Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Высоковольтный пробник. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Измерительная техника

Комментарии к статье Комментарии к статье

В последние годы в журнале "Радио" описано несколько интересных устройств [1-5], собранных с применением деталей электронных пускорегулирующих аппаратов (ЭПРА) от вышедших из строя так называемых энергосберегающих компактных люминесцентных ламп (КЛЛ). Предлагаю вниманию читателей еще одну конструкцию с использованием этих деталей - высоковольтный пробник.

Устройство (его схема показана на рис. 1) представляет собой обратноходовый преобразователь напряжения питания 9 В в 1000 В при максимальном выходном токе до 1 мА. Этого вполне достаточно для измерения напряжения пробоя электронных компонентов без вывода их из строя. Недостаток устройства - недопустимость короткого замыкания на выходе, так как это приведет к выходу из строя защитного диода VD5, а затем и измерительной головки PA2.

Высоковольтный пробник
Рис. 1. Схема устройства (нажмите для увеличения)

Пробник содержит генератор прямоугольных импульсов с частотой следования около 20 кГц и регулируемой скважностью на элементах DD1.1, DD1.2, буферную ступень из включенных параллельно элементов DD1.3, DD1.4, электронный ключ на транзисторе VT1, нагруженный трансформатором T1, однополупериодный выпрямитель на диоде VD4 с фильтрующим конденсатором С2, узел контроля выходных напряжения и тока (PA1R4, PA2R5VD5). Питается прибор от батареи GB1 напряжением 9 В (ключ на VT1 - непосредственно, а микросхема DD1 - через параметрический стабилизатор R3VD3).

С включением питания (проверяемый элемент - предположим, что это диод - должен быть заблаговременно присоединен в нужной полярности) начинает работать генератор импульсов. По мере уменьшения скважности растет напряжение на выходе пробника, значение которого показывает микроамперметр PA1. Как только оно приблизится к максимальному обратному напряжению проверяемого диода, стрелка микроамперметра PA2 начнет отклоняться. Показания прибора PA1 в этом случае будут соответствовать измеряемому значению напряжения.

Устройство некритично к параметрам деталей. Конденсатор C1 - керамический или пленочный, C3 - оксидный, диоды VD1, VD2 - любые маломощные кремниевые, VD5 - маломощный германиевый. Диод VD4 должен быть рассчитан на работу на частоте 20 кГц при максимальном обратном напряжении не менее 1 кВ. Номинальное напряжение стабилитрона VD3 должно быть в пределах 6...7 В. Микросхема К561ЛА7 заменима аналогом из серии К176 или зарубежным аналогом.

Трансформатор T1 намотан на ферритовом Ш-образном магнитопроводе от дросселя КЛЛ мощностью 15-20 Вт (чтобы его разобрать, нужно поместить дроссель на некоторое время в ацетон). Первичная обмотка содержит 20...30 витков медного обмоточного провода диаметром 0,2...0,3 мм, а вторичная - 200...300 витков провода диаметром 0,1 мм. Между слоями вторичной обмотки необходима изоляция. Автор использовал для этой цели скотч. Конденсатор C2 можно составить из несколько соединенных параллельно конденсаторов от КЛЛ с номинальным напряжением не менее 1,2 кВ и суммарной емкостью не менее указанной на схеме либо применить один конденсатор К78-2. В качестве измерительных головок PA1, PA2 автор использовал стрелочные индикаторы серии М476, применявшиеся для контроля уровня записи в старых отечественных магнитофонах. Вместо них подойдут любые малогабаритные индикаторы магнитоэлектрической системы с током полного отклонения стрелки 100...200 мкА.

Налаживают устройство следующим образом. Подключив к щупам вместо проверяемого элемента вольтметр (лучше цифровой) с пределом измерения не менее 1 кВ, движком переменного резистора R1 устанавливают показания вольтметра на уровне 1 кВ, а затем, подбирая резистор R4, добиваются максимального отклонения стрелки прибора PA1. Далее к выключенному прибору вместо проверяемого элемента подключают последовательно с миллиамперметром резистор сопротивлением 100 кОм. Установив движком переменного резистора ток 1 мА, подбирают резистор R5, добиваясь максимального отклонения стрелки прибора PA2.

Высоковольтный пробник
Рис. 2. Детали устройства в корпусе неисправного цифрового прибора

Автор разместил детали устройства в корпусе неисправного цифрового прибора, смонтировав низковольтную часть на печатной плате, а высоковольтную - навесным способом (рис. 2). Внешний вид прибора показан на рис. 3.

Высоковольтный пробник
Рис. 3. Внешний вид прибора

Литература

  1. Нечаев И. Из деталей энергосберегающих люминесцентных ламп. - Радио, 2012, № 6, с. 26-28.
  2. Нечаев И. Симисторный регулятор мощности и автомат управления освещением. - Радио, 2012, № 9, с. 31, 32.
  3. Нечаев И. Из деталей КЛЛ. Светодиодная мигалка для новогодней игрушки. - Радио, 2012, № 11, с. 36, 37.
  4. Нечаев И. Из деталей КЛЛ. Управление сетевым светильником по двум проводам. - Радио, 2013, № 8, с. 34, 35.
  5. Захаров Д. Из деталей КЛЛ. Вторая жизнь трансформаторов и дросселей. - Радио, 2016, № 12, с. 24, 25.

Автор: В. Староверов

Смотрите другие статьи раздела Измерительная техника.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива

5-нм чип IBM 05.06.2017

IT-корпорация IBM объявила о создании первых рабочих образцов процессоров с транзисторами размером 5 нанометров. Разработка велась совместно с компаниями GlobalFoundries и Samsung Electronics.

Новая технология позволяет размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 30 млрд транзисторов и использовать их в самом различном оборудовании - от смартфонов до космических кораблей. Первые в мире 7-нм чипы, анонсированные IBM два года назад, имели 20 млрд транзисторов.

Более высокая плотность размещения транзисторов в микросхеме увеличивает скорость прохождения сигнала между ними. В IBM утверждают, что 5-нм решения на 40 % производительнее нынешних 10-нм чипов или на 75 % энергоэффективнее их при одинаковом быстродействии.

Представленный чип использует новый тип транзисторов, объединенных в так называемые кремниевые нанолисты (silicon nanosheets). Они посылают электроны через четыре затвора, тогда в случае с транзисторами FinFET (считаются наиболее продвинутыми на данный момент на массовом рынке) речь идет о трех затворах. Технология FinFET появилась в 22- и 14-нм полупроводниках, ожидается, что она останется в 7-нм чипах. Полупроводниковая отрасль отходит от FinFET, поскольку технология не способна масштабироваться геометрически, заявил вице-президент по исследованиям полупроводниковых технологий IBM Research Мукеш Харе (Mukesh Khare).

"Уход за пределы 7 нанометров является важной инновацией, - комментирует Харе. - Это инновация в конструктивном плане и том, как все больше транзисторов собираются вместе. Эта структура транзисторов открывает путь к настоящему 5-нм техпроцессу".

На данный момент еще рано говорить о коммерческом выходе 5-нм микросхем (ориентировочные сроки - 2020 год). Однако уже известно, что для производства таких решений IBM будет использовать технологию фотолитографии в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet lithography, EUV).

Другие интересные новости:

▪ Насекомые тоже стареют

▪ 30-вольтовые HEXFET МОП-транзисторы

▪ Год компьютерного вируса

▪ Абсолютно невидимые чернила

▪ Квантовые компьютеры для обработки данных

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Чудеса природы. Подборка статей

▪ статья Начать с яиц Леды. Крылатое выражение

▪ статья Какое паразитическое дерево способно перерезать подземные телефонные кабели? Подробный ответ

▪ статья Теплоэлектрический лобзик. Домашняя мастерская

▪ статья Градуировка волномеров для коротких волн. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Удивительные цифры. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026