Измеритель нелинейных искажений усилителей ЗЧ. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Измерительная техника

 Комментарии к статье

Самостоятельно это устройство использовать нельзя, для измерений необходим генератор сигналов звуковой частоты и милливольтметр переменного тока.

Основные параметры:

• Частоты измерений, кГц.......0,33; 1; 8; 12
• Пределы перестройки частоты, %.......20
• Выходное напряжение измеряемого усилителя, Вэф.......2
• Нижний предел измерения нелинейных искажений, %.......0,15
• Погрешность измерений, %.......50
• Входное сопротивление, кОм.......5
• Коэффициент передачи, раз.......2

На вход измеряемого усилителя ЗЧ подают сигнал от звукового генератора, обеспечивающего небольшие (менее 1 %) нелинейные искажения. С выхода усилителя сигнал, претерпевший искажения в тракте усилителя, подают через разъем XI на вход измерителя коэффициента гармоник. Переменным резистором R1 устанавливают необходимый уровень сигнала на базах транзисторов VI и V5. Сигнал разделен на два канала: верхний по схеме канал поворачивает фазу сигнала на 180¦, нижний канал фазы не меняет. Фазовращатель собран на транзисторах VI-V4; каскады на транзисторах V1 и V3 создают необходимый сдвиг фазы, эмиттерные повторители на транзисторах V2 и V4 служат для развязки между каскадами устройства.

Частоты, на которых сдвиг фазы равен 180¦, определяют емкость конденсаторов С2-С5, С6-С9 и сопротивления резисторов R7, R11, R12.

Режим работы всех транзисторов устанавливают делителем напряжения R3, R4*.

С выхода фазовращателя сигнал через резистор R13 и конденсатор СИ поступает на вход нижнего по схеме канала - усилителя (транзистор V5) с коэффициентом усиления около 5. На вход этого же усилителя через резистор R16 поступает напряжение сигнала со входа устройства - резистора R1.

Основной и вспомогательный сигнал, поданные в противофазе, но с равными амплитудами на базе транзистора V5 взаимно компенсируются по первой гармонике. Остаются только гармоники, которые и усиливаются транзистором V5. Усиленный сигнал с нагрузки V5 (резистор R20) поступает на активный фильтр верхних частот, собранный на транзисторе R6 Частота среза фильтра (200 Гц) зависит от емкости конденсаторов С13-С15 и сопротивлений резисторов R22 - R25. Крутизна спада амплитудно-частотной характеристики фильтра около 15 дБ на октаву; это означает, что наводки частотой 100 Гц этот фильтр ослабляет на 15 дБ, а фон переменного тока 50 Гц - на 30 дБ. Этого достаточно для большинства случаев измерений, встречающихся на практике.

С выхода фильтра переменное напряжение гармоник через разъем Х2 подается на вход милливольтметра. В измерителе можно применить любые высокочастотные и низкочастотные транзисторы соответствующей структуры со статическим коэффициентом передачи тока h21э=60 (при токе эмиттера 1 мА). В схеме применены конденсаторы МБМ, KM (C2-C5, С6-С9, С13-С15) и К50-6, резисторы МЛТ 0,125, переменные СП-1, кнопки S1 - КМ1-1, переключатель S2 - движковый от приемника "Сокол", переделанный на двухполосный (четыре положения).

Налаживание прибора начинают с проверки режимов транзисторов по постоянному току - они не должны отличаться от указанных более чем на ¦ 20 %. Затем настраивают фильтр на транзисторе V6 подбором резистора R26*, проверяют фазу и амплитуду сигналов прямого и повернутого на 180¦. После этого можно проводить измерения. Для этого милливольтметр переключают на предел 2В, движки переменных резисторов R16 и R12 устанавливают в среднее положение. Кнопка SJ должна быть в положении, показанном на схеме. На вход измерителя подают от звукового генератора сигнал с амплитудой 3...5 В и частотой, которая соответствует частоте измерений, установленной переключателем S2.

Манипулируя переменным резистором R1 и переключателем пределов измерений милливольтметра, добиваются, чтобы стрелка прибора установилась в последней трети шкалы. Резистором R12 добиваются минимума показаний прибора, затем, резистором R16 еще больше уменьшают эти показания. После этого снова резистором R12 находят минимум, а затем устанавливают минимум опять резистором R16 и так до тех пор, пока манипуляции резисторами R12 и R16 уже не будут уменьшать показаний милливольтметра. После этого приступают к калибровке, для чего переключатель пределов милливольтметра снова устанавливают в положение 2 В и нажимают кнопку S1. Переменным резистором R1 устанавливают напряжение, возможно близкое к 2 В, затем отпускают кнопку S1 и считывают по шкале милливольтметра напряжение гармоник.

Коэффициент гармоник рассчитывают по формуле

КГ = 1/2 U2*100 %.

Смотрите другие статьи раздела Измерительная техника.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Оптимальная продолжительность сна 12.11.2025

Сон играет ключевую роль в поддержании здоровья, когнитивных функций и общего самочувствия. Несмотря на широко распространенный стереотип о восьмичасовом сне, последние исследования показывают, что оптимальная продолжительность сна для большинства здоровых взрослых ближе к семи часам. Эволюционный биолог из Гарварда, Дэниел Э. Либерман, утверждает, что традиционная норма восьми часов сна - это скорее культурное наследие индустриальной эпохи, чем биологическая необходимость. По его словам, полевые исследования, проведенные в сообществах, не использующих электричество, показывают, что средняя продолжительность сна составляет 6-7 часов, что значительно отличается от общепринятого стандарта. Современные эпидемиологические данные подтверждают этот взгляд. Исследования выявили так называемую "U-образную кривую" зависимости между продолжительностью сна и рисками для здоровья. Минимальные показатели заболеваемости и смертности наблюдаются именно у людей, спящих около семи часов в сутки. ...>>

Дефицит кислорода усиливает выброс закиси азота 12.11.2025

Парниковые газы играют ключевую роль в изменении климата, а закись азота (N2O) - один из наиболее опасных среди них. Этот газ не только втрое сильнее углекислого газа в удержании тепла, но и разрушает озоновый слой. Недавнее исследование американских ученых показало, что микробы в зонах с низким содержанием кислорода активно производят N2O, усиливая глобальные климатические риски. Команда из Университета Пенсильвании изучала прибрежные воды у Сан-Диего и провела наблюдения на глубинах от 40 до 120 метров в Восточной тропической северной части Тихого океана - одной из крупнейших зон дефицита кислорода. Исследователи сосредоточились на том, как морские микроорганизмы превращают нитраты в закись азота. В ходе работы выяснилось, что существует два пути образования N2O. Один путь начинается с нитрата, другой - с нитрита. На первый взгляд более короткий путь должен быть эффективнее, однако микробы, использующие нитрат, продуцируют больше газа, поскольку этот "сырьевой" источник более д ...>>

Омега-3 помогают молодым кораллам выживать 11.11.2025

Сохранение коралловых рифов становится все более актуальной задачей в условиях глобального изменения климата. Молодые кораллы особенно уязвимы на ранних стадиях развития, когда стрессовые условия и нехватка питательных веществ могут привести к высокой смертности. Недавнее исследование ученых из Технологического университета Сиднея показывает, что специальные пищевые добавки способны существенно повысить выживаемость личинок кораллов. В ходе работы исследователи разработали особый состав "детского питания" для коралловых личинок. В него вошли масла, богатые омега-3 жирными кислотами, а также важные стерины, необходимые для формирования клеточных мембран. Личинки, получавшие эти добавки, развивались быстрее, становились крепче и демонстрировали более высокую устойчивость к стрессовым факторам. Особое внимание ученые уделили липидам. Анализ показал, что личинки активно усваивают эти вещества, что напрямую влияет на их жизнеспособность. Стерины, содержащиеся в корме, повышают устойчи ...>>

Случайная новость из Архива Разработка энергонезависимой памяти CeRAM 06.02.2014 Инновационная технология энергонезависимой памяти, которая может лучше масштабироваться и показывать более высокую производительность, чем флеш-память и традиционная резистивная память (ReRAM), заинтересовала крупного разработчика процессорных архитектур ARM Holdings. Память CeRAM (Correlated electron RAM, память с коррелированным электроном) активно продвигает компания Symetrix. ARM, в свою очередь, поддерживает её исследования. В проект, занимающийся исследованием CeRAM-памяти, вовлечены компании Symetrix, ARM, Университет Колорадо и Техасский университет. Конкретные цели, длительность и бюджет проекта не озвучены, но участник исследования, профессор Арауджо (Araujo), отметил, что вскоре Symetrix получит важные данные о CeRAM-приборах с помощью атомно-силового микроскопа, который позволяет разглядывать детали размером порядка 5 нм. Эти данные должны будут продемонстрировать "новые переключающие" свойства устройства. Интенсивные исследования таких технологий как ReRAM и CeRAM объясняются тем фактом, что флеш-память подходит к своему технологическому барьеру и разрабатывать устройства по техпроцессам менее 10-20 нм будет весьма проблематично. Поэтому отрасли нужны принципиально новые разработки. Что касается ReRAM, то в развитии этой технологии исследователей подстерегают множество барьеров. Понимание физических процессов формирования и разрушения так называемых проводящих нитей в изолирующем слое между верхними и нижними электродами в ReRAM-памяти оказалось затруднительным, а без этого продвигаться дальше сложно. В отличие от ReRAM, CeRAM является резистивной памятью, в которой используются те же окиси переходных металлов (TMO), такие как NiO, но при этом не используются нити и гальванопластика. Вместо этого в CeRAM-памяти наблюдаются квантовые эффекты корреляции позиций электронов, откуда она и получила своё название. В структуре CeRAM выделяется активная область TMO, которая разделяет два проводящих слоя TMO, тогда как в ReRAM окись переходного металла занимает полностью всю область между слоями металла. TMO имеют неполные атомные оболочки 3d или 4d, которые проходят через переход металл-изолятор. В случае с NiO достаточно напряжения 0,6 В для записи изолированного состояния и 1,2 В для записи проводящего состояния. При этом не требуются никакие термодинамические фазовые переходы, как в традиционной ReRAM. Скорость переключения ячеек CeRAM-памяти может достигать десятки фемтосекунд, а напряжение питания при чтении составляет всего около 0,1-0,2 В. Состояние памяти остаётся стабильным даже при нагреве вплоть до 400 градусов Цельсия.

Другие интересные новости:

▪ Дроны будут отгонять стаи птиц от аэропортов

▪ Коричневые крабы страдают от морских кабелей

▪ Робот Emo улыбается одновременно с человеком

▪ Планшет Apple iPad

▪ Скутер на зеленом водороде

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Альтернативные источники энергии. Подборка статей

▪ статья Наркомания и токсикомания. Основы безопасной жизнедеятельности

▪ статья Какие страны изначально назывались третьим миром? Подробный ответ

▪ статья Орехи. Советы туристу

▪ статья Устройство контроля отдаленных объектов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Приставка для управления микродрелью. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025