Силовые кабельные линии

Бесплатная техническая библиотека

ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ
Бесплатная библиотека / Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Электрику

Приложение 3. Нормы испытаний электрооборудования и аппаратов электроустановок потребителей

Силовые кабельные линии

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Правила технической эксплуатации электроустановок потребителей (ПТЭ)

Комментарии к статье

К, Т, М - производятся в сроки, устанавливаемые системой ППР.

Наименование испытания	Вид испытания	Нормы испытания	Указания
6.1. Определение целостности жил и фазировки	К, Т	Все жилы должны быть целыми и сфазированными	Производится после окончания монтажа, перемонтажа муфт или отсоединения жил кабеля
6.2. Измерение сопротивления изоляции	К, Т, М	Сопротивление изоляции силовых кабелей напряжением до 1000 В должно быть не ниже 0,5 МОм. У силовых кабелей напряжением выше 1000 В сопротивление изоляции не нормируется	Производится мегаомметром на напряжение 2500 В в течение 1 мин.
6.3. Испытание повышенным выпрямленным напряжением	К, Т, М	Испытательные напряжения принимаются в соответствии с табл. 10 (Приложение3.1) с учетом местных условий работы силовых кабельных линий Длительность приложения испытательного напряжения: для кабелей на напряжение до 35 кВ с бумажной и пластмассовой изоляцией при приемо-сдаточных испытаниях - 10 мин., а в процессе эксплуатации - 5 мин. кабелей на напряжение 3 - 10 кВ с резиновой изоляцией - 5 мин. для кабелей на напряжение 110 - 220 кВ - 15 мин. Допустимые токи утечки и значения коэффициента несимметрии при измерении тока утечки приведены в табл. 11 (Приложение 3.1) Могут не проводиться испытания: двух параллельных кабелей длиной до 60 м, которые являются выводами линии из ТП и РП кабелей со сроком эксплуатации более 15 лет, на которых удельное число пробоев составляет более 30 на 100 км в год кабелей, подлежащих выводу из эксплуатации в ближайшие 5 лет Кабели с резиновой изоляцией на напряжение до 1000 В испытаниям повышенным выпрямленным напряжением не подвергаются	Периодичность испытания кабелей на напряжение до 35 кВ - 1 раз в год в течение первых 5 лет эксплуатации, а в дальнейшем: 1 раз в 2 года для кабельных линий, у которых в течение первых 5 лет не наблюдалось пробоев при испытаниях и в эксплуатации 1 раз в год, если в этот период отмечались пробои изоляции 1 раз в 3 года для кабельных линий на закрытых территориях (подстанции, заводы и др.) во время ремонтов оборудования для кабелей, присоединенных к агрегатам, и кабельных перемычек напряжением 6 - 10 кВ между сборными шинами и трансформаторами в распределительных устройствах Кабели на напряжение 110 - 220 кВ испытываются через 3 года после ввода в эксплуатацию и в дальнейшем 1 раз в 5 лет Рекомендуется производить измерение сопротивления изоляции кабелей на напряжение выше 1000 В до и после испытания повышенным напряжением
6.4. Контроль степени осушения вертикальных участков d	М	Разность нагрева отдельных точек при токах, близких к номинальным, должна быть не более 3 °С. Контроль осушения можно производить также путем снятия кривых tgδ = f (U) на вертикальных участках	Производится на кабелях 20 - 35 кВ с пропитанной вязким составом бумажной изоляцией по решению технического руководителя Потребителя путем измерения и сопоставления температур нагрева оболочки в разных точках вертикального участка
6.5. Контроль заземлений	К	Производится в соответствии с указаниями раздела 26 В эксплуатации целостность металлической связи между заземлителями кабельных линий на напряжение 110 - 220 кВ и нейтралью трансформаторов проверяется 1 раз в 5 лет	Производится у металлических концевых муфт и заделок кабелей напряжением выше 1000 В, а у кабелей напряжением 110 - 220 кВ - также у металлических конструкций кабельных колодцев и подпиточных пунктов
6.6. Измерение токораспределения по одножильным кабелям	К	Неравномерность распределения токов на кабелях должна быть не более 10 % (особенно если это приводит к перегрузке отдельных фаз)	-
6.7. Проверка антикоррозийных защит	М	При проверке измеряются потенциалы и токи в оболочках кабелей и параметры электрозащиты (ток и напряжение катодной станции, ток дренажа) в соответствии с руководящими указаниями по электрохимической защите подземных энергетических сооружений от коррозии Оценку коррозионной активности грунтов и естественных вод следует производить в соответствии с требованиями государственных стандартов Сроки проведения измерений блуждающих токов в земле определяются руководителем Потребителя, но не реже 1 раза в три года	Проверяется работа антикоррозийных защит для: кабелей с металлической оболочкой, проложенных в грунтах со средней и низкой коррозионной активностью (удельное сопротивление грунта выше 20 Омм), при среднесуточной плотности тока утечки в землю выше 0,15 мА/дм² кабелей с металлической оболочкой, проложенных в грунтах с высокой активностью (удельное сопротивление грунта менее 20 Омм) при любой среднесуточной плотности тока в землю кабелей с незащищенной оболочкой и разрушенными броней и защитными покровами стального трубопровода кабелей высокого давления независимо от агрессивности грунта и видов изоляционных покрытий
6.8. Измерение температуры кабелей	М	Температура кабелей должна быть не выше допустимых значений	Производится по местным инструкциям на участках трассы, где имеется опасность перегрева кабелей
6.9. Испытание пластмассовой оболочки (шланга) повышенным выпрямленным напряжением	К, Т, М	Испытательное напряжение 10 кВ прикладывается между металлической оболочкой (экраном) и землей, длительность приложения испытательного напряжения - 1 мин.	Испытание проводится через 1 год после ввода в эксплуатацию и затем 1 раз в 3 года

Смотрите другие статьи раздела Правила технической эксплуатации электроустановок потребителей (ПТЭ).

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Электромобиль VENTRA с системой очистки воздуха 11.10.2026

Даже автомобили без двигателя внутреннего сгорания не являются полностью безвредными для окружающей среды. При движении любой автомобиль изнашивает шины и тормозные элементы, в результате чего в воздух и на дорожное покрытие попадают мельчайшие частицы. Студенты Эйндховенского технологического университета решили обратить внимание именно на этот мало заметный источник загрязнения и создали концептуальный электромобиль VENTRA, способный собирать часть таких загрязняющих веществ непосредственно во время движения. Проект разработала команда TU/ecomotive, которая оснастила VENTRA специальной системой улавливания частиц, образующихся при износе шин и торможении. Авторы концепта считают, что переход на электрическую тягу сам по себе не решает проблему автомобильных выбросов. Более тяжелые электромобили дополнительно нагружают шины, а их электродвигатели способны обеспечивать очень быстрое ускорение, что также может способствовать повышенному износу резины. Собранные около колес частицы си ...>>

Лазерное переключение магнитов 10.10.2026

Технологии хранения данных постоянно стремятся уменьшить размеры элементов памяти и одновременно увеличить скорость записи информации. Один из возможных путей связан с использованием света, который способен переносить энергию с огромной скоростью и воздействовать на очень небольшие области материала. Инженеры Университета Калифорнии в Сан-Диего (UC San Diego) продемонстрировали необычный способ управления магнитным состоянием вещества, при котором внешнее магнитное поле вообще не требуется. В обычных жестких дисках информация записывается в виде последовательности крошечных магнитных областей, соответствующих значениям 1 и 0. Для изменения их состояния обычно необходимо внешнее магнитное поле, однако такой способ требует значительных энергетических затрат и ограничивает скорость записи. Исследователи UC San Diego предложили альтернативу - так называемое оптическое переключение, при котором магнитное состояние изменяется под воздействием лазерного излучения. По оценкам специалистов, ...>>

Случайная новость из Архива

Многоуровневые ячейки памяти ROM 28.06.2013

Компании Toshiba и TSMC разработали маску памяти MROM (только для чтения), которая имеет большую плотность данных за счёт сохранения нескольких бит в ячейке.

Условно маска ROM формируется пересечением единичного слова и битовых линий и сохраняет одиночный бит в ячейке в зависимости от того, связывает их диод или нет. Однако из-за неустойчивости производственного процесса в передовых технологиях и сужения площади канала транзистора ячейки, при 40-нм техпроцессе время доступа увеличивается по сравнению с предыдущим поколением процессов.

На симпозиуме VLSI Circuits прошедшем, на прошлой неделе в Киото, Япония, Toshiba сообщила, что разработала многобитную ячейку, которая занимает площадь в два раза больше стандартной одноуровневой ячейки.

Статья рассматривает трёхпроводную программируемую ячейку (TWPC), которая состоит из одного транзистора с тремя битовыми линиями и сохраняет два бита данных в ячейке. Toshiba выпустила память по 40-нм процессу в 1-Мбитном тестовом чипе и сообщила, что благодаря использованию TWPC время доступа улучшено на 38%. Потребление энергии в активном режиме и режиме ожидания сохраняется на таком же уровне как у стандартной ячейки. Схема также утраивает действующие характеристики ячейки без каких-либо изменений в ёмкости памяти на единицу площади. Это уменьшает влияние неустойчивости в процессе производства на 42%, сообщила Toshiba.

Основная задача MROM - сохранение загружаемых данных или организация ПЗУ, которые затем, когда оборудование включено, могут загрузить другое программное обеспечение с долговременно хранящей памяти. Однако количество MROM, требуемое для приложений в системах-на-кристалле, увеличивается для таких устройств, как смартфоны и планшетные компьютеры.

Toshiba заявила, что компания нацелена в 2014 г. поставить на рынок системы-на-кристалле для цифровых приложений, которые реализовывают многобитную MROM-ячейку. Однако в статье, следующей за анонсом Toshiba, фаундри-поставщик чипов TSMC сообщил, что создал двухбитную ROM-ячейку по 28-нм процессу. Статья рассматривает двухшаговую схему декодирования, которая подходит для однопроводного или дифференцированного считывания. TSMC сообщила, что их схема, изготовленная по 28-нм нормам маломощного процесса, улучшает время доступа на 30% и питается напряжением меньшим на 190 мВ.

Другие интересные новости:

▪ Самый маленький в мире ТВ тюнер

▪ Орбиту Земли почистят спутники-дворники

▪ LTE-рация Motorola TLK110 Wave

▪ Построены гигантские молекулярные клетки

▪ Польша создает национальное коcмическое агентство

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электрику. Подборка статей

▪ статья Сардонический смех. Крылатое выражение

▪ статья Какие отец и сын получили Нобелевские премии за разные исследования одних частиц? Подробный ответ

▪ статья Скумпия. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Усилитель низкой частоты на микросхеме TA8205. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Генератор сигналов частотой 60 кГц...108 МГц. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте