Стабилизатор напряжения на микросхемах КР1158ЕНх. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Начинающему радиолюбителю

 Комментарии к статье

[an error occurred while processing this directive]

Традиционный состав самодельных радиолюбительских блоков питания - это понижающий трансформатор, выпрямитель и стабилизатор напряжения, выполненный, в большинстве случаев, на интегральной микросхеме. При изготовлении таких блоков иногда возникает ситуация, когда выходное напряжение нестабильно и в нем присутствуют значительные пульсации. Причиной таких явлений может оказаться недостаточное напряжение на вторичной обмотке трансформатора. Выходов из этой ситуации просматривается два: увеличить выходное напряжение вторичной обмотки трансформатора, что не всегда удобно или возможно, или применить элементы, требующие для своей нормальной работы меньшего напряжения. В статье рассматривается второй вариант.

Схема части блока питания (без сетевого трансформатора) показана на рис. 1. В состав блока входят выпрямительный диодный мост VD1-VD4, конденсатор сглаживающего фильтра С1, выходной конденсатор С2 и стабилизатор напряжения, выполненный на микросхеме DA1. Переменное напряжение Uвх~ на диодный мост поступает со вторичной обмотки трансформатора, выпрямляется им и подается на стабилизатор. От параметров этих элементов - диодного моста и стабилизатора - зависит минимальное значение входного напряжения, которое необходимо подать на диодный мост, чтобы на выходе стабилизатора напряжение было в норме.

На рис. 2 показаны экспериментально снятые зависимости выходного напряжения стабилизатора от значения входного переменного напряжения при токе нагрузки 150 мА. Кривая 1 снималась при установке в блок питания микросхемы КР142ЕН5А и кремниевых выпрямительных диодов RL201. Для этих элементов минимальное входное напряжение составило около 6,9 В. Если же в качестве выпрямительных диодов применялись диоды Шоттки (1 N5819), то минимальное входное напряжение снизилось примерно до 5,7 В (кривая 2).

Дальнейшее уменьшение входного напряжения возможно, если применить интегральный стабилизатор на микросхеме КР1158ЕН5А. Его отличительная особенность - это малое падение напряжения: 0,3...0,4 В при токе нагрузки до 150 мА. Кроме того, микросхема имеет защиту от включения с неправильной полярностью, допускает возрастание входного напряжения до 37 В и может устанавливаться методом пайки на плату или теплоотвод, что позволяет увеличить рассеиваемую ей мощность. При использовании этой микросхемы и кремниевых диодов минимальное входное напряжение составило около 5,25 В (кривая 3), а для диодов Шоттки оно оказалось уже около 4,7 В (кривая 4). Разница между минимальным напряжением для блока питания, собранного на микросхеме КР1158ЕН5А с диодами Шоттки, и блока на микросхеме КР142ЕН5Ас кремниевыми диодами составило около 2,2 В, что равняется 30...40 % входного напряжения.

В качестве еще одного примера на рис. 2 (кривая 5) показана зависимость выходного напряжения для трехвольтового блока питания с выпрямителем на диодах Шоттки и микросхемой КР1158ЕНЗА в качестве стабилизатора. В данном случае минимальное входное переменное напряжение составляет около 3,5 В

Таким образом, применив указанные выше элементы или их аналоги, можно значительно улучшить параметры блока питания, если понижающий трансформатор работает "на пределе", или заметно уменьшить напряжение на вторичной обмотке трансформатора, уменьшить его габариты, рассеиваемую мощность и облегчить тепловой режим всего блока питания.

Автор: И.Александров, г.Курск

Смотрите другие статьи раздела Начинающему радиолюбителю.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива Создан графеновый полупроводник 13.01.2024 Американские ученые создали первый в мире полупроводник на основе эпитаксиального графена. Этот материал обладает уникальной кристаллической структурой углерода, обеспечивая более высокую подвижность электронов по сравнению с традиционным кремнием. Транзисторы, созданные на его основе, способны работать на терагерцовых частотах, превосходя кремниевые аналоги в 10 раз. Этот научный прогресс открывает двери для эффективного использования графена в электронике, предоставляя возможность создания более производительных и быстрых транзисторов, что может повлечь за собой внушительные технологические изменения в будущем Полупроводники объединяют свойства проводников и изоляторов. Температурный диапазон, при котором электроны могут двигаться через полупроводник, делает его ключевым материалом в электронике. Традиционно, кремний использовался в чипах, но графен, благодаря своей уникальной структуре, предоставляет электронам более свободное движение, снижая сопротивление материала. Графен, состоящий из одного слоя углерода в гексагональной решетке, отличается высокой проводимостью по сравнению с кремнием. Однако его использование в электронике осложнялось отсутствием "запретной зоны", необходимой для работы транзисторов. Ученые преодолели эту проблему, сплавив графен с карбидом кремния, создав функциональный графеновый полупроводник. Этот прорыв не только представляет собой первый рабочий графеновый полупроводник, но и обеспечивает возможность интеграции его в существующие производственные процессы. Переход от кремниевых к графеновым пластинам, использованным в эпитаксиальном графене, становится реальностью, предвещая новые горизонты в области электроники.

Другие интересные новости:

▪ Первый широкополосный телевизор выходит в свет

▪ Люди с синестезией лучше различают запахи

▪ Смарт-кровать Sleep Number 360

▪ Дорожное движение может усугубить аллергию

▪ Мышь слева

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Измерительная техника. Подборка статей

▪ статья Обогащайтесь! Крылатое выражение

▪ статья Зачем в Англии продаются баллончики с обычной деревенской грязью? Подробный ответ

▪ статья Змляной горох. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Усилитель Pass Zen. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Еще один блок управления для Маяка на AT90S1200. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026