Простой бестрансформаторный блок питания, 220/5 вольт. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Блоки питания

 Комментарии к статье

Предлагаемый блок питания имеет очень простую, даже примитивную схему. Лишен такой тяжелой и громоздкой вещи, как трансформатор, и не содержит никаких дефицитных элементов. Я сконструировал его для питания портативного приемника. Поскольку блок имеет малые габариты, то мне удалось упрятать его в батарейный отсек приемника.

К недостаткам этой схемы многие могут отнести отсутствие гальванической развязки от сети, но за все хорошее надо платить. Еще одним недостатком можно было бы считать возможность попасть руками на фазовый провод, однако с такими выводами торопиться не стоит. Представим себе ситуацию, когда вы касаетесь фазового провода. Если вы не “заземлены", т.е. не проводите через свое тело ток, то можете держаться за эту самую фазу сколько Вашей душе угодно.

Отсюда вывод напрашивается сам собой - значение имеет не столько сам факт касания фазового провода, сколько величина тока, проходящего через ваш организм. По этой самой причине гасящие конденсаторы установлены в обеих силовых линиях питания. Теперь как не включай вилку питания в розетку сети - минимум один конденсатор окажется между фазой и всем остальным прибором, а вас может немного “дернуть" (или немного больше, чем немного).

Все зависит от вашего сопротивления и сопротивления конденсатора по переменному току. Но все же удержитесь от таких экспериментов. Величину сопротивления можно рассчитать по формуле:

Rc = 1/2πFC,

где Rс - сопротивление конденсатора, в Омах; F - частота, Гц; С - емкость конденсатора, Ф. Сопротивление двух параллельно соединенных резисторов:

R = R1R2/ (R1 + R2).

Зная эти формулы, можно применить закон Ома, чтобы рассчитать необходимое балластное сопротивление в цепи для обеспечения заданного тока в нагрузке. Определим емкость конденсатора. В самом простом случае умножим полученную емкость на два С1 = С2 = 2С. согласно схеме на рисунке. Резисторы R1, R2 предназначены для разряда конденсаторов, которые они шунтируют. Диодный мост VD1 рассчитываем на соответствующий ток в цепи. Его предельное рабочее напряжение определяется напряжением, которое обеспечивает стабилитрон в нагрузке. Соответственно подбираем необходимый по напряжению и емкости конденсатор С4.

Элементы R3, VD2, VT1 составляют аналог мощного стабилитрона. Максимальный ток и рассеиваемая мощность такого стабилитрона определяются максимальным током и мощностью рассеивания VT1. Для этого транзистора может потребоваться радиатор. Но в любом случае максимальный ток этого транзистора не должен быть меньше тока нагрузки.

Элементы R4, VD3 образуют цепь индикации наличия напряжения на нагрузке. При малых токах нагрузки в расчетах необходимо учитывать ток, потребляемый этой цепью. В случае отсутствия необходимости в этой цепи - просто исключите ее. Резистор R5 работает как нагрузочный, нагружая цепь питания малым током, чем стабилизирует ее работу.

Настройка и комплектующие. Гасящие конденсаторы С1 и С2 - типа КБГ или аналогичные, они самые надежные. Можно также применить и К73-17. Наилучший вариант - когда их максимальное напряжение равно 400 В, хотя можно 250 В, так как они включены последовательно. Выходное напряжение зависит от трех факторов: 1) от сопротивления гасящих конденсаторов переменному току; 2) от реального тока нагрузки, если он превышает расчетное значение; 3) от стабилитрона, точнее, от его напряжения стабилизации. Выбирайте такой, какой вам нужен. Правильно рассчитанный и собранный из исправных элементов блок не требует настройки. Напоследок замечу, что собрав этот блок питания и замерив его пульсации на нагрузке, я был приятно удивлен почти полным отсутствием пульсаций и шума на его выходе.

Автор: В.Б.Ефименко, г.Киев

Смотрите другие статьи раздела Блоки питания.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Чип 16-Гбит резистивной памяти RRAM 20.01.2015 Скорость чтения 16-Гбит 27-нм памяти RRAM достигает 900 МБ/с, а скорость записи - 180 МБ/с. Задержки при обращении в режиме чтения и записи составляют 2,3 нс и 11,7 нс. Эти параметры значительно лучше, чем у флеш-памяти, и сравнимы со скоростью SDRAM. В В феврале прошлого года на конференции ISSCC 2014 компания Sony рассказала о проекте по выпуску 16-Гбит памяти RRAM (ReRAM, резистивная память или мемристор, как называет ее HP). Выпустить образец должна была компания Micron, с которой компания Sony заключила летом 2013 года партнерский договор, ибо сама не располагает мощностями для производства. Свое обещание Sony выполнила. На конференции IEDM 2014 она и Micron продемонстрировали образец памяти RRAM емкостью 16 Гбит (2 ГБ). Что важно, расчетные характеристики резистивной памяти оказались в пределах 10-% погрешности. Скорость чтения 16-Гбит 27-нм памяти RRAM достигает 900 МБ/с, а скорость записи - 180 МБ/с. Задержки при обращении в режиме чтения и записи составляют 2,3 нс и 11,7 нс. Интерфейс памяти RRAM компании Sony - это DDR RDAM, так что она может быть легко установлена в современные устройства в качестве замены оперативной памяти, но при этом будет энергонезависимой. Sony вместе с Micron планирует приступить к массовому выпуску памяти RRAM в 2015 году. С учетом превосходных характеристик образца, а главное его емкости - целых 2 ГБ, это очень обнадеживает. Памяти типа NAND-флэш давно нужна замена, а хваленого мемристора как не было, так и нет.

Другие интересные новости:

▪ Нейронная эффективность как характеристика уровня интеллекта

▪ Блок питания SilverStone NJ700

▪ Передовая технология переработки ненужной оргтехники

▪ Космический паром

▪ Смартфон, отпугивающий комаров

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Опыты по химии. Подборка статей

▪ статья Конкретный анализ конкретной ситуации. Крылатое выражение

▪ статья С каких пор существует наша Солнечная система? Подробный ответ

▪ статья Мальстрем. Чудо природы

▪ статья Измерение электрических величин. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Перекрученное кольцо. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026