Системы обозначений полупроводниковых приборов иностранного производства. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

В настоящее время в мировой практике сложились три системы обозначений полупроводниковых приборов: американская (JEDEC), европейская (Pro-Electron) японская (JIS). Рассмотрим каждую из этих систем.

Система JEDEC

Система JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council - Объединенный инженерный Совет по электронным приборам) дает следующий формат обозначений электронных приборов: цифра - буква - номер - суффикс.

Цифра обозначает количество p-n-переходов в полупроводниковом приборе. Если первая цифра 1, то это диод; 2 - транзистор; 3 (например) - полевой транзистор с двумя затворами. Во всяком случае, цифра обозначает количество выводов прибора минус один.

Буква N не несет смысловой нагрузки, она является просто разделителем между двумя цифровыми обозначениями.

Номер не несет информации о приборе, это просто регистрационный номер прибора.

Суффикс используется при обозначениях транзисторов: А - транзистор с низким коэффициентом усиления, В - транзистор со средним коэффициентом усиления, С - транзистор с высоким коэффициентом усиления.

К примеру, 2N3061B - транзистор со средним коэффициентом усиления.

Система Pro-Electron

Эта система дает следующий формат: две буквы - буква - номер - суффикс.

Первая буква обозначает полупроводниковый материал: А - германий; В - кремний; С - арсенид галлия; R - композитный материал.

Вторая буква обозначает тип прибора:

А - диод низкой мощности или сигнальный;

В - диод с переменной емкостью (варикап);

С - транзистор малой мощности низкочастотный;

D - транзистор низкочастотный мощный;

Е - туннельный диод;

F - транзистор малой мощности высокочастотный;

G - различные приборы;

H - магниточувствительные диоды;

K - приборы на эффекте Холла;

L - транзисторы высокочастотные мощные;

N - оптроны;

P - фотоприемные приборы;

Q - излучатели света;

R - переключающие приборы (тиристоры, динисторы, однопереходные транзисторы и пр.);

S - переключающие транзисторы малой мощности;

T - мощные переключающие приборы (тиристоры, симисторы и пр.);

U - переключающие транзисторы большой мощности;

W - приборы на поверхностных акустических волнах;

X - диоды-перемножители (варакторы);

Y - выпрямительные диоды;

Z - стабилитроны.

Третья буква обозначает, что прибор предназначен для промышленных или военных применений (а не для коммерческих).

Номер не несет информации о приборе, это просто регистрационный номер прибора.

Суффикс используется при обозначениях транзисторов:

А - транзистор с низким коэффициентом усиления, В - транзистор со средним коэффициентом усиления, С - транзистор с высоким коэффициентом усиления.

К примеру, BFY51В - кремниевый маломощный высокочастотный транзистор для промышленного применения со средним коэффициентом усиления.

Система JIS (Japanese Industrial Standart - японский промышленный стандарт).

Эта система дает следующий формат: цифра - две буквы - номер - суффикс.

Цифра совпадает с обозначением в коде JEDEC, т.е. это количество выводов прибора минус один.

Буквы обозначают применение прибора:

SA - высокочастотный транзистор структуры p-n-p;

SB - низкочастотный транзистор структуры p-n-p;

SC - высокочастотный транзистор структуры n-p-n;

SD - низкочастотный транзистор структуры n-p-n;

SE - диод;

SF - тиристор;

SG - прибор Ганна;

SH - однопереходной транзистор;

SJ - р-канальный полевой транзистор;

SK - n-канальный полевой транзистор;

SM - симистор;

SQ - светоизлучающий диод;

SR - выпрямитель;

SS - маломощный (сигнальный) диод;

ST - диоды;

SV - варикапы;

SZ - стабилитроны.

Номер не несет информации о приборе, это просто регистрационный номер прибора.

Суффикс может использоваться различными японскими фирмами по своему усмотрению.

К примеру, 2SC2335C - высокочастотный транзистор структуры p-n-p.

Однако многие крупные фирмы используют свои собственные обозначения для транзисторов:

MJ - мощные транзисторы фирмы "Моторола" в металлическом корпусе;

MJЕ - мощные транзисторы фирмы "Моторола" в пластмассовом корпусе;

MPS - маломощные транзисторы фирмы "Моторола" в пластмассовом корпусе;

MRF - высокочастотные и сверхвысокочастотные транзисторы фирмы "Моторола";

TIP - мощные транзисторы фирмы Texas Instruments;

TIPL - мощные планарные транзисторы фирмы Texas Instruments.

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива Алюминиевая пена в аккумуляторе 14.10.2011 В обычных литиево-ионных батареях положительным электродом служит алюминиевая фольга. Специалисты японской фирмы "Сумитомо-Электрик" намерены заменить фольгу твердой "пеной" из алюминия. Большая поверхность реакции позволит повысить емкость аккумуляторов в полтора-три раза, и настолько же вырастет дальность поездки на электромобиле с одной зарядки. Так, модель Tesla Roadster на новых аккумуляторах вместо 352 километров сможет проехать более 1150, что вполне сравнимо с бензиновым автомобилем. Либо, если удовлетвориться прежней дальностью поездки, можно будет сократить объем батареи в полтора-три раза.

Другие интересные новости:

▪ Заплаты в трубопроводах

▪ Прогулки как средство от депрессии

▪ Искусственный перламутр

▪ Небоскреб с ветродвигателями

▪ Новая файловая система для Windows 8

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Регуляторы мощности, термометры, термостабилизаторы. Подборка статей

▪ статья Жребий брошен. Крылатое выражение

▪ статья У какого растения цветки становятся прозрачными после дождя? Подробный ответ

▪ статья Круповейщик. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Люминесцентные лампы с улучшенной цветопередачей. Характеристики. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Протягивание нитки через лед. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026