Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Гражданская радиосвязь

 Комментарии к статье

В предлагаемой статье описан несложный в изготовлении прибор, позволяющий откалибровать стрелочный S-метр Си-Би радиостанции, а также откорректировать показания штатного S-метра.

Cилу принимаемого радиосигнала обычно оценивают в баллах - от 1 до 9. Изменение сигнала на один балл соответствует изменению напряжения на входе приемника в два раза (на 6 дБ). Сигналу в девять баллов соответствует напряжение 50 мкВ (при входном сопротивлении приемника 50 Ом и частотах ниже 30 МГц). Если уровень выше девяти баллов, то его обозначают, например, так: S9 + 10 дБ, S9 + 30 дБ и т.д. В табл. 1 приведена шкала S-метра в баллах и уровень высокочастотного напряжения на антенном входе радиостанции. S-метр позволяет оценить уровень принимаемого сигнала.

В Си-Би радиостанциях, поступающих на наш рынок, S-метры чаще всего не соответствуют принятой шкале. Корректировку показаний S-метра произвести несложно, для этого в станциях есть специальный подстроечный резистор, однако сделать это можно, лишь используя высокочастотный генератор с аттенюатором. В радиостанции Yosan 2204, например, это осуществляют резистором VR602. Встречаются S-метры, показания которых удается установить в соответствии с табл. 1 лишь в отдельных точках. Это - конструктивный дефект. В современных станциях он, как правило, неустраним.

На рис. 1 показана схема простого в изготовлении прибора, пользуясь которым можно проверить и. при необходимости, откорректировать показания S-метра. На транзисторе VT1 собран генератор. Его частоту задает кварцевый резонатор ZQ1. Она должна быть, конечно, в диапазоне рабочих частот станции, лучше - в его середине.

Напряжение высокой частоты на эмиттере транзистора VT1 зависит от напряжения питания. Резисторы R4 - R12 представляют собой нормированный ослабитель (аттенюатор) высокочастотного сигнала, снижающий ВЧ напряжение с 0,85 В на входе до 25 мкВ на выходе. К выходу подключают радиостанцию (RH на схеме). Таким образом, на вход приемника радиостанции поступает сигнал напряжением 25 мкВ (8 баллов).

На диодах VD1, VD2 и транзисторе VT2 собран ВЧ вольтметр, который позволяет установить ВЧ напряжение на эмиттере VT1 равным 0.85 В. Это делают подстроечным резистором R3. PV1 - цифровой или стрелочный вольтметр с входным сопротивлением более 100 кОм в режиме измерения постоянного напряжения.

На рис. 2 показана печатная плата устройства. Она изготовлена из двустороннего фольгированного стеклотекстолита толщиной 1,5 мм. Фольгу с одной стороны используют лишь в качестве экрана и общего провода (к ней подключен минусовый вывод источника питания). Для пропуска выводов деталей в фольге делают кольцеобразные выборки. Места соединения "заземляемых" выводов показаны черными квадратами. Аттенюатор отделяют от других элементов экраном - полоской жести высотой 7...8 мм, припаянной к фольге общего провода. Положение экрана показано штриховой линией.

Все резисторы - МЛТ-0,125 или им подобные той же мощности (С2 - 23, ОМЛТ и др.). Резисторы R4 - R12 обязательно должны быть непроволочными. Использовать проволочные резисторы и резисторы с проводящим слоем в виде спирали нельзя: они обладают значительной индуктивностью. Резисторы для аттенюатора нужно подобрать с помощью цифрового омметра. Установка случайных резисторов, лишь номинально имеющих нужное сопротивление, может привести к тому, что ослабление аттенюатора будет отличаться от расчетного на 30...40% и более.

Кварцевый резонатор ZQ1 должен работать на основной частоте. На таких резонаторах частоту принято указывать в килогерцах (кГц), а не в мегагерцах (МГц), как в возбуждаемых на гармонике основной частоты. Во избежание возможного срыва колебаний корпус резонатора лучше ни с чем не соединять.

Смонтированную плату нужно поместить в металлическую коробку подходящих размеров (например, из-под бульонных кубиков). Калибратор подключают к антенному входу радиостанции коротким коаксиальным кабелем с соответствующим разъемом на конце.

Уровень сигнала на выходе может быть и другим. Но для этого в аттенюатор потребуется внести изменения. Представим аттенюатор в другом виде (рис. 3,а). В нем легко просматриваются четыре Т-образные секции. Первая, несимметричная, составлена из резисторов R4, R5 и R6'. Она имеет выходное сопротивление 50 Ом, которое равно входному сопротивлению второй секции. Первая секция понижает ВЧ напряжение с 0,85 В до 25 мВ. Вторая, третья и четвертая секции симметричны и одинаковы: каждая из них имеет входное и выходное сопротивление 50 Ом и вносит в общее ослабление 20 дБ (рис. 3,б и табл. 2).

Любая из этих трех секций может быть перестроена на какое-то другое ослабление. Потребуется лишь заменить в ней Ra и Rb так, как указано в табл. 2. Поскольку входное и выходное сопротивление секции при этом остается неизменным - это те же 50 Ом, установка новых Ra и Rb никак не скажется на ослаблениях, вносимых другими секциями аттенюатора. Таким образом, так или иначе изменив ослабление в секции, мы на эту же самую величину изменим ослабление и всего аттенюатора. Более подробно о расчете аттенюаторов можно прочитать в [1].

Например, чтобы уменьшить в два раза (по напряжению) ослабление последней секции (с 20 до 14 дБ), нужно установить в соответствии с табл. 2 R10" = R12 = 33,3 Ом и R11 = 20,8 Ом. Тем самым мы поднимем уровень сигнала на входе радиостанции до 50 мкВ, т. е. до 9 баллов. После внесения в секции тех или иных изменений можно вернуться к прежней структуре аттенюатора. Нужно лишь вместо двух последовательно включенных резисторов установить один с сопротивлением, равным сумме сопротивлений отдельных резисторов. Так, калибратор, показанный на рис. 1, будет выдавать 9 баллов, если установить R10 = 74,3 Ом (41 + 33,3), R11 = 20,8 Ом и R12 = 33,3 0м.

В заключение заметим, чем ниже напряжение на выходе калибратора, тем все более актуальной становится его экранировка. Она должна быть особенно тщательной, когда нужно откалибровать показания S-метра в самом начале шкалы. Если воспользоваться аттенюатором с переменным ослаблением, описанным в [2], го можно откалибровать стрелочный S-метр с высокой точностью.

Литература

1. Рэд Э. Справочное пособие по высокочастотной схемотехнике. - М: Мир, 1990, с. 229.
2. Виноградов Ю. Антенный аттенюатор. - Радио, 1997, № 11, с. 80.

Автор: Ю.Виноградов, г. Москва

Смотрите другие статьи раздела Гражданская радиосвязь.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Дифузное покрытие для теплиц 06.06.2026

В тепличном овощеводстве и ягодоводстве управление светом играет ключевую роль в повышении урожайности и качества продукции. Растения особенно активно используют красную и синюю части спектра для фотосинтеза, в то время как зеленый свет в значительной степени отражается. Французская компания Ondex разработала инновационное решение, которое позволяет эффективнее использовать доступный солнечный свет без дополнительных затрат на досветку. Французский производитель Ondex вывел на рынок диффузное тепличное покрытие OptiRed DIFFU100. Этот материал смещает часть зеленого спектра в красный, усиливая фотосинтетическую активность растений. В 2026 году начались масштабные производственные испытания покрытия в юго-западной Франции на экспериментальной станции Invenio-FL. Исследования проводятся на ремонтантной землянике, выращиваемой на гидропонике с марта по июль, и на перце, посаженном в почву с середины мая по октябрь. По замыслу разработчиков, увеличение доли красного света должно спосо ...>>

Планшет Acer A210 Eye-Care 06.06.2026

Компания Acer о выпустила новый планшет A210 Eye-Care - простое и практичное устройство начального уровня по привлекательной цене. Новый 8-дюймовый планшет Acer A210 Eye-Care оснащен IPS LCD-дисплеем с разрешением 1280x800 пикселей. Благодаря компактным размерам 120x204x7,8 мм устройство удобно лежит в руке и легко помещается в сумку. Тонкий корпус толщиной всего 7,8 мм делает его идеальным спутником для чтения электронных книг, просмотра веб-страниц, онлайн-обучения и потребления видеоконтента. Технология Eye-Care специально направлена на снижение нагрузки на глаза при длительном использовании. Планшет работает под управлением операционной системы Android 14 "из коробки" - это редкость для устройств такого ценового сегмента. Acer предлагает две основные конфигурации: 4 ГБ оперативной памяти с 64 ГБ встроенного хранилища и 6 ГБ ОЗУ с 128 ГБ памяти. Пользователи могут дополнительно расширить объем памяти с помощью карты microSD, что позволяет комфортно хранить приложения, фотограф ...>>

Умная капсула GISMO: миниатюрный анализ здоровья кишечника изнутри 05.06.2026

Медицина активно ищет способы сделать диагностику заболеваний желудочно-кишечного тракта менее инвазивной, комфортной и информативной. Триллионы бактерий, населяющих наш кишечник, производят множество веществ, которые могут сигнализировать о воспалениях, нарушениях микробиоты и даже ранних стадиях серьезных заболеваний задолго до появления симптомов. Именно поэтому ученые из Бельгии и Нидерландов разработали революционную технологию - крошечную умную капсулу, способную "путешествовать" по пищеварительной системе и собирать ценные химические данные в реальном времени. Капсула GISMO (Gastrointestinal Smart Module), созданная специалистами imec и OnePlanet Research Center, по размеру сравнима с конфетой Tic Tac. Пациенту достаточно проглотить ее, после чего устройство начинает каждые 20 секунд анализировать химическую среду кишечника, в частности окислительно-восстановительный потенциал (redox balance), уровень pH и температуру. Собранные данные передаются на небольшой приемник, которы ...>>

Случайная новость из Архива Использование памяти 3D V-NAND позволит создать SSD 10 Тбайт 30.11.2014 Флеш-память типа 3D V-NAND уже доказала свое право на жизнь: она не только обеспечивает большую емкость в сравнении с традиционными чипами MLC, но и обладает высокой надежностью, в отличие от печально знаменитой TLC. Похоже, именно 3D V-NAND предстоит совершить прорыв в области создания доступных твердотельных накопителей с объемами, сопоставимыми с традиционными HDD последнего поколения. Речь идет о емкостях 10 терабайт и выше. Именно такую инициативу выдвинула корпорация Intel. На недавно прошедшем собрании инвесторов Intel было объявлено, что во второй половине 2015 года совместное предприятие Intel-Micron Flash Technologies начнет массовое производство многослойных чипов емкостью 256 и 384 Гбит. В последнем случае будут использоваться трехуровневые ячейки. Трехмерная структура новых чипов 3D-NAND будет иметь 32 слоя кристаллов, соединенных с помощью массива специальных вертикальных структур, аналогичных традиционным TSV (through silicon via). Появление чипов флеш-памяти с такой емкостью откроет дорогу к созданию твердотельных дисков огромного объема, который просто недоступен сегодня. Вице-президент подразделения Intel, занимающегося энергонезависимой памятью, Роб Крук (Rob Crooke) считает, что в ближайшие два года емкость SSD на базе новой технологии может перевалить за 10 терабайт. Для сравнения, компании SanDisk, пожелавшей создать SSD емкостью 4 терабайта на базе традиционных плоскостных технологий, пришлось использовать 64 чудовищно дорогие микросхемы eMLC емкостью 512 гигабит (64 Гбайт), каждая из которых несет в одном корпусе четыре кристалла емкостью 128 гигабит. Эти чипы производятся с использованием современного тонкого техпроцесса, что увеличивает их стоимость, но отнюдь не добавляет надежности. А вот "трехмерные" чипы Intel-Micron емкостью 256 и 384 гигабита (32 и 48 Гбайт, соответственно) будут использовать более крупные и существенно более дешевые техпроцессы, а заодно - и более надежные. К сожалению, о каком именно техпроцессе идет речь, Intel пока умалчивает. Но рабочие прототипы SSD на базе 256-гигабитных "трехмерных" чипов уже существуют, и один из них был продемонстрирован на вышеупомянутом мероприятии. Необходимо отметить, что Samsung также активно производит "трехмерную" флеш-память: ее 128-гигабитные чипы имеют 24 или 32 слоя и используют непривычно крупные по нынешним меркам технологические нормы - 42 нанометра. "Видимая емкость" этих микросхем составляет 86 Гбит; похоже, Samsung осторожничает, желая любой ценой избежать гипотетических проблем с новой технологией. На этом фоне проект Intel-Micron, стартующий сразу с 256-гигабитной емкости, выглядит куда более амбициозно, но и стоимость конечного продукта при таком подходе будет заметно ниже. А от этого, разумеется, выиграют и рядовые пользователи. Но даже если новые чипы Intel будут обладать лучшим соотношением цены к емкости, возможности альянса Intel-Micron по их производству пока не позволяют говорить о серьезном влиянии на рынок NAND. По данным ChinaFlashMarket.com, фабрика альянса IMFT может производить порядка 70 тысяч 300-миллиметровых пластин в месяц, причем в это количество входят разные типы памяти. Использование фабрик IMFS и MTV может дать еще 80 и 40 тысяч 300-миллиметровых пластин ежемесячно, но это не идет ни в какое сравнение с теми мощностями, которыми располагает Samsung. Лишь одна из фабрик южнокорейского гиганта, специально построенная для производства новых типов флеш-памяти, способна выдать 100 тысяч пластин в месяц, а остальные производственные мощности Samsung, пригодные для этой же цели, могут поставлять свыше 400 тысяч пластин за тот же период времени. Иными словами, новые многослойные чипы флеш-памяти Intel, может быть, и не произведут массовой революции на рынке твердотельных накопителей в целом, но они сделают емкие модели более доступными для пользователей и позволят компании существенно укрепить свои позиции в этой отрасли микроэлектроники. Ожидается, что совокупный доход подразделений Intel, занимающихся производством и продажами чипов NAND и твердотельных накопителей, в уходящем 2014 году составит примерно 2 миллиарда долларов США, а появление новых 256-гигабитных многослойных микросхем позволит увеличить эту цифру в ближайшие годы.

Другие интересные новости:

▪ Облако для военных

▪ Диабет определят по слезам

▪ Альтернативная реальность для разведчиков

▪ Диагноз по телефону

▪ Конкурс инверторов для солнечных электростанций

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электродвигатели. Подборка статей

▪ статья Быть или Цезарем, или ничем. Крылатое выражение

▪ статья Как мы измеряем силу землетрясений? Подробный ответ

▪ статья Начальник главного управления. Должностная инструкция

▪ статья Префиксы территорий мира. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Сигарета в носу. Секрет фокуса

[an error occurred while processing this directive] Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026