Автоматическое пуско-зарядное устройство. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы

 Комментарии к статье

Устройство (рис.1) представляет собой автоматический тиристорный выпрямитель, обеспечивающий зарядку батареи аккумуляторов в режиме, близком к оптимальному.

(нажмите для увеличения)

Особенностью устройства является то, что тиристоры устанавливаются на один общий радиатор, что упрощает и удешевляет конструкцию. Питается устройство от сети через трансформатор Т1.

Цепь заряда батареи аккумуляторов подключена ко вторичной обмотке Т1 через тиристоры VS1 и VS2. Диод VD1 и делитель R1-R2 формируют импульсы положительной полярности с частотой сети (50 Гц), которые поступают на вход элемента DD1.1, реализующего логическую функцию ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ. Диод VD5 ограничивает уровень напряжения на входе DD1.1 Второй вход DD1.1 подключен к общему проводу, поэтому он служит повторителем импульсов, а конденсатор С1 превращает повторитель в триггер Шмитта, который формирует выходные импульсы с крутыми фронтами. Таким образом, на выходе DD1.1 появляются прямоугольные импульсы положительной полярности, если на анод диода VD1 поступает положительная полуволна сетевого напряжения с обмотки II Т1.

Аналогично работает узел, состоящий из элементов VD2, R3, R4, VD6, DD1.2, С2.

Прямоугольные импульсы положительной полярности появляются на выходе DD1.2, если на анод диода VD2 поступает положительная полуволна сетевого напряжения с обмотки III T1.

Согласно техническим условиям управляющие импульсы на тиристор должны подаваться, когда к нему приложено прямое напряжение.

Данная схема синхронизации позволяет получить открывающие импульсы на управляющем электроде тиристоров,

только если на него действует прямое напряжение. Высокий уровень ("1") с выхода DD1.1 (DD1.2) передается через инвертор DD2.2 (DD2.1), в результате чего на базу транзистора VT2 (VT1) поступает уровень "0", и он открывается.

То есть когда на обмотке IIТ1 действует положительная полуволна синусоидального напряжения, а на обмотке III - отрицательная полуволна, транзистор VT2 открыт, а VT1 закрыт.

Для надежного открывания тиристоров VS1 и VS2 на их управляющие электроды подаются импульсы с частотой несколько килогерц, вырабатываемые генератором на логических элементах DD1.3 и DD1.4.

На микросхеме DA1 выполнен компаратор напряжения, на входы которого поступает напряжение с аккумуляторной батареи. Опорное напряжение создается стабилитроном VD8.

Часть напряжения с батареи снимается с движка потенциометра R7. Если напряжение с R7 больше (по абсолютной величине), чем напряжение со стабилитрона, то на выходе (выводе 9) DA2 - низкий уровень напряжения. Когда напряжение с R7 меньше, чем опорное напряжение, на выходе DA2 - высокий уровень.

Логические элементы DD2.1 и DD2.2-3-входовые схемы совпадения.

Выходной сигнал на выходе DD2.1 (DD2.2) появляется только тогда, когда на его входах одновременно присутствуют уровни 1 от логического элемента DD1.1 (DD1.2), ВЧ генератора DD1.4 и компаратора DA1 В этом случае на базу транзистора VT2 (VT1) поступают открывающие импульсы, которые после усиления передаются через импульсный трансформатор. Т3 (Т2) на управляющий электрод тиристора VS2 (VS1).

По мере заряда аккумулятора скважность импульсов (отношение периода к длительности импульса) изменяется, и тиристоры все большее время остаются закрытыми. При полной зарядке ток заряда падает до минимума и приблизительно равен току саморазряда аккумулятора.

Работа устройства контролируется приборами РА1 и PV1, измеряющими соответственно ток заряда и напряжение на выводах аккумулятора.

Питание логической части устройства осуществляется от интегрального стабилизатора DA1. Диоды VD3 и VD4 позволяют развязать цепи синхронизации от цепей постоянного тока.

Потенциометром R7 с помощью вольтметра выставляется напряжение, которое соответствует полной зарядке аккумулятора.

Импульсные трансформаторы Т2, Т3 - стандартные, типа. МИТ-4. их можно намотать на ферритовых кольцах МН600 К7х4х2,5. Каждая обмотка содержит по 70 витков провода ПЭВ 0,12 мм.

Авторы: В.Калашник, В.Черников, г.Воронеж

Смотрите другие статьи раздела Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива Серийное производство памяти HBM2E 02.07.2020 Компания SK hynix объявила о начале полномасштабного серийного производства высокоскоростной памяти DRAM или HBM2E. Располагая 1024-разрядной шиной, каждая линия которой работает со скоростью 3,6 Гбит/с, память HBM2E обеспечивает пропускную способность 460 ГБ/с, превосходя память HBM2 по этому показателю на 50%. В стеке HBM2E может быть до восьми кристаллов плотностью 16 Гбит, связанных с помощью технологии TSV (Through Silicon Via), так что максимальный объем памяти достигает 16 ГБ. Это вдвое больше, чем в случае памяти HBM2. По словам SK Hynix, HBM2E - "оптимальное решение" для памяти систем ИИ следующего поколения, ускорителей глубокого обучения и суперкомпьютеров. Ожидается, что она найдет применение в суперкомпьютере экcафлопсного уровня, который сможет вывести фундаментальные и прикладные научные исследования на новый уровень.

Другие интересные новости:

▪ Безвентиляторный блок питания SilverStone Nightjar NJ600

▪ Новая технология производства BiCMOS аналоговых микросхем VIP50

▪ GNSS-модуль L26-DR

▪ Рыбное филе с 3D-принтера

▪ Монитор BenQ EW3270U

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Бытовые электроприборы. Подборка статей

▪ статья Учебная кордовая авиамодель. Советы моделисту

▪ статья Какое привычное нам женское имя изначально было мужским? Подробный ответ

▪ статья Гелениум. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Спектр музыкального сигнала. Часть 5. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Женщина в воздухе. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025