24. Мировая конкурентоспособность различных стран

США. США являются бесспорным лидером мировой экономики уже со времени Второй мировой войны. В послевоенные годы американские фирмы не только сохранили завоеванные еще в начале XX в. ключевые позиции во многих областях, но и расширили число конкурентоспособных в мировом масштабе отраслей благодаря лидерству в технологиях, квалификации рабочей силы и качестве менеджеров.

В 1970-1980-е гг. экономика страны приблизилась к стадии, движимой богатством, сократились долгосрочные инвестиции, снизилась конкуренция. В настоящее время можно говорить о возвращении страны на инновационную стадию развития, ее лидерстве в структурной перестройке мировой экономики, где главной составляющей становится исключительно быстрое развитие сферы информатизации, и значительном влиянии американского хозяйственного механизма на формирование глобализирующейся экономики.

В США находится большое количество базисных факторов (трудовые и природные ресурсы, значительный капитал). Но своего могущества США достигли во многом за счет вложений в механизмы создания и улучшения качества факторов, главным образом в образование и НИОКР в перспективных отраслях. Благодаря этому США заняли главные позиции во многих сферах науки и техники.

Япония. В последние десятилетия Япония стала сильной мировой державой с конкурентоспособной экономикой. На мировой рынок Япония поставляет продукцию широкого круга отраслей, в первую очередь высокотехнологичных: электроники, биотехнологии, робототехники, а также машиностроения, металлургии и транспорта.

Необычайно успешное и быстрое развитие страны от факторной до инновационной стадии конкурентоспособности обусловлено многими причинами, в том числе производством качественной продукции с низкими издержками, спецификой трудовых отношений, быстрым внедрением новых технологий.

Великобритания. Великобритания является уникальным примером страны, которая после нахождения в течение длительного времени на стадии, движимой богатством, смогла вернуться на инновационную стадию развития.

Несмотря на большие запасы накопленных богатств, к 1970-м гг. в большинстве современных отраслей Великобритания уступила позиции США, Японии, Германии и Франции, что отразилось на ее месте в мировых ВВП, торговле и международных валютных отношениях.

В настоящее время наблюдается процесс перехода Великобритании к экономике, базирующейся на новейших технологиях и услугах.

Авторы: Носова Н.С., Роньшина Н.И.

<< Назад: Условия продвижения страны на высшую стадию развития

>> Вперед: Мировая конкурентоспособность России

Рекомендуем интересные статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки:

▪ Международное частное право. Шпаргалка

▪ Планирование на предприятии. Шпаргалка

▪ История Украины. Важнейшие исторические даты и события. Шпаргалка

Смотрите другие статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива 14-нанометровая память DRAM DDR5 12.10.2021 Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 14-нанометровой памяти DRAM с применением фотолитографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). В марте прошлого года компания поставила первую в отрасли память EUV DRAM. С тех пор количество слоев, формируемых с помощью EUV, увеличено до пяти. По словам производителя, это наиболее передовой техпроцесс в отрасли. Он обеспечивает максимальную на сегодняшний день плотность хранения, позволяя получить с одной пластины примерно на 20% больший объем памяти. Кроме того, 14-нанометровый техпроцесс может помочь снизить энергопотребление почти на 20% по сравнению с предыдущим поколением. Новая память поможет получить "беспрецедентные скорости" до 7,2 Гбит/с, более чем вдвое превышающие максимальную скорость DDR4, равную 3,2 Гбит/с. Samsung планирует выпускать новую память DDR5 для центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверов. Кроме того, запланировано увеличение плотности кристаллов до 24 Гбит.

Другие интересные новости:

▪ Компьютер-изобретатель

▪ Электронная книга ASUS EeeNote EA800

▪ Кофе в пробирках

▪ В кроне лесного великана

▪ Винтовка с возможностью обновлений

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Большая энциклопедия для детей и взрослых. Подборка статей

▪ статья Почемучка. Крылатое выражение

▪ статья В каком городе численность населения впервые на Земле достигла миллиона человек? Подробный ответ

▪ статья Швейцар. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Усилитель на микросхеме TDA7230, 2х0,048 ватта. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Схема, распиновка (распайка) кабеля Siemens S25/C35/S35 (max3232). Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026