Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Ремонт импортных телефонных аппаратов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Телефония

Комментарии к статье Комментарии к статье

В последние годы на прилавках магазинов появилось большое количество простых телефонных аппаратов зарубежного производства, к которым нет никакой технической документации. Автор предлагает схемы и рекомендации по ремонту двух моделей телефонных аппаратов - ВТ60М и ВТ960Р.

В процессе ремонта каждого телефонного аппарата (ТА) приходится изучать его принцип работы. Рассмотрим сначала модель BT60M. Схема этого телефона показана на рис. 1.

Ремонт импортных телефонных аппаратов
(нажмите для увеличения)

Рычажный переключатель SF1 показан на схеме в положении "трубка положена". ТА собран на двух печатных платах - основной (рис. 2) и плате клавиатуры, которые соединены между собой ленточным шлейфом.

Ремонт импортных телефонных аппаратов

В этом аппарате были обнаружены следующие дефекты: при наборе номера прослушивались импульсы, но в линию набор не отрабатывался; при разговоре собеседник на другом конце провода жаловался на низкий уровень звукового сигнала.

В процессе ремонта выяснилось, что неисправен транзистор VT3, выполняющий роль импульсного ключа, а также была обнаружена утечка коллектор-эмиттер транзистора VT5. После замены этих транзисторов телефон стал нормально работать.

Микросхему UM91610A можно заменить на VT91611.

На рис. 3 показана схема телефона модели BT960P. Рычажный переключатель SF1 показан в положении "трубка положена". Вместо микросхемы IS2 (UM9151-3) подойдет КР1008ВЖ17 или FT9151-3 с соответствующей подборкой цепей задающего генератора. На микросхеме IS1 (подойдут также КР1436АП1 или FT2410) собран генератор вызывного сигнала.

Ремонт импортных телефонных аппаратов
(нажмите для увеличения)

Во время ремонта аппарата были обнаружены такие неисправности: не работало вызывное устройство, при разговоре была плохая слышимость на другом конце телефонной линии. Транзистор Q2 был пробит. На основной плате (рис. 4) отсутствовал резистор R3, обозначенный штриховой линией, хотя посадочное место для него имеется. При ремонте вызывного устройства выяснилось, что резистор R3 устанавливают в том случае, когда используется микросхема КА2411.

Ремонт импортных телефонных аппаратов

Существуют две группы микросхем для вызывных устройств. В первой группе резистор RВС(R3), подключенный между входом ВС и общим проводом, позволяет принудительно отключать генерацию при напряжении питания микросхемы, равном рабочему (25,1...28,9 В). К этой группе относятся следующие микросхемы: КР1436АП1, FT2410, КА2410, ML8204, DBL5001 и т. д. Тип применяемого стабилитрона зависит от рабочего напряжения микросхемы [1].

Во второй группе резистор RВС(R3), подключенный между входом ВС и корпусом, позволяет изменять входное сопротивление микросхемы [2]. К этой группе относятся микросхемы КР1436АП2, FT2410, КА2410, ML8205, DBL5002.

Так как установленная в этом телефоне микросхема относится к первой группе, то резистор R3 должен иметь сопротивление 220 кОм (при рабочем напряжении 27 В) и его следует подключить между первым (U) и вторым (ВС) выводами микросхемы IS1.

Микросхемы вызывных устройств первой и второй групп по техническим параметрам одинаковы, но вход управления (ВС) для каждой группы выполняет свои функции. Подробно о работе этих микросхем можно прочитать в [2].

Литература

  1. Интегральные микросхемы. Микросхемы для телефонии. Вып. 1. - М.: ДОДЭКА, 1994, с. 256.
  2. Кизлюк А. Устройство и ремонт телефонов зарубежного и отечественного производства. - М.: Библион, 1997

Автор: С.Деревянко, г.Черкесск

Смотрите другие статьи раздела Телефония.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива

У Samsung готова 7-нанометровая технология 07.07.2019

Компания TSMC первой среди производителей полупроводниковой продукции освоила выпуск продукции по нормам 7 нм. И хотя формально это 7-нанометровая продукция, ее характеристики они находятся на тех же уровнях, которые ожидаются от 10-нанометровой продукции Intel. В компании Samsung сознательно предпочли замедлить работу над техпроцессом, эквивалентным 7-нанометровому техпроцессу TSMC первого поколения, чтобы сосредоточиться на внедрении экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV). Судя по последним данным, освоение EUV в Samsung идет по плану.

Отчет исследователей Samsung, опубликованный на симпозиуме по VLSI, свидетельствует, что 7-нанометровая технология EUV готова к серийному производству, а по энергетической эффективности продукции она превосходит обычную 7-нанометровую технологию.

7-нанометровая технология EUV, созданная в Samsung, превосходит по энергетической эффективности своих предшественниц.

Кроме того, южнокорейский производитель продемонстрировал образцы SRAM и представил данные об устойчивости микросхем, изготовленных по 7-нанометровой технологии EUV, к высоким температурам.

Другие интересные новости:

▪ Возможно, есть планеты, населенные разумными динозаврами

▪ Для предсказания инфаркта кватит капельки крови

▪ Роботизированный аквариум

▪ Google будет использовать только энергию возобновляемых источников

▪ Астероид из кухонной соли

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Студенту на заметку. Подборка статей

▪ статья Подпольный миллионер. Крылатое выражение

▪ статья Откуда появляются и куда исчезают кометы? Подробный ответ

▪ статья Егерь (старший егерь). Должностная инструкция

▪ статья Игра Веришь - не веришь? Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Бесперебойное питание трансивера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026