Простые мощные стабилизаторы напряжения. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

 Комментарии к статье

Схемотехника стабилизаторов напряжения (СН) постоянного тока весьма разнообразна. Чем лучше характеристики этих устройств, тем, как правило, сложнее их конструкция.

Начинающим больше всего подходят несложные в схемотехническом отношении стабилизаторы напряжения. Предлагаемые варианты построены на базе схемы стабилизатора рис.1. Несмотря на предельную простоту схемы, она весьма надежна в эксплуатации.

Такой СН приходилось использовать в самых разнообразных ситуациях. Он имеет ограничение по току нагрузки, что весьма выгодно, так как позволяет обойтись без дополнительных элементов.

Максимальный ток в нагрузке определяется сопротивлением резистора R3. При уменьшении сопротивления этого резистора величина тока короткого замыкания (Iк.з) увеличивается и, наоборот, увеличение сопротивления этого резистора приводит к уменьшению Iк.з, а значит, и к уменьшению максимального рабочего тока СН (обычно этот ток находится в пределах (0,5...0,7)Iкз). При закорачивании выводов резистора R3 величина тока Iк.з не имеет явного ограничения, поэтому короткое замыкание (КЗ) в нагрузке СН приводит в этом случае к порче транзисторов СН. Этот режим эксплуатации в дальнейшем рассматривать не будем.

При выборе тока Iк.з руководствуются областью безопасной работы (ОБР) транзистора VT2. Таким образом, СН, собранный всего на 11 компонентах, вполне можно применять для питания различной аппаратуры при потреблении тока до нескольких ампер.

Итак, достоинства СН по рис.1: 1) возможность оперативной регулировки выходного стабилизированного напряжения практически от нулевого до напряжения стабилизации стабилитронов VD1 и VD2 посредством переменного резистора R2; 2) возможность изменения тока Iк.з (для этого достаточно вместо R3 установить проволочный переменный резистор типа ПП3 сопротивлением 470 Ом); 3) легкость запуска схемы (нет необходимости в специальных элементах запуска, которые так часто нужны в других схемах СН); 4) возможность простыми способами резко улучшить характеристики СН.

Еще одно немаловажное обстоятельство. Поскольку коллектор мощного регулирующего транзистора VT2 соединен с выходом (плюсовой шиной) СН, то можно закрепить этот элемент непосредственно на металлическом корпусе блока питания (БП). Несложно сконструировать и двуполярный СН по этой схеме. При этом нужны отдельные обмотки сетевого трансформатора и выпрямители, зато коллекторы мощных транзисторов обеих плеч СН можно установить на шасси БП.

Теперь о недостатках, проявляющихся из-за предельной схемотехнической простоты СН. Главный из них - невысокое значение коэффициента стабилизации напряжения (КСН), который обычно не превышает нескольких десятков. Невысоким является также и коэффициент подавления пульсаций. Определяющее влияние на выходное сопротивление СН оказывает коэффициент передачи тока базы примененных экземпляров транзисторов VT1 и VT2. Кроме того, выходное сопротивление сильно зависит от тока нагрузки. Поэтому в данный СН нужно устанавливать транзисторы с максимальным усилением.

Некоторым неудобством является то, что выходное напряжение можно регулировать не от нуля, а приблизительно от 0,6 В. Но в большинстве случаев это несущественно.

На рынке имеется выбор мощных БП, которые весьма схемотехнически "наворочены", поэтому дороги и требуют больших затрат времени при ремонте.

Схема СН по рис.1 позволяет создавать как маломощные БП, так и простые лабораторные без особых затрат времени и средств даже на их изготовление, не говоря уже о ремонтных операциях.

Путем несложных доработок СН по рис.1 удалось значительно улучшить параметры этого устройства. Прежде всего необходимо модернизировать схему параметрического стабилизатора напряжения (элементы R1, VD1, VD2) и в качестве транзистора использовать составной, например, по схеме Дарлингтона. Очень хорошо подходят транзисторы "супербета" типа КТ825 (лучше применять 2Т825). Выходное сопротивление СН для составных транзисторов снижается и не превышает 0,1 Ом (для одиночного транзистора схемы рис.1 выходное сопротивление больше 0,3 Ом в диапазоне токов нагрузки 1...5 А), а при использовании транзистора КТ825 выходное сопротивление можно снизить до 0,02...0,03 Ом в диапазоне токов нагрузки 3...5 А.

При установке транзистора типа КТ825 в СН следует в обязательном порядке увеличить сопротивление ограничительного резистора R3. Если этого не сделать, то величина Iк.з будет практически неограниченной, и при КЗ в нагрузке транзистор КТ825 выйдет из строя. При такой модернизации данная схема СН отлично подходит для питания всевозможных УМЗЧ, приемников, магнитофонов, радиостанций и т.п.

Если нет в наличии транзистора КТ825, то СН можно выполнить по схеме рис.2. Ее основное отличие состоит в добавлении одного транзистора КТ816 и в многократном увеличении сопротивления резистора R4.

Эту схему можно применять для питания мини-электродрели при сверлении отверстий в печатных платах. Поэтому используется не весь возможный диапазон регулирования выходного стабилизированного напряжения, а лишь участок в пределах 12...17 В. В этом интервале обеспечивается оптимальное регулирование мощности на валу двигателя дрели. Резистор R3 устраняет возможность работы транзистора VT1 с отключенной базой при нарушении контакта между движком переменного резистора R2 и его графитовым покрытием. Возможно использование и проволочного резистора R2, такие резисторы более долговечны, чем графитовые. Ток Iк.з для R4 = 20 кОм составляет 5 А, для R4 = 10 кОм - 6,3 А, для R4 = 4,7 кОм - 9 А.

Если соединить два транзистора КТ8102 параллельно (рис.3), то при R4 = 4,7 кОм Iк.з = 10 А. Таким образом, включение в схему дополнительного транзистора КТ816 позволило не только улучшить характеристики СН, но и уменьшить токи через элементы VD4, R4 и VT1. Последнее обстоятельство позволяет применить в качестве VT1 транзистор с большим коэффициентом передачи тока, например, КТ3102Д(Е). А это, в свою очередь, улучшит качество работы СН. Так, например, при сопротивлении резистора R3 = 75 Ом СН рис.1 имел ток значение Iк.з = 5,5 А, для R3 = 43 Ом Iк.з = 7 А и т.д. Как видим, сопротивления резисторов-ограничителей тока Iк.з получаются слишком низкоомными для больших токов нагрузки. При этом имеет место снижение КПД СН и перегрев резистора R3, а также значительный ток через диод VD3 для СН.

Дальнейшее улучшение характеристик СН можно получить изменением схемотехники параметрического стабилизатора (элементы R1, VD1, VD2 в схемах рис.1 и 2). Улучшить параметры этого узла можно по схеме рис.4. На транзисторе VT1 cобран генератор стабильного тока (ГСТ). Поскольку транзистор VT1 включен по схеме с общей базой, схема весьма склонна к самовозбуждению на высоких частотах. Самовозбуждению способствует также отсутствие конденсатора, шунтирующего стабилитроны VD3 и VD4. Поэтому в схему рис.4 такой конденсатор введен (С1).

Результаты измерений для схемы рис.4 приведены в табл.1.

Таблица 1

Более совершенная схема показана на рис.5, а результаты измерений для нее приведены в табл.2.

Таблица 2

Нетрудно заметить, что улучшение КСН весьма существенно при незначительном усложнении схемы.

Недостатком простейших схем ГСТ является невысокий коэффициент стабилизации по току (особенно это касается биполярных вариантов ГСТ). И связано это, в первую очередь, с нестабильностью опорного напряжения, т.е. напряжения стабилизации стабилитрона VD1 (см. рис.4 и 5 в РЭ 9/2001). Ведь при изменении Uвх изменяется и ток через стабилитрон VD1, а это обязательно приводит к изменению напряжения на стабилитроне VD1. Последнее обстоятельство непременно вызывает изменение тока ГСТ и, безусловно, напряжения на выходе ИОН (элементы VD2, VD3 - рис.4 и VD3, VD4 - рис. 5).

Это явление передается дальше по схеме, что и вызывает резкое уменьшение КСН стабилизатора. ИОН по схеме рис. 5 состоит уже из двух отдельно взятых ГСТ. Второй из них собран на полевом транзисторе VТ2. Этот ГСТ стабилизирует ток через стабилитрон VD1, практически устраняя изменение напряжения на последнем (см. табл. 2). Этим обеспечивается резкое увеличение КСН этого ИОН. Стабилитрон VD2 повышает надежность схемы при увеличении напряжения Uвх. Дополнительно стабилизации тока через стабилитроны Д818Е добивались включением еще одного "полевика" в схему ИОН (рис.6). Этот полевой транзистор включен в цепь эмиттера транзистора VТ1, что в несколько раз повышает стабильность тока.

При токе через стабилитроны Д818Е, равном 10 мА, согласно ТУ, имеем наилучшую термостабильность напряжения ИОН.

Имея набор простых схем ИОН, можно очень быстро собирать конструкции БП с очень даже неплохими характеристиками и, самое главное, с высоким соотношением цена/качество. Схема простого лабораторного БП показана на рис. 7.

(нажмите для увеличения)

БП содержит устройство "мягкого" включения в сеть. В этом случае мы обязательно выигрываем в сроке службы дорогостоящих элементов БП (сетевой трансформатор, фильтрующий конденсатор и диоды выпрямителя, последние, хоть и дешевой ценовой категории, но их "вылет" повлечет за собой вероятность отказов и других радиокомпонентов). При подключении БП к сети сетевой трансформатор Т1 оказывается включенным через сопротивление мощного резистора R2.

Это многократно уменьшает броски тока через элементы Т1, С3, VD1 - VD4. Через несколько секунд срабатывает реле К1 и своими контактами К1.1 замыкает резистор R2. Теперь БП уже полностью подготовлен к эксплуатации. Схема "мягкого" запуска собрана на элементах: R1, R2, VD5-VD8, VD9, С2 и К1. Время задержки подключения Т1 к сети определяется величиной емкости электролитического конденсатора С2 и сопротивлением обмотки реле К1 постоянному току.

С увеличением емкости и сопротивления указанных элементов задержка по времени возрастает. Резистор R1 является надежным ограничителем тока через конденсатор С1 и диодный мостик VD5-VD8. Стабилитрон предохраняет конденсатор С2 и реле К1 от экстренного повышения напряжения на этих элементах (при обрыве обмотки реле К1, например, без стабилитрона, конденсатору С2 явно будет угрожать отказ из-за резкого возрастания напряжения на его выводах).

Все остальные узлы СН уже описаны выше, поэтому в комментариях не нуждаются.

О деталях. В данном БП и в других аналогичных конструкциях я использовал транзисторы КТ8102 с явно сниженным значением максимального напряжения коллектор-эмиттер (Uкэ). Величину Uкэmax, измерял специально разработанным для этих целей измерителем [1].

Отбирал транзисторы КТ8102 для УМЗЧ, но, к сожалению, среди приобретенных транзисторов больше всего было экземпляров со сниженным Uкэmax. Вот эти-то "горе"-транзисторы и устанавливались в БП. В схеме этого БП можно применять мощные транзисторы с Uкэmax≥35 В (минимальный запас всегда должен быть). Вместо транзистора КТ816 можно установить КТ814. Транзистор типа КТ801 можно заменить любым кремниевым транзистором с Uкэ≥30 В и Iк≥0,1 А. Транзистор VT2 - КТ3107 с любым буквенным индексом или КТ361 (Б, Т, Е). Полевой транзистор типа 2П303Д (КП 303Д) можно заменить любым из этой серии (В, Г, Д, Е, И) с начальным током стока (Iс.нач) ≥3 мА.

Если решено обойтись без полевых транзисторов, то лучше воспользоваться ИОН по схеме рис.8. В этой схеме стабилизация напряжения на стабилитроне VD1 производится вторым ГСТ, собранным на транзисторе VT2.

Резисторы R2 и R3 - антипаразитные. Вместо стабилитрона КС133 можно установить КС147 или 5-7 шт. последовательно включенных экземпляров кремниевых диодов, например, КД521, 522, Д220, Д223 и т.д. Число диодов можно и сократить, но при этом придется уменьшать и сопротивление токостабилизирующего резистора в цепи эмиттера транзистора КТ3107К. А это вызовет ухудшение стабильности тока ГСТ. Вместо КС133 устанавливали также и три последовательно соединенных светодиода типа АЛ307, но можно и другие. Поскольку в этой схеме ГСТ ток через них стабилизирован, то и напряжение будет стабильным (о температурных эффектах пока не идет речь). А вот замена стабилитронов Д818Е на Д814 и другие, им подобные, приведет к ухудшению термостабильности ИОН. Поэтому и выбраны стабилитроны типа Д818Е, обладающие малой величиной температурного коэффициента напряжения (ТКН). Если особых требований по ТКН не предъявляется, то в схеме можно применять весьма широкий ассортимент стабилитронов.

Стабилитрон VD11 заменить на Д814 А(Б), КС175 и т.п., а VD9 можно заменить на Д816В. Кремниевые диоды Д223 заменить любыми аналогичными. Диоды мощного выпрямителя VD1- VD4 заменить любыми другими с Uобр≥100 В, например, КД213. Эти диоды устанавливали на трех теплоотводах (два диода - на одном радиаторе).

Площадь двух меньших по размерам теплоотводов 16 см2 (АL, 40х40 мм), третьего 32 см2 (80х40 мм). Диоды мостика VD5-VD8 - любые с Uобр ≥ 400 В и Iпрям ≥ 0,3 А, к примеру, КЦ401Г, КУ402 (А, Б, В, Ж, И), КЦ405 (А, Б, В, Ж, И), КЦ407А и т.д.

Переменные резисторы R4, R10 и R11 - любых типов. Вполне допустимо изменение номи налов этих резисторов (для R4 - уменьшение до 2,2 кОм). При уменьшении сопротивления резистора R4 придется увеличивать ток ГСТ. Резисторы R13 и R14 позволяют устанавливать требуемое значение тока Iк.з.

Мощные проволочные эмиттерные резисторы R5-R7 изготовлены из нихромовой проволоки с погонным сопротивлением около 0,056 Ом/см. Мощный проволочный резистор типа ПЭВ-10. Его можно заменить параллельным включением резисторов, например, МЛТ-2Вт (5-6 шт. сопротивлением 3...3,3 кОм и т.д.).

Реле - РКМ1, исполнение РС4-503.861, сопротивление обмотки постоянному току - 500 Ом. В схеме рис. 7 использованы конденсаторы: С1, С4, С6 - типа К73-17; С2 - К50-16; С3 - К50-18; С5, С7 - К50-12. В особо ответственных местах схемы "электролиты" зашунтированы неэлектролитическими конденсаторами.

Если БП будут использовать для питания ВЧ устройств, то выход СН желательно зашунтировать дополнительными конденсаторами, например, слюдяными (КСО). И конечно, все конденсаторы в этой схеме БП могут быть любых типов с соответствующими параметрами.

О трансформаторе Т1. В качестве сетевого трансформатора использован перемотанный ТС-200. Напряжение на вторичной обмотке 22 В, провод ПЭВ-2 диаметром 1,45 мм. Предохранитель .U - самодельный. Он изготовлен из отрезка медного одножильного проводника (можно обычный провод) ∅ 0,23 мм и длиной 30 мм (пайка).

В качестве теплоотвода для транзисторов КТ8102 использован штатный радиатор от старого усилителя "УЭМИ-50". Если нет необходимой площади теплоотвода (≥ 2000 см2), то поступают следующим образом.

Для изготовления корпуса БП использован листовой металл (дюраль или алюминий). При размерах корпуса 40х20х11 см охлаждающая поверхность только верхней съемной крышки порядка 1240 см2. Такой теплоотвод весьма эффективен; один из транзисторов закреплен и на нижней части корпуса (днище, шасси). Мощные транзисторы закрепляют на отдалении друг от друга. Если их два, то разделяют общую длину верхней части корпуса (в данном случае это 62 см) на три равные части. На расстоянии 20 см и располагают эти мощные транзисторы (на одной линии и в средней части кожуха). Изменив полярность всех полупроводниковых приборов и электролитических конденсаторов в схеме БП на обратную, получают возможность установки в схему СН и мощных распространенных N-PN транзисторов типов: КТ802, КТ803, КТ805, КТ808, КТ812 и т.д., так поступают, когда нужно сконструировать двуполярный БП. Вольтметр и амперметр на схеме не показаны. Когда нужен ток в нагрузке СН более 5 А (имеется ввиду длительная эксплуатация БП в таких режимах), то в качестве трансформатора Т1 применяют ТС-270 (ТСА-270). Вторичную обмотку наматывают проводом диаметром 1,82 мм, что позволяет "вытягивать" из трансформатора ток 6-8 А и более (до 12 А), выбирают Iк.з. = 20 А.

О налаживании. Без ошибок собранная конструкция БП из исправных радиокомпонентов функционирует сразу же после включения в сеть. Необходимо лишь подобрать требуемые сопротивления резисторов R3 и R9. Первый из них определяет ток ГСТ. Необходимо установить ток через стабилитроны VD12 и VD13, равный 10 мА. Резистором R9 устанавливают ток Iк.з. в пределах 5-10 А.

Некоторые экземпляры КТ8102 очень склонны к самовозбуждению (особенно при "размашистом" монтаже). Наличие генерации обнаруживают подключением осциллографа к выходу СН. При этом конденсаторы С6 и С7 временно отпаивают от СН. Исправная схема СН не возбуждается и без них, но, если генерация на ВЧ имеет место, то без этих элементов его легче обнаружить. В цепь базы генерирующего транзистора (это, как правило, один из транзисторов VТ3-VТ5) включают низкоомный резистор сопротивлением 5-10 Ом, а еще лучше - дроссель индуктивностью более 60 мкГц. Чрезмерное сопротивление в цепи базы ухудшит характеристики СН (Rвых возрастет).

Печатная плата для данного БП приведена на рис. 9, со стороны печатных проводников - на рис.10.

В плате предусмотрены две технологические перемычки, предназначенные специально для измерения тока через транзисторы VТ1 и VТ2 (разрезать печатные проводники не понадобиться). Печатная плата схемы "мягкого" включения показана на рис. 11 и 12.

Реле расположено вне платы. Чтобы из-за монтажа не повысилось Rвых, провод, ведущий к клемме "минус" выхода СН, припаивают непосредственно к минусовой обкладке конденсатора С3. К схеме СН этот вывод С3 припаян отдельным проводником. При выборе емкости этого конденсатора руководствуются правилом: 1000-2000 мкА на каждый ампер нагрузочного тока. Конденсаторы С6 и С7 припаяны непосредственно к контактным лепестком выходных зажимов БП.

О возможности модернизации СН. Первое и самое главное: для улучшения характеристик СН необходимо раздельное питание для ИОН и СН. При этом используют отдельную обмотку (или трансформатор) со своими выпрямителями. Это позволяет не только повысить КСН ИОН и всей схемы СН, но и уменьшить количество витков обмотки II мощного выпрямителя, так как выходное напряжение 16,7 В СН достигается при напряжении ІІ обмотки трансформатора Т1 17,5 В. Этим разгружают по мощности регулирующие транзисторы VT3VT5. При длительной эксплуатации СН с током в нагрузке 5 А применяют также и принудительное охлаждение (обдув малогабаритным вентилятором), особенно, если теплоотводы размещены внутри перфорированного корпуса БП. Можно использовать отводы обмотки II с переключением и "привязкой" к резистору R4, но, как показывает практика, это очень неудобно при эксплуатации БП. Кстати, полевые транзисторы в схемах ГСТ можно включать параллельно для получения требуемого тока ГСТ, чтобы не утруждать себя подбором этих проводов.

Очень хорошие результаты получаются при использовании схемы ИОН рис. 8, в котором резисторы R1 и R4 заменили на ГСТ рис. 6 (эмиттерный ГСТ - VT3). При этом стабилитроны VD1 (КС133Д, рис. 8) заменяют на Д818Е, а Uвх повышают до 35 В и более. На вход этого ИОН подают стабилизированное напряжение с простейшей схемы параметрического стабилизатора напряжения (типовая структура - транзистор - стабилитроны - резистор - два конденсатора). Десятки СН, описанных выше, находятся в эксплуатации уже многие годы, доказав этим свою надежность при питании самых разнообразных РЭС.

Литература:

1. Зызюк А.Г. Подбор транзисторов для мощных УМЗИ// Радіоаматор. -2001. -№ 6. -С.6.
2. Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Справ. Транзисторы.-М.: РИКЕЛ, Радио и связь, 1995.
3. Голомедов А.В. Полупроводниковые приборы. Справ. Транзисторы малой мощности.-М.: Радио и связь, 1995.
4. Горюнов. Н.Н. Полупроводниковые приборы. Справ. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. 2-е изд.-М.: Энергоатомиздат, 1984

Автор: А.Г.Зызюк

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Микропластик в атмосфере - скрытый ускоритель глобального потепления 31.05.2026

Микропластик уже давно признан одним из самых масштабных загрязнителей планеты. Он проникает в океаны, почву, организмы животных и даже в тело человека. Однако до недавнего времени мало кто задумывался о его влиянии на климатические процессы. Новое исследование показало, что микро- и нанопластик в атмосфере способен поглощать тепло, тем самым внося дополнительный вклад в глобальное потепление. Ученые обнаружили, что воздействие пластиковых частиц на климат зависит от их цвета. Светлые частицы отражают солнечный свет и способствуют некоторому охлаждению, в то время как более темные - активно поглощают тепло и излучение. Со временем пластик в атмосфере темнеет под воздействием ультрафиолета, что усиливает его согревающий эффект. Этот процесс напоминает пожелтение пластиковых парковочных талонов, оставленных на солнце. Соавтор исследования, заслуженный профессор наук о Земле в Университете Дьюка Дрю Шинделл отметил, что влияние микропластика на изменение климата пока относительно не ...>>

Универсальный бытовой робот-гуманоид GigaAI SeeLight S1 31.05.2026

Развитие робототехники постепенно переносит сложные машины из промышленных цехов прямо в повседневную жизнь людей. Китайская компания GigaAI сделала важный шаг в этом направлении, представив SeeLight S1 - первую в стране модель универсального бытового робота-гуманоида. Эта разработка призвана взять на себя рутинные домашние дела и стать настоящим помощником в повседневной жизни. Уже в конце текущего месяца сотня роботов SeeLight S1 начнет проходить испытания в специализированном жилом комплексе, предназначенном для работников высокотехнологичных отраслей. По словам генерального директора GigaAI Чжу Чжэна, в первой половине 2027 года роботы будут переданы для бесплатного тестирования обычным семьям в Ухане - столице провинции Хубэй. Такой подход позволит собрать реальные данные о работе устройства в домашних условиях. В демонстрационном видео робот, передвигающийся на колесах, уверенно справляется с множеством бытовых задач. Он нарезает овощи, жарит яйца, загружает стиральную маши ...>>

Вкусовые пристрастия формируются еще в утробе 30.05.2026

Предпочтения человека к еде закладываются задолго до первого прикорма. Современная наука подтверждает, что ребенок начинает знакомиться с ароматами и вкусами пищи еще до рождения, через околоплодные воды. Новое международное исследование показало, что регулярное потребление определенных продуктов беременной женщиной может формировать долгосрочные пищевые предпочтения у ребенка, сохраняющиеся даже спустя годы после появления на свет. Ученые из университетов Великобритании, Франции и Нидерландов провели эксперимент с участием беременных женщин. Одной группе будущих мам давали капсулы с порошком капусты кейл, другой - с порошком моркови. Реакцию детей на эти запахи проверяли в три этапа: сначала в утробе матери с помощью 4D-УЗИ на поздних сроках беременности, затем в возрасте трех месяцев и, наконец, когда детям исполнилось три года. Результаты оказались весьма убедительными. Дети женщин, принимавших порошок кейла, положительно реагировали на запах этой капусты, но негативно - на ар ...>>

Случайная новость из Архива Оценочные платы для двух- и трехосевых MEMS-акселерометров 30.10.2009 В настоящее время акселерометры находят все большее применение в различных областях, начиная от промышленности и заканчивая потребительской техникой. Сюда можно отнести переносные пульты управления, игровые устройства, системы контроля и управления питанием приборов, которые должны включаться или выключаться в момент или сразу после касания их или перемещения. В медицине такие датчики используются в основном для мониторинга движения, определения положения или уровня активности пациента. Одной из важных областей применения акселерометров является защита целостности данных в приводах жестких дисков. Измеряя ускорение свободного падения, контролируя вибрацию и степень ее компенсации, они помогают предотвратить утерю ценных данных при случайных ударах или падении. Оценочные платы семейства STEVAL-MKIxxxx помогут разработчику быстро оценить возможности акселерометров компании STMicroelectronics и ускорить процесс выхода готовой продукции на рынок.

Другие интересные новости:

▪ Роботов научили чувствовать запахи

▪ Люди охотятся на птиц или наоборот

▪ Космический аппарат полетит на Солнце

▪ Плитка ПВХ и линолеум опасны для астматиков

▪ Выведен негорький цикорий

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Радио - начинающим. Подборка статей

▪ статья Экономика. Конспект лекций

▪ статья Что сгубило культуру Крайнего Севера? Подробный ответ

▪ статья Производственные травмы и их классификация

▪ статья Принцип работы электронного счетчика. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Филадин. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

[an error occurred while processing this directive] Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026