Зарядное устройство АМТ TRAVEL ADAPTER для сотового телефона. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы

 Комментарии к статье

Зарядные устройства АМТ TRAVEL ADAPTER работают в широком интервале напряжения сети 100...240 В, выдают стабилизированное выходное напряжение 4,8 ...8,5 В с максимальным током нагрузки 0,6 А. Они собраны по схеме, показанной на рисунке, просты по конструкции и интересны по принципу работы. Выпрямленное диодным мостом VD1-VD4 и сглаженное конденсатором С1 напряжение сети питает однотактный обратноходовый преобразователь напряжения, основа которого - автогенератор на транзисторе VT1 и трансформаторе Т1 с тремя обмотками: I - сетевой, II - обратной связи, III - выходной. Обмотки II и III одинаковые, сетевая обмотка I содержит в 10 раз больше витков.

При включении питания в цепи базы транзистора VT1 через резистор R1 протекает ток Iб1, примерно равный 300 B/R1 =0,4 мА. Этот ток, усиленный транзистором, начинает протекать через обмотку I трансформатора. Под действием сильной положительной обратной связи напряжение обмотки II (около 30 В) прикладывается к транзистору VT1 через цепь C2R3R2R5 в открывающей полярности. Развивается регенеративный процесс, транзистор VT1 входит в насыщение, и в результате к обмотке I прикладывается полное выпрямленное напряжение сети. Ток этой обмотки нарастает, магнитопровод трансформатора накапливает энергию. В это время диоды VD6-VD8 закрыты обратным напряжением. Напряжение на обмотках II и III достигает 30 В. Конденсатор С2 быстро заряжается, после чего в базу транзистора течет ток Iб2 через резистор R3 (30 В/10 кОм = 3 мА), который складывается с Iб1. Суммарный ток базы Iб = Iб1+Iб2 примерно равен 3,4 мА.

Ток коллектора насыщенного транзистора нарастает до h21э*Iб. где h21э - коэффициент передачи тока базы, после чего транзистор выходит из насыщения, напряжение на обмотках трансформатора уменьшается. Развивается обратный регенеративный процесс, транзистор закрывается, напряжение на обмотках меняет полярность. Диоды VD6-VD8 открываются. Демпфирующая цепь VD7C3R4 уменьшает выброс ЭДС самоиндукции трансформатора Т1 и, соответственно, ограничивает напряжение на коллекторе транзистора VT1. Через диод Шотки VD8 заряжается конденсатор С5, к которому подключена нагрузка. Светодиод HL1 - индикатор выходного напряжения, резистор R7 задает ток через него. Через диод VD6 заряжается конденсатор С4 до амплитуды напряжения обратного хода, которое больше напряжения стабилизации стабилитрона VD5, в результате чего он открывается, напряжение на базе транзистора VT1 становится отрицательным и препятствует его открыванию. Это - время паузы между импульсами, оно намного превышает длительность импульса. Ток I61 через резистор R1 протекает не в базу транзистора VT1, а в открытый стабилитрон VD5 и конденсатор С4, разряжая его. Напряжение на этом конденсаторе уменьшается, на базе транзистора VT1 возрастает. Когда оно достигнет примерно 0,7 В, пауза завершится, транзистор откроется и начнется новый цикл генерации. Подбирая номиналы элементов R3, С4 и VD5, можно регулировать частоту генерации и выходное напряжение устройства. Стабилитрон VD5 - маломощный с напряжением стабилизации 3,3...8,2 В. Светодиод HL1 - любой маломощный.

Рассматриваемые зарядные устройства отличаются весьма низкой надежностью. Часто выходит из строя коммутирующий транзистор VT1 из серии Q13001, вызывая повреждения связанных с ним элементов. В процессе ремонта он был заменен транзистором КТ940А, который выбран потому, что широко распространен. Следует отметить, что он работает без запаса по напряжению, поскольку его максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер равно 300 В. Несмотря на это, отремонтированные устройства не выходили из строя.

Автор: В.Зорин, г. Юрга Кемеровской обл.; Публикация: radioradar.net

Смотрите другие статьи раздела Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива Языки будущего 04.01.2018 Британский Центр экономических и деловых исследований (Centre for Economics and Business Research) совместно с аэропортом "Хитроу" провели соцопрос среди 2 тыс. родителей детей возрастом до 18 лет и более 500 бизнес-лидеров по всей Великобритании. Результаты опроса показали, что почти половина респондентов (около 45%) сказали, что их дети не говорят ни на каком другом языке, кроме английского, а 19% заявили, что даже не заинтересованы в том, чтобы их ребенок изучал иностранные языки. При этом каждый десятый из опрошенных признался, что для их детей это слишком сложно. Исследователи настаивают на том, что современным детям необходимо изучать французский, немецкий и севернокитайский (мандаринский) языки, чтобы через 10 лет стать успешными. По подсчетам экспертов, к 2027 году знатоки иностранных языков смогут принести экономике Великобритании до ?500 млрд ($650 млрд). Профессор онтолингвистики в Эдинбургском университете Антонелла Сорас говорит: "Мы считаем, что изучение языка чрезвычайно полезно для развития детей, и это реальные инвестиции в будущее. Дети, которые говорят на нескольких языках, более осведомлены о разных культурах, других нациях и охотнее принимают чужую точку зрения". Кроме того, Сорас считает, что дети, владеющие несколькими языками, более успешны в выполнении нескольких задач и часто более начитаны, чем их сверстники-монолингвы.

Другие интересные новости:

▪ Новые технологии для коммутируемых сетей

▪ Литиевые батарейки Fanso для эксплуатации во взрывоопасных зонах

▪ Грибковый экстракт против рака

▪ Новые оптические волокна для скоростного интернета

▪ Настенный умный аккумулятор для дома

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Освещение. Подборка статей

▪ статья Не мытьем, так катаньем. Крылатое выражение

▪ статья Чем артерии отличаются от вен? Подробный ответ

▪ статья Секуринега полукустарниковая. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Усовершенствование активной комнатной антенны KB диапазона. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Прыгающие валеты. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025