающий), мА, не менее, при напряжении на инвертирующем входе 1 В, нулевом напряжении на неинвертирующем входе, выходном напряжении не более 1,5 В, напряжении питания 5 В и температуре + 25 °С......6
• Напряжение насыщения, мВ, не более, при напряжении на инвертирующем входе 1 В, нулевом напряжении на неинвертирующем входе, выходном токе не более 4 мА, напряжении питания 5 В и температуре 25 °С......700
• Выходной ток утечки, мкА, не более, при напряжении на неинвертирующем входе 1 В, нулевом напряжении на инвертирующем входе, выходном напряжении 30 В и температуре 25 °С......1
• Напряжение питания, В, однополярное......2...36
• двуполярное......2x1...2x18
• Дифференциальное входное напряжение, В......0...36

* Везде температура окружающей среды.

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение питания, В......40
• Наибольшее входное дифференциальное напряжение, В......40
• Наибольший входной ток, мА, при входном напряжении, меньшем -0,3 В......50*
• Наибольшая температура кристалла, °С......+170
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-40...+85
• Наибольшая температура хранения, ° С......150

* Поскольку входные транзисторы имеют структуру p-n-p, при однополярном питании их коллекторы оказываются соединенными с общим проводом. При подаче на вход минусового напряжения (в_ номинальном режиме оно не должно быть менее нуля) через коллекторный переход входных транзисторов протекает прямой ток - втекающий, в отличие от вытекающего, в нормальном режиме. Указанное значение - предел, на котором входной ток должен быть ограничен в тех случаях, когда описанный режим компаратора возможен.

Типовая схема инвертирующего компаратора с "гистерезисом" напряжения показана на рис. 3. Значения нижнего и верхнего входного порогового напряжения Uпор.н и Uпор.в определено следующими соотношениями:

При условии R1=R2=R3

Значения напряжения на выходе компаратора: U°=Uнас; U1=Uпит - Iут·R4. Напряжение насыщения Uнас зависит от тока нагрузки:

(Iут - выходной ток утечки; ток через резистор R3 при больших значениях сопротивления резисторов R1-R3 можно не учитывать ввиду его малости).

На рис. 4 представлена типовая схема неинвертирующего компаратора с гистерезисом напряжения. Для него

Передаточные характеристики описанных выше инвертирующего и неинвертирующего компараторов напряжения изображены на рис. 5,а и б соответственно.

Следует отметить, что для обеспечения стабильных пороговых значений напряжения питать компаратор, как инвертирующий, так и неинвертирующий, и особенно формирователь образцового напряжения (на рис. 3 и 4 - резистивные делители R1R2) необходимо от стабилизированного источника.

Рассмотрим кратко несколько вариантов применения компаратора.

На рис. 6 изображена схема генератора прямоугольных импульсов. Он построен на базе инвертирующего компаратора напряжения с "гистерезисом" и имеет такие же пороги переключения. Элементы R4, VD2 образуют цепь зарядки конденсатора С1 и определяют длительность выходного импульса τи=R4·C1·ln2. Через элементы R3, VD1 конденсатор С1 разряжается, формируя паузу tn=R3·C1·ln2. Процессы, протекающие в цепях генератора, иллюстрирует рис. 7.

Благодаря тому что компараторы имеют выход с открытым коллектором, их можно соединять по схеме монтажного ИЛИ. Для этого достаточно объединить выходы компараторов (вывод 1 и 7) и через общий нагрузочный резистор сопротивлением 3 кОм соединить выход элемента с плюсовым проводом питания.

На рис. 8 показана схема детектора прохождения через "нуль". Основой узла служит инвертирующий компаратор напряжения с "гистерезисом". При указанных на схеме номиналах резисторов приведенные к входу пороговые уровни соответствуют: Uпор.н=-0,0023Uпит; Uпор.в=0,0027Uпит. На выходе детектор формирует короткий импульс при каждом прохождении входного напряжения через "нуль". Диод VD1 защищает компаратор от перегрузки входным током при минусовых полупериодах входного сигнала.

Авторы: М.Шаполвалова, А.Шестаков, Н.Минина, г.Брянск

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Кислотность океана разрушает зубы акул 03.10.2025

Мировые океаны выполняют важнейшую функцию - они поглощают около трети углекислого газа, выбрасываемого в атмосферу. Это помогает замедлять темпы глобального потепления, но имеет и обратную сторону. Растворяясь в воде, CO2 образует угольную кислоту, которая повышает концентрацию водородных ионов и приводит к снижению pH. Вода становится более кислой, а последствия этого процесса уже заметны для морских экосистем. Средний показатель кислотности океана сейчас равен примерно 8,1, тогда как еще недавно за условную норму брали значение 8,2. По прогнозам, к 2300 году уровень может упасть до 7,3 - это сделает океан почти в десять раз кислее нынешнего состояния. Для обитателей морей подобные изменения означают не просто сдвиг химического равновесия, а реальную угрозу физиологическим процессам, начиная от формирования раковин у моллюсков и заканчивая охотничьим поведением акул. Чтобы выяснить, как именно кислотная среда отражается на зубах акул, группа немецких исследователей провела эксп ...>>

Почтовый космический корабль Arc 03.10.2025

Космические технологии становятся частью инфраструктуры, способной повлиять на логистику, медицину и даже военную сферу. Идея использовать орбиту как глобальный склад для срочных поставок звучала еще недавно как научная фантастика, но стартап Inversion пытается превратить ее в практическое решение. Компания Inversion появилась в начале 2021 года благодаря Джастину Фиаскетти и Остину Бриггсу, которые на тот момент были студентами Бостонского университета. Их замысел состоял в том, чтобы сделать возможной доставку грузов не только через спутниковые сети данных, но и в буквальном смысле - физических предметов. В основе лежит простая мысль: если космос обеспечивает доступ к любой точке Земли, то и грузы должны перемещаться тем же маршрутом. Уже за три года работы команда из 25 специалистов успела построить демонстрационный аппарат "Ray". Его запуск состоялся в рамках миссии SpaceX Transporter-12. Устройство весом 90 килограммов проверяло ключевые технологии Inversion, включая двухком ...>>

Лазерное обогащение урана 02.10.2025

Ядерная энергия остается одним из ключевых источников стабильного электричества, особенно для стран с растущими потребностями в энергоснабжении. Однако обеспечение бесперебойных поставок топлива для атомных станций требует современных технологий обогащения урана, которые одновременно эффективны и безопасны. Американская компания Global Laser Enrichment (GLE) делает значительный шаг в этом направлении, завершив масштабное тестирование лазерной технологии обогащения урана. Демонстрационная программа была проведена на объекте в Уилмингтоне, Северная Каролина. Тестирование технологии SILEX (Separation of Isotopes by Laser EXcitation), разработанной австралийской Silex Systems, стартовало в мае 2025 года и продлится до конца года. В ходе экспериментов компания планирует получить сотни фунтов низкообогащенного урана (LEU), который может быть использован в качестве топлива для атомных электростанций. GLE была создана в 2007 году для коммерциализации лазерных методов обогащения урана в С ...>>

Случайная новость из Архива USB 3.1 со скоростью до 10 Гбит/с 07.08.2013 Рабочая группа USB 3.0 Promoter Group завершила подготовку спецификации USB 3.1 для функционирования интерфейса SuperSpeed USB на скоростях до 10 Гбит/с. Интерфейс SuperSpeed USB 10Gbps обеспечивает более эффективное шифрование данных, а его производительность более чем в два раза превышает показатель имеющегося интерфейса SuperSpeed USB. При этом усовершенствованный интерфейс имеет обратно совместимые USB-разъемы и кабели. Полная совместимость обеспечивается существующими программно-реализованными стеками и протоколами класса устройств, а также уже существующими хабами на 5 Гбит/с и изделиями USB 2.0. По словам Брэда Саундерса (Brad Saunders), председателя группы USB 3.0 Promoter Group, спецификация USB 3.1, в первую очередь, расширяет возможности существующего протокола USB 3.0 и хаба при масштабировании скорости передачи данных до 10 Гбит/с на более высоком физическом уровне. Рабочая группа постаралась, чтобы изменения по поддержке больших скоростей носили ограниченный характер и соответствовали уже имеющейся архитектуре USB 3.0, что облегчит разработку новых изделий.

Другие интересные новости:

▪ Полимер, который лечит сам себя

▪ Сверхбыстрые SSD Samsung PM1725 и PM1633

▪ Температура воздуха в Арктике достигла максимума

▪ Микроволновое оружие против беспилотников

▪ Съедобная посуда

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электрик в доме. Подборка статей

▪ статья Модернизация циркуля. Советы домашнему мастеру

▪ статья Дети каких животных в четыре раза больше родителей? Подробный ответ

▪ статья Ледовые обвалы. Советы туристу

▪ статья Пробник для диодно-транзисторной логики. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Электротермические установки. Общие требования. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025