Зарядка сухих элементов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы

 Комментарии к статье

В настоящее время в обиходе имеется большой арсенал вычислительной техники и бытовых приборов, которые имеют отдельный блок питания (БП), дающий выпрямленное постоянное напряжение 5 - 25 В. В некоторых случаях эти приборы выходят из строя, и БП остается в бездействии, а в других - эти приборы эксплуатируют очень редко.

Предлагаю использовать БП для зарядки сухих элементов типа 316, 326, 332, 343. Схема БП (см. рисунок) обведена штрихпунктирной линией, при его отсутствии БП можно сделать самому (литературы по этому вопросу очень много).

Схема для зарядки сухих элементов состоит из следующих элементов: резистора R1, двух светодиодов HL1, HL2 и штепсельного гнезда ХР1. Светодиоды типа АЛ307 разных цветов. Параллельно одному из светодиодов (например, HL1) монтируем выводы для подключения сухого элемента GB1. Так как GB1 подключен параллельно светодиоду, то свечение последнего согласно закону Ома зависит от степени разряда сухого элемента (при полном разряде свечение отсутствует). По мере зарядки сухого элемента GB1 свечение светодиода HL1 увеличивается. Одинаковое свечение светодиодов HL1 и HL2 свидетельствует об окончании зарядки. Резистор R1 подбираем по допустимому рабочему току светодиода I1 который равен 20 мА, и напряжению блока питания Uбп. R1 = Uбп / I1 = Uбп /0,02 = 50Uбп.

Полученное значение резистора округляем в большую сторону до стандартного. Так как резистор R1 работает длительное время, то его мощность принимаем равной 1 Вт. Конструктивные особенности зарядного устройства зависят от типа применяемых сухих элементов. Гнездо для установки такого элемента можно аккуратно вырезать из пластмассового корпуса вышедших из строя электронных часов. Его также можно применить для зарядки малогабаритных аккумуляторов, выполнив небольшие конструктивные изменения. Автор использовал данное устройство для зарядки сухих элементов типа 326, 343 на протяжении 2 лет по следующим параметрам: Uбп = 25 В; R1 = 1,3 кОм. Время зарядки зависит от степени разряда сухих элементов и находится в пределах 8 - 28 ч.

Автор: В.М.Босенко, Полтавская обл.

Смотрите другие статьи раздела Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива Samsung выпустит мобильную память объемом 3 ГБ 29.07.2013 Стремительный рост рынка смартфонов привел к тому, что буквально за несколько лет мы пришли к ситуации, когда некоторые устройства средней ценовой категории (а в случае китайского рынка, и бюджетной) оснащаются 2 ГБ оперативной памяти. Вопрос в необходимости такого объема остается за кадром. Сегодня компания Samsung официально заявила, что первой приступает к выпуску компонентов памяти типа LPDDR3 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. В случае Samsung это означает диапазон от 20 до 29 нм. Используя данные компоненты, компания способна создавать модули, объемом 3 ГБ, содержащие шесть чипов по 515 МБ, расположенные в двух симметричных стеках по три чипа в каждом. Максимальная скорость передачи данных достигает 2133 Мбит/с. Мобильный процессор будет соединяться с такой памятью по двум симметричным каналам с раздельным доступом каждого к 1,5 ГБ памяти. По слухам, первым смартфоном с объемом оперативной памяти 3 ГБ станет Galaxy Note 3.

Другие интересные новости:

▪ Радиоуправляемые ферменты

▪ Обнаружена самая яркая галактика во Вселенной

▪ Лунная программа Китая

▪ Гелиолодка

▪ Беспроводная передача данных со скоростью 40 Гбит/с

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Крылатые слова, фразеологизмы. Подборка статей

▪ статья Терия организации. Шпаргалка

▪ статья В каких языках встречаются слова из одних согласных? Подробный ответ

▪ статья Машинист-крановщик кранов всех типов. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Простой Q-METP. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Нормы испытаний электрооборудования и аппаратов электроустановок потребителей. Выключатели нагрузки. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025