Доработка сварочного трансформатора ТДЭ-101У2. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Блоки питания

 Комментарии к статье

Выпускаемый промышленностью трансформатор ТДЭ-101У2 (в дальнейшем аппарат) удобен в работе, имеет малые габариты и массу. Аппарат хорошо работает с электродами диаметром 2-3 мм.

Наряду с этими достоинствами он имеет и ряд недостатков, а именно: отсутствие выключателя сетевого питания, а самое главное - режим ПН аппарата составляет всего 20% [1]. При превышении ПН аппарат начинает перегреваться и может выйти из строя. Это ограничивает условия эксплуатации аппарата.

С предлагаемой доработкой аппарат работает уже более 4 лет. Анализ причин неудовлетворительной работы аппарата показал, что основной причиной малого режима ПН является перегрев обмоток и железа сердечника. Для устранения этого недостатка в нижнюю часть аппарата на металлических стойках монтируют вентилятор типа ВН-2 или ВВФ-71м, работающий на нагнетание воздуха. Таким образом производится принудительное охлаждение сердечника и обмоток трансформатора. Крепят вентилятор на четырех металлических стойках винтами М3 или М4 (рис.1).

(нажмите для увеличения)

Подключают вентилятор параллельно трансформатору (рис.2).

(нажмите для увеличения)

На верхней крышке в свободном месте устанавливают автоматический выключатель типа АЕ1031-2УХЛ-25 А, который включает аппарат и обеспечивает токовую защиту. Обмотки трансформатора намотаны проводом (1-2, 3-4) и шиной (7-8, 9-10) типа ПДСК. Критичная температура для этого провода более 130°С. В аппарате установлена схема терморегулятора, описанная в [2] с доработками. Схема позволяет контролировать температуру обмоток, железа сердечника аппарата, радиаторов силовых тиристоров от +30 до +80°С, устанавливать температуру нагрева аппарата, защищая его от перегрева.

Схема усовершенствованного аппарата показана на рис.3.

(нажмите для увеличения)

Термодатчиками в схеме служат транзисторы VT2, VT3, VT4. На транзисторах VT2 - VT5 собрано пороговое устройство, которое срабатывает при определенной температуре корпусов транзисторов VT2, VT3, VT4 вследствие увеличения коллекторного тока транзистора при повышенной температуре корпуса. Благодаря наличию положительной обратной связи через резистор R24, процесс открывания транзисторов протекает лавинообразно.

При этом срабатывает реле К1, своими контактами отключает питание реле К2, обесточивая сварочный трансформатор.

При снижении температуры до установленного значения устройство автоматически возвращается в исходное состояние, включая сварочный трансформатор. Порог срабатывания регулируют резистором R17 в пределах +30...+80°С.

Детали. Транзисторы VT2, VT3, VT4 типа МП39 - МП42, VT5 - типа КТ503, КТ815. Реле К1 - типа РЭС8, РС4.590.063, РЭС9 или любое аналогичное. Важно, чтобы оно устойчиво срабатывало при напряжении от 6 В, а ток и напряжение коммутации были 0,05 А и 220 В. Реле К2 - типа РП-21-УХЛ 45 или аналогичное с соответствующим током коммутации. Светодиоды Н1 - красный типа АЛ336А,Б,К, Н2 - зеленый типа АЛ336В,Г,И. Трансформатор Т4 - малогабаритный с выходным напряжением 12-15 В, обеспечивающий ток до 500 мА.

Устройство собирают на плате из стеклотекстолита (размеры платы зависят от типов используемых реле) и монтируют на стойках под верхней крышкой корпуса. Трансформатор Т4 устанавливают в свободном месте внутри корпуса. Светодиоды Н1 и Н2, резистор R17 выводят на верхнюю крышку аппарата. Светодиод Н2 - индикатор включения питания, Н1 - индикатор перегрева. Микросхему DA1 следует установить на радиатор площадью 10 см2. Транзистор VT2 приклеивают "шляпкой" через прокладку из стеклоткани или слюды к обмотке сварочного трансформатора, VT3 - к железу сердечника, VT4 - к радиатору силового тиристора VS1 или VS3.

При этом необходимо обратить внимание на минимальную толщину диэлектрической прокладки и обеспечение надежной электрической изоляции между корпусом транзистора и местом контроля температуры. Монтаж транзисторов, резисторов, светодиодов выполняют проводом МГТФ-0,15, монтаж питающего трансформатора Т3 - проводом МГШВ0,35. Контакты реле К2 подключают параллельно и подсоединяют к сварочному трансформатору проводом МГШВ площадью поперечного сечения 1,5-2 мм2. Правильно собранная схема начинает работать сразу. Резисторами R16 и R18 устанавливают пределы регулирования температуры нагрева аппарата, подогревая "шляпку" транзистора VT2 бытовым феном, и контролируют пороги срабатывания термометром. Затем приклеивают термодатчики и проверяют работу схемы. На верхнем пределе регулирования температуры +80°С при температуре окружающей среды +25°С аппарат должен отключаться после сожжения 10-15 электродов диаметром 2 мм. Включают аппарат через 7-10 мин (это зависит от скорости сварки или резки, типа электрода, напряжения питающей сети (190-225 В).

Литература:

1. Трансформатор для дуговой сварки ТДЭ-101У2. Техническое описание и инструкция по эксплуатации.
2. Справочник по схемотехнике для радиолюбителя / Под ред.В.П.Боровского. -К.:Техніка, 1987.

Автор: А.Татаренко

Смотрите другие статьи раздела Блоки питания.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Вкус будущего с искусственным языком на графене 20.07.2025

Идея создания искусственного органа чувств давно привлекает внимание ученых, особенно в контексте замены или дополнения утраченных функций человека. Среди таких проектов особенно перспективной выглядит разработка электронного языка - устройства, способного не просто анализировать состав веществ, но и воспроизводить вкус на уровне, сравнимом с восприятием человека. И вот теперь, благодаря инновациям в области нанотехнологий и машинного обучения, этот замысел получил реальное воплощение. Инженеры и исследователи, стоящие за новым проектом, сконструировали устройство, основой которого стал оксид графена, размещенный в нанофлюидной структуре. Такой подход позволил объединить сенсорные и вычислительные элементы на одной платформе. Немаловажно, что система эффективно работает во влажной среде, близкой по условиям к ротовой полости, что делает ее особенно реалистичной в имитации естественного вкусового восприятия. Важнейшей технологической особенностью сенсора является использование пер ...>>

SSD-накопитель Transcend ESD420 20.07.2025

Компания Transcend перезентовала SSD Transcend ESD420 - новый портативный и производительный накопитель с уникальной системой крепления. Основная особенность устройства заключается в наличии встроенного магнита, который позволяет легко прикрепить его к задней панели iPhone, поддерживающего MagSafe. Это делает использование внешнего хранилища особенно удобным в полевых условиях, когда важно снимать видео без тряски и задержек, а свободное место заканчивается на глазах. Инженеры компании Transcend позаботились о совместимости: накопитель можно подключить напрямую через кабель USB-C - USB-C, что особенно актуально для последних моделей iPhone. Благодаря этому подключению устройство способно поддерживать ресурсоемкие функции, такие как запись в формате 4K ProRes прямо на внешний SSD, обходя ограничения встроенной памяти. Накопитель выполнен в компактном корпусе и весит всего 48 грамм, что делает его почти незаметным при использовании. Внешняя оболочка обладает ударопрочными характ ...>>

Выращены томаты без косточек 19.07.2025

Современное сельское хозяйство все чаще обращается к молекулярной биологии, чтобы преодолеть вызовы, связанные с климатом, сроками хранения и требованиями рынка. Один из таких прорывов связан с выращиванием плодов без семян - давно востребованных как в пищевой промышленности, так и среди потребителей. Пока обезкосточенные бананы и виноград стали привычными, новое внимание ученых сосредоточено на других культурах. Индийские исследователи уверенно двигаются в этом направлении, предложив инновационный подход к созданию томатов без косточек. Исследование было проведено на кафедре ботаники факультета естественных наук Университета Маунтин-Си в индийском городе Вадодара. Руководство проектом осуществлял профессор Сунил Сингх, а финансирование обеспечивал Совет по научным и инженерным исследованиям. Ученые сосредоточились на изучении так называемых каспазоподобных генов, которые играют ключевую роль в развитии растений, в частности - в вегетативных и репродуктивных функциях. По словам п ...>>

Случайная новость из Архива Антенна беспроводной передачи данных 1 Тбит/с и выше 13.03.2013 Графеновая антенна, которую разработали американские ученые, способна обеспечивать скорость беспроводной передачи данных 1 Тбит/с и выше и может быть использована на расстояниях до 1 м, а также для передачи данных между элементами одного кристалла или печатной платы. Ученые Технологического института Джорджии (Georgia Institute of Technology) спроектировали беспроводную антенну из графена, которая может обеспечить скорость беспроводной передачи данных более терабита в секунду, то есть способной передавать за секунду несколько фильмов в HD-разрешении, сообщает Technology Review. "Это невероятная скорость. Сегодня для того, чтобы скопировать данные с одного компьютера на другой, необходимо потратить несколько часов. Новая технология может сократит процедуру до нескольких секунд", - прокомментировал Ян Акилдиз (Ian Akyildiz), руководитель лаборатории Технологического института Джорджии, занимающейся технологиями беспроводной связи. Однако графеновая антенна способна обеспечить указанную скорость на небольшом расстоянии - всего около 1 м. Чем меньше расстояние, тем выше может быть скорость. Исследователи рассчитали, что на расстоянии в несколько сантиметров в теории можно достичь скорости до 100 Тбит/с. Материал графен представляет собой двухмерную решетку из атомов углерода, которая имеет сотовую структуру. Электроны в такой решетке перемещаются практически без сопротивления - в 50-500 раз быстрее, чем в полупроводнике. Данный материал считается перспективным для создания электронных компонентов следующего поколения. Чтобы создать антенну, по словам группы исследователей, графену необходимо придать форму узких полосок шириной от 10 до 100 нм и длиной 1 мкм, что позволит осуществлять передачу данных на терагерцовой частоте. Электромагнитные волны на терогерцовой частоте приведут к возникновению плазмонных волн - колебанию атомов на поверхности графеновых полосок, - что позволит передавать и принимать данные. Графеновые антенны также могут использоваться для связи компонентов на одном полупроводнике, имеющих наномасштаб, а не только для связи двух систем. "Антенну из графена можно сделать намного меньше обычной проволочной антенны. Ее размер может составлять микрометр или несколько нанометров. Суть в том, что такую антенну можно поместить в очень маленькие объекты", - пояснил Фэдон Эворис (Phaedon Avouris), почетный сотрудник IBM, возглавляющий исследования в области нанотехнологий в лаборатории IBM Research в Нью-Йорке. Однако перед тем как создать такую антенну, ученым предстоит решить множество задач. "Антенна не может работать сама по себе. Она зависит от большого количества других компонентов - таких как генераторы и детекторы, усилители и фильтры. Все их необходимо создать в таком же масштабе и заставить работать на таких же скоростях, чтобы получить полноценное устройство", - пояснили исследователи. Группа ученых из Технологического института Джорджии намерена создать прототип антенны в течение года, а затем добавить к ней остальные компоненты. Работу планируется опубликовать в журнале IEEE Journal of Selected Areas in Communication в 2013 г.

Другие интересные новости:

▪ Укус акулы

▪ Взаимодействие радиации с водой

▪ Подзарядите телефон прямо на улице

▪ Разновидности сов и жаворонков

▪ В Европе USB Type-C стал стандартным зарядным разъемом для смартфонов

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Технологии радиолюбителя. Подборка статей

▪ статья Пузырчатая упаковка. История изобретения и производства

▪ статья Как образовались химические элементы? Подробный ответ

▪ статья Демонтаж опор. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Измеритель толщины изоляционных покрытий. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Ожившая тень. Физический эксперимент

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025