|
ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ Двойной балансный смеситель SA612A. Справочные данные
Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы Активный двойной балансный частотный смеситель группы SA612A (фирмы Philips Semiconductors) рассчитан на использование в радиоприемных устройствах, работающих в частотной полосе до 500 МГц. Кроме собственно смесителя, микросхема содержит встроенный гетеродин и цепи стабилизации напряжения. Основа смесителя - балансный (дифференциальный) усилитель, обеспечивающий на выходе сигнал, пропорциональный лишь разности сигналов на входах и не зависящий ни от их абсолютных значений, ни от колебаний напряжения питания, ни от изменения температуры окружающей среды [1]. Прибор оформлен в пластмассовом корпусе двух конструктивных вариантов: DIP8 (SA612AN) - для традиционного монтажа (рис. 1); S08 (SA612AD) - для поверхностного (рис. 2).
Структурная схема балансного смесителя SA612А представлена на рис. 3. Цоколевка прибора: выводы 1 и 2 - дифференциальный вход балансного усилителя; вывод 3 - общий, минусовый вывод питания; выводы 4 и 5 - дифференциальный выход смесителя; выводы 6 и 7 - выводы для подключения внешних цепей гетеродина: вывод 8 - плюсовой вывод питания. Как видно из схемы, устройство имеет два балансных входа и выхода (отсюда и характеристика - двойной). Такая структура дает широкие возможности в построении входных и выходных цепей смесителя (см. ниже). В частности, применение балансной схемы смесителя позволяет избавиться от побочных продуктов преобразования в выходном сигнале [2]. Основные технические характеристики при Токр. ср = 25 °С и напряжении питания 6 В
* Так называют условную точку пересечения на графике прямой, характеризующей мощность интермодуляционных искажений третьего порядка, с продолжением линейной динамической характеристики смесителя [3]. Этот параметр позволяет оценить динамический диапазон смесителя по интермодуляции третьего порядка. Указанные высокочастотные параметры смесителя сняты на испытательном стенде, схема которого показана на рис. 4. Ее фактически можно рассматривать как типовую схему включения. В зависимости от конкретного применения микросхемы входной сигнал может быть подан по-разному. На рис. 5, а и б представлены резонансные варианты входной цепи, а на рис. 5,в - широкополосный (в этом случае неиспользуемый вывод должен быть "заземлен" по переменному току конденсатором емкостью 0,001...0,1 мкФ в зависимости от рабочей частоты).
Выходные сигналы смесителя (на выводах 4 и 5) имеют противоположные фазы. Нагрузка может быть включена как между фазами (рис. 6,а), так и однофазно (рис. 6,б). Неиспользуемый вывод фирма-изготовитель допускает оставлять свободным; тем не менее лучше его тоже "заземлять" по переменному току через конденсатор. В качестве частотозадающего элемента встроенного гетеродина можно применять либо LC-контур (рис. 7,а), либо кварцевый резонатор (рис. 7,6), работающий на основной частоте или на гармониках. В паре с гармониковым резонатором необходимо использовать дополнительный LC-контур, настроенный на частоту соответствующей гармоники (L1C2C3, рис. 7,в). Номиналы внешних элементов определяют из тех же соображений, что и для обычного гетеродина на биполярном транзисторе. Вывод 6 микросхемы соединен с базой внутреннего транзистора (VT1 на рис. 7,а).
Смеситель может работать и с внешним гетеродином (рис. 7,г). Амплитуда входного напряжения на выводе 6 смесителя должна быть в пределах 200...300 мВ. При необходимости сигнал местного гетеродина через конденсатор связи С5 (рис. 7,а) небольшой емкости можно подать на внешнюю усилительную ступень. Амплитуда колебаний гетеродина будет больше, если вывод 7 смесителя зашунтировать резистором (R1) сопротивлением 1...10 кОм.
На рис. 8 и 9 показаны температурные зависимости коэффициента шума Kш смесителя при различных значениях напряжения питания и входной мощности, соответствующей "точке пересечения по интермодуляционным искажениям третьего порядка" Рвх. из соответственно, а на рис. 10 - зависимость того же параметра Рвх. из от напряжения питания. Литература
Автор: A.Темерев, г.Светловодск, Кировоградской обл., Украина
Хорошо управляемые луга могут компенсировать выбросы от скота
15.02.2026 NASA тестирует инновационную технологию крыла
15.02.2026 Забота о внуках очень полезна для здоровья мозга
14.02.2026
▪ Новый способ приготовления шоколада ▪ Сенсорные ноутбуки подешевеют ▪ Микроб с тепловым управлением ▪ Робот определит соленость блюда ▪ Умные горожане счастливей в одиночестве
▪ раздел сайта Акустические системы. Подборка статей ▪ статья Сахар-рафинад. История изобретения и производства ▪ статья Почему мы плачем? Подробный ответ ▪ статья Котовник копетдагский. Легенды, выращивание, способы применения ▪ статья Солнечная энергия. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники ▪ статья Карандаш проходит сквозь платок. Секрет фокуса
Комментарии к статье: ua9oas Прошло уже много лет после того, как вещь сия была создана. Хотя и говорят, что она заметно лучше, чем наша "ПС1" (подскажите, насколько именно?), но все же прогресс за эти годы в "смесителестроении" должен был тоже уйти далеко вперед. Наиболее интересной и перспективной технологией в таких компонентах является sige технология. Транзисторы и микросхемы на ее основе могут иметь существенно лучшие характеристики. Но таких аналогов, подобных именно представленной здесь микросхемы я не могу найти в сети. Кто может - помогите. Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте www.diagram.com.ua |