Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Тестер диодов и биполярных транзисторов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Измерительная техника

Комментарии к статье Комментарии к статье

Большинство современных тестеров (мультиметров) имеют встроенные функции тестирования диодов и иногда транзисторов. Но если ваш тестер не имеет этих функций, то вы можете собрать тестер диодов и транзисторов своими руками. Ниже представлен проект тестера на микроконтроллере PIC16F688.

Логика тестирования диодов очень проста. Диод - это PN-переход, который как известно, проводит ток только в одном направлении. Следовательно, рабочий диод будет проводить ток в одном направлении. Если диод проводит ток в обеих направлениях, то значит диод нерабочий - пробитый. Если диод ни в одном из направлений не проводит, то диод также не рабочий. Схемная реализация данной логики показана ниже.

Тестер диодов и биполярных транзисторов. Тест диода

Данную логику легко можно адаптировать для теста биполярных транзисторов, который содержит два PN-перехода: один между базой и эмиттером (БЭ-переход) и второй между базой и коллектором (БК-переход). Если оба перехода проводят ток только в одном направлении, транзистор - рабочий, иначе - не рабочий. Также мы можем идентифицировать тип транзистора p-n-p или n-p-n, определив направление проводимости тока. Для тестирования транзисторов, в микроконтроллере используется 3 входа/выхода

Тестер диодов и биполярных транзисторов. Тест транзистора

Последовательность для тестирования транзистора:

1. Включить выход (установить в единицу) D2 и считать D1 и D3. Если на D1 логическая единица, переход БЭ проводит ток, иначе - нет. Если D3 в 1, то БК проводит ток, иначе - нет.
2. Установить выход D1 в 1 и считать D2. Если D2 в 1, значит ЭБ проводят ток, иначе - нет.
3. Установить выход D3 в 1 и считать D2. Если D2 в 1, значит КБ проводят ток, иначе - нет.

Далее, если БЭ и БК проводят ток, то транзистор n-p-n-типа и рабочий. Если же, ЭБ и КБ проводят ток, то транзистор p-n-p типа и также рабочий. Во всех остальных случаях (к примеру ЭБ и БЭ проводят ток или оба перехода БК и КБ не проводят и т.п.) транзистор находится в не рабочем состоянии.

Принципиальаня схема тестера диодов и транзисторов и описание

Тестер диодов и биполярных транзисторов. Схема тестера диода и транзистора
(нажмите для увеличения)

Схема тестера очень проста. В приборе предусмотрено 2 кнопки управления: Select (выбор) и Detail (подробнее). По нажатию кнопки Select происходит выбор типа теста: тест диода или транзистора. Кнопка Detail работает только при режиме теста транзистора, на экране LCD показывается типа транзистора (n-p-n или p-n-p) и статусы проводимости переходов транзистора.

Три ножки тестируемого транзистора (эмиттер, коллектор и база) подсоединяются к "земле" через резистор 1 кОм. Для тестирования используются выводы RA0, RA1, и RA2 микроконтроллера PIC16F688. Для тестирования диода используется только два вывода: Э и К (на схеме обозначены D1 и D2).

Тестер диодов и биполярных транзисторов. Тестер диодов и транзисторов на макетной плате

Программа

Программное обеспечения для данного проекта написано с использованием компилятора MikroC. Во время тестирования и программирования будьте внимательны и следите за установками входов/выходов МК (RA0, RA1 и RA2) т.к. они часто меняются во время работы. Перед тем, как установить какой-либо выход в 1, убедитесь, что два других входа/выхода МК определены как входа. В противном случае возможны конфликты входов/выходов МК.

/*
Project: Diode and Transistor Tester
Internal Oscillator @ 4MHz, MCLR Enabled, PWRT Enabled, WDT OFF
Copyright @ Rajendra Bhatt
November 9, 2010
*/
// LCD module connections
sbit LCD_RS at RC4_bit;
sbit LCD_EN at RC5_bit;
sbit LCD_D4 at RC0_bit;
sbit LCD_D5 at RC1_bit;
sbit LCD_D6 at RC2_bit;
sbit LCD_D7 at RC3_bit;
sbit LCD_RS_Direction at TRISC4_bit;
sbit LCD_EN_Direction at TRISC5_bit;
sbit LCD_D4_Direction at TRISC0_bit;
sbit LCD_D5_Direction at TRISC1_bit;
sbit LCD_D6_Direction at TRISC2_bit;
sbit LCD_D7_Direction at TRISC3_bit;
// End LCD module connections
sbit TestPin1 at RA0_bit;
sbit TestPin2 at RA1_bit;
sbit TestPin3 at RA2_bit;
sbit Detail at RA4_bit;
sbit SelectButton at RA5_bit;
// Define Messages
char message1[] = "Diode Tester";
char message2[] = "BJT Tester";
char message3[] = "Result:";
char message4[] = "Short";
char message5[] = "Open ";
char message6[] = "Good ";
char message7[] = "BJT is";
char *type = "xxx";
char *BE_Info = "xxxxx";
char *BC_Info = "xxxxx";
unsigned int select, test1, test2, update_select, detail_select;
unsigned int BE_Junc, BC_Junc, EB_Junc, CB_Junc;
void debounce_delay(void){
 Delay_ms(200);
}
void main() {
ANSEL = 0b00000000; //All I/O pins are configured as digital
CMCON0 = 0?07 ; // Disbale comparators
PORTC = 0;
PORTA = 0;
TRISC = 0b00000000; // PORTC All Outputs
TRISA = 0b00111000; // PORTA All Outputs, Except RA3 (I/P only)
Lcd_Init();           // Initialize LCD
Lcd_Cmd(_LCD_CLEAR);       // CLEAR display
Lcd_Cmd(_LCD_CURSOR_OFF);    // Cursor off
Lcd_Out(1,2,message1);      // Write message1 in 1st row
select = 0;
test1 = 0;
test2 = 0;
update_select = 1;
detail_select = 0;
do {
 if(!SelectButton){
 debounce_delay();
 update_select = 1;
 switch (select) {
  case 0 : select=1;
  break;
  case 1 : select=0;
  break;
 } //case end
 }

 if(select == 0){  // Diode Tester
 if(update_select){
  Lcd_Cmd(_LCD_CLEAR);
  Lcd_Out(1,2,message1);
  Lcd_Out(2,2,message3);
  update_select=0;
 }
 TRISA = 0b00110100; // RA0 O/P, RA2 I/P
 TestPin1 = 1;
 test1 = TestPin3 ; // Read I/P at RA2
 TestPin1 = 0;
 TRISA = 0b00110001; // RA0 I/P, RA2 O/P
 TestPin3 = 1;
 test2 = TestPin1;
 TestPin3 = 0;

 if((test1==1) && (test2 ==1)){
  Lcd_Out(2,10,message4);
 }
 if((test1==1) && (test2 ==0)){
  Lcd_Out(2,10,message6);
 }
 if((test1==0) && (test2 ==1)){
  Lcd_Out(2,10,message6);
 }
 if((test1==0) && (test2 ==0)){
  Lcd_Out(2,10,message5);
 }

 } // End if(select == 0)

 if(select && !detail_select){   // Transistor Tester
 if(update_select){
  Lcd_Cmd(_LCD_CLEAR);
  Lcd_Out(1,2,message2);
  update_select = 0;
 }
 // Test for BE and BC Junctions of n-p-n
 TRISA = 0b00110101; // RA0, RA2 I/P, RA1 O/P
 TestPin2 = 1;
 BE_Junc = TestPin1 ; // Read I/P at RA0
 BC_Junc = TestPin3;  // Read I/P at RA2
 TestPin2 = 0;

 // Test for EB and CB Junctions of p-n-p
 TRISA = 0b00110110; // RA0 O/P, RA1/RA2 I/P
 TestPin1 = 1;
 EB_Junc = TestPin2;
 TestPin1 = 0;
 TRISA = 0b00110011; // RA0 O/P, RA1/RA2 I/P
 TestPin3 = 1;
 CB_Junc = TestPin2;
 TestPin3 = 0;

 if(BE_Junc && BC_Junc && !EB_Junc && !CB_Junc){
  Lcd_Out(2,2,message3);
  Lcd_Out(2,10,message6);
  type = "n-p-n";
  BE_info = "Good ";
  BC_info = "Good ";
 }
 else
  if(!BE_Junc && !BC_Junc && EB_Junc && CB_Junc){
  Lcd_Out(2,2,message3);
  Lcd_Out(2,10,message6);
  type = "p-n-p";
  BE_info = "Good ";
  BC_info = "Good ";
 }
 else {
  Lcd_Out(2,2,message3);
  Lcd_Out(2,10,"Bad ");
  type = "Bad";
 }
 }
 if(select && !Detail){
 debounce_delay();
 switch (detail_select) {
  case 0 : detail_select=1;
  break;
  case 1 : detail_select=0;

  break;

 } //case end
 update_select = 1;
 }

 if(detail_select && update_select){

 // Test for BE Junction open
 if(!BE_Junc && !EB_Junc){
  BE_info = "Open ";
 }
 // Test for BC Junction open
 if(!BC_Junc && !CB_Junc){
  BC_info = "Open ";
 }
 // Test for BE Junction short
 if(BE_Junc && EB_Junc){
  BE_info = "Short";
 }

 // Test for BC Junction short
 if(BC_Junc && CB_Junc){
  BC_info = "Short";
 }
 Lcd_Cmd(_LCD_CLEAR);
 Lcd_Out(1,1,"Type:");
 Lcd_Out(1,7,type);
 Lcd_Out(2,1,"BE:");
 Lcd_Out(2,4,BE_info);
 Lcd_Out(2,9,"BC:");
 Lcd_Out(2,12,BC_info);
 update_select = 0;
 }    // End if (detail_select)

} while(1);
}

Тестер диодов и биполярных транзисторов. Тестер в работе

Автор: Колтыков А.В.; Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Измерительная техника.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива

Альтернативная энергия резко подешевела 18.06.2012

Согласно исследованию Международного агентства по возобновляемой энергии Абу-Даби (IRENA), энергия из возобновляемых источников с каждым годом становится все дешевле. Этот вывод противоречит распространенному убеждению о том, что экологически чистая энергетика является слишком дорогой для внедрения на современном этапе.

По данным исследования, стоимость получения энергии от солнечных панелей упала на целых 60% всего лишь за несколько последних лет. При этом также снижается стоимость производства электроэнергии из других возобновляемых источников энергии, включая ветряки, гидроэлектростанции, концентраторы солнечной тепловой энергии и топливо из биомассы.

"Один из мифов, который поддерживается лоббистами промышленных групп, - это непомерная цена возобновляемых источников энергии, - рассказывает глава IRENA Аднан Амин. - В то же время цифры свидетельствуют об обратном. Издержки снижаются экспоненциально, и альтернативная энергия продолжит дешеветь. Уже сегодня экологически чистое производство электроэнергии может конкурировать со многими традиционными технологиями использования ископаемых видов топлива".

Надо отметить, что инвестиции в альтернативную энергетику также растут очень быстро: в 2011 году они составили около 260 млрд долл. Кроме очевидных выгод от производства энергии, это позволит создать в производственном секторе сельских регионов развивающихся стран не менее четырех миллионов новых рабочих мест.

Перспективы альтернативной энергетики недавно очень наглядно продемонстрировала Германия. В этой стране солнечные панели 25 и 26 мая 2012 года произвели рекордные 22 ГВт*ч электроэнергии. Это эквивалентно работе 20 атомных электростанций.

Другие интересные новости:

▪ Новые микросхемы NXP Semiconductors для миниатюрных блоков питания

▪ Сахар вреден для памяти детей

▪ Интеллект и социальные контакты

▪ SAMSUNG выпустил первый мобильник с винчестером

▪ HTC отказывается от клавиатур QWERTY и емких батарей

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Типовые инструкции по охране труда (ТОИ). Подборка статей

▪ статья Штурмовать небо. Крылатое выражение

▪ статья Что означают наши имена? Подробный ответ

▪ статья Подводный планер. Личный транспорт

▪ статья Простой инфракрасный генератор. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Воздушный платок. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026