50. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ РОССИЙСКИХ ОРГАНОВ, ОСУЩЕСТВЛЯЮЩИХ ОРД

В целях повышения эффективности своей деятельности органы, осуществляющие ОРД, взаимодействуют между собой. Взаимодействие осуществляется на основании соответствующих соглашений, заключенных друг с другом, как правило, последующим основным направлениям деятельности и с учетом следующих основных правил:

1. Совместное проведение ОРМ.

2. Обмен информацией.

Стороны обмениваются информацией (в том числе в виде кино-, фото-, аудио - и видеоматериалов) по вопросам, представляющим взаимный интерес или относящимся к компетенции другой стороны, и предпринимают меры по ее добыванию по просьбе одной из сторон. Содержание и порядок обмена информацией определяются сторонами по взаимной договоренности.

3. Накопление и использование информационных массивов, оперативных учетов и архивов.

Стороны обеспечивают равный доступ к базам данных информационных систем, создаваемых ими по линиям своей деятельности. Конкретный перечень сведений, подлежащих обмену между сторонами, а также порядок передачи данных, исполнения запросов, взаимодействия архивов определяются сторонами по взаимной договоренности.

4. Использование в служебной деятельности военной и специальной техники, специальных средств, средств связи и иных средств, предназначенных для обеспечения служебной деятельности.

Стороны, исходя из имеющихся возможностей, оказывают друг другу помощь в решении вопросов, связанных с разработкой, приобретением и использованием военной и специальной техники, специальных средств, средств связи и иных средств, а также документов прикрытия, предназначенных для обеспечения служебной деятельности сторон.

5. Обеспечение собственной безопасности.

Стороны соблюдают необходимую конспирацию в работе, не допускают расшифровку объектов заинтересованности, проводимых совместных мероприятий и используемых оперативных сил и средств, надежно обеспечивают порядок использования полученных от другой стороны документов и спецтехники и их сохранность.

Стороны своевременно информируют друг друга о ставших им известными угрозах безопасности сторон, сотрудников сторон и членов их семей, а также о противоправных и других компрометирующих действиях сотрудников другой стороны.

Стороны проводят совместные служебные расследования (проверки) по фактам утечки сведений, затрагивающих интересы сторон.

6. Подготовка спецподразделений, подбор, подготовка и переподготовка кадров, разработка и совершенствование нормативной правовой базы деятельности, обмен правовыми актами и др.

<< Назад: Социальная и правовая защита лиц, содействующих оперативно-розыскным органам

>> Вперед: Международное взаимодействие органов, осуществляющих ОРД

Рекомендуем интересные статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки:

▪ Налоги и налогообложение. Конспект лекций

▪ Специальная психологи. Шпаргалка

▪ Экология. Конспект лекций

Смотрите другие статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Биокаталитический способ получения хиральных оксазолидинонов 14.10.2026

Химия все чаще обращается к биологическим молекулам, чтобы сделать синтез сложных веществ более точным и эффективным. Особенно важны такие технологии при создании соединений, у которых одинаковый химический состав может сопровождаться разным пространственным расположением атомов и, следовательно, различными свойствами. Исследователи из Калифорнийского технологического института и Университета Питтсбурга предложили новый биокаталитический подход, позволяющий получать хиральные оксазолидиноны непосредственно из простых неактивированных алкенов. В основе предложенного метода лежит последовательность из двух реакций - азиридинирования и последующего расширения цикла. Этот каскад запускается с помощью гемопротеина, который выполняет функцию катализатора и позволяет направлять химическое превращение в нужную сторону. В результате из относительно простого исходного соединения формируется более сложная циклическая структура с заданной пространственной конфигурацией. Особенно существенным ...>>

Клавиатура Gboard kurukuru version с вращающимися лентами 14.10.2026

Обычная клавиатура предполагает, что движется человек: пальцы перемещаются от одной неподвижной клавиши к другой, а расположение символов остается неизменным. Google Japan решила перевернуть этот привычный принцип и проверить, что произойдет, если заставить двигаться сам интерфейс. Так появился экспериментальный проект Gboard, в котором клавиши постоянно перемещаются и сами оказываются в зоне нажатия. Необычная конструкция получила название Gboard "Курукуру-версия" (Gboard kurukuru version). Проект стал очередным ежегодным экспериментом японского подразделения Google, посвященным альтернативным способам взаимодействия человека с текстом. На этот раз идея не ограничилась компьютерной концепцией: специалисты создали полноценный физический прототип, способный работать в реальных условиях, а материалы для его самостоятельного изготовления сделали доступными для всех желающих. Основу устройства образуют четыре замкнутые подвижные ленты, вращающиеся вокруг конструкции. На каждой из них ...>>

Легкий бег влияет на мозг и самоконтроль 13.10.2026

Физическая активность не обязательно должна быть интенсивной, чтобы на короткое время изменить состояние мозга. Новое исследование японских специалистов показывает, что даже непродолжительный бег с очень небольшой нагрузкой способен повлиять на настроение, внимание и способность контролировать собственные действия. Причем для этого, по данным эксперимента, может быть достаточно всего 10 минут. Работу провели исследователи из Университета Цукубы с участием 24 здоровых молодых людей. Добровольцы выполняли два разных условия: в одном случае они спокойно сидели в течение 10 минут, а в другом такое же время проводили на беговой дорожке. Скорость во время пробежки составляла приблизительно от 3 до 6 км/ч, поэтому нагрузка оставалась сравнительно небольшой. Средняя частота сердечных сокращений участников при этом находилась в пределах 104-107 ударов в минуту. После завершения физической активности добровольцы сообщали о большей бодрости и более приятном эмоциональном состоянии по сравне ...>>

Случайная новость из Архива Микросхемы SRAM Renesas RMLV0816B и RMLV0808B с высокой радиационной стойкостью 21.12.2014 Компания Renesas Electronics объявила о выпуске пяти новых моделей микросхем статической памяти с произвольным доступом с пониженным энергопотреблением (Advanced LP SRAM), относящихся к сериям RMLV0816B и RMLV0808B. Они имеют плотность 8 Мбит и изготавливаются по нормам 110 нм. Зачем же использовать такой "грубый" техпроцесс, когда микросхемы для потребительской мобильной электроники уже давно выпускаются по гораздо более тонким нормам? Все дело в том, что за счет увеличения элементов удается повысить радиационную стойкость. По словам производителя, в новой памяти исключены однократные сбои (Soft Error или Single-Event Upset, SEU) и защелкивание транзисторов (Latch-up). Причиной однократных сбоев является импульс тока, возникающий при попадании в ячейку иона. Он переводит ячейку в противоположное состояние, но схема остается в работоспособном состоянии. Поскольку размеры транзистора в новых микросхемах сравнительно велики, для переключения требуется такой большой заряд, что вероятность возникновения сбоя стремится к нулю. Кроме того, в схему ячейки введен специальный конденсатор. В отличие от коррекции ошибок с помощью ECC, такой подход позволяет предотвратить одновременное возникновение нескольких ошибок. Применение этого и других приемов, по оценке Renesas, позволило получить такую же степень радиационной стойкости, как и в случае микросхем, выпускаемых по нормам 150 нм. Что касается защелкивания транзисторов, его причиной является вызванный ионом импульс тока, который приводит к открытию напоминающей тиристор схемы, образуемой паразитными структурами из пар транзисторов разного типа. В результате защелкивания ток через транзисторы растет даже после прекращения воздействия иона, что может привести к перегреву и выходу микросхемы из строя. В новой памяти на монокристаллической подложке сформированы только транзисторы с каналом n-типа, а транзисторы с каналом p-типа сформированы как тонкопленочные транзисторы с использованием поликристаллического кремния, что исключает образование тиристора из паразитных структур и принципиально устраняет риск защелкивания транзисторов. Попутно это позволило уменьшить площадь ячейки и размеры кристалла, приблизив эти показатели к показателям памяти, выпускаемой по нормам 65 нм. Потребляемый ток в режиме ожидания не превышает 2 мкА при температуре 25°C, что делает микросхемы подходящими для хранения данных в устройствах с резервным батарейным питанием. В планах Renesas - выпуск такой памяти плотностью 16 Мбит.

Другие интересные новости:

▪ Стандартизован режим HDMI Alternate Mode для подключения USB-C

▪ Скоростная зарядка для литий-ионных батарей электромобилей

▪ Робот-охранник

▪ Осветительный светодиод Samsung LM301B

▪ Рассчитайся за проезд с помощью мобильного

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Узлы радиолюбительской техники. Подборка статей

▪ статья Безопасная бритва. История изобретения и производства

▪ статья Кем был Сенека? Подробный ответ

▪ статья Парусник из бревен. Личный транспорт

▪ статья Портативная, с AM. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Плавное зажигание лампы накаливания. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026