Виды и формы международной правовой ответственности государств

В международном праве выделяют два вида ответственности: материальную и политическую. Данные виды ответственности выражаются в разнообразных формах.

Материальная ответственность возникает вследствие нарушения нормы международного права, а также наступления имущественного ущерба. Политическая ответственность возникает вследствие нарушения нормы международного права, охраняющей интересы другого субъекта.

Политическая и материальная ответственность может возникать одновременно в результате совершения одного и того же правонарушения. Политическая ответственность возникает непосредственно из-за факта нарушения нормы международного права, а материальная ответственность - из-за возникшего имущественного ущерба. Возмещению подлежит действительный материальный ущерб.

Комиссия международного права ООН в проекте статей об ответственности государств выделила в качестве форм ответственности: реституцию, компенсацию, сатисфакцию.

Согласно ст. 35, 36 Проекта статей об ответственности государств реституция - это восстановление положения, которое существовало до совершения противоправного деяния. Она может выражаться в возвращении неправомерно захваченного имущества.

Компенсация - это возмещение любого оценимого ущерба, понесенного потерпевшим государством, включает в себя упущенную выгоду. Реституция существует в форме восстановления прежнего правового состояния, включает в себя несение издержек в связи с этим. Компенсируется ущерб, причиненный противоправным деянием, который не покрывается реституцией. Компенсация выражается в форме выплаты денег за причиненный вред.

Сатисфакция - это удовлетворение нематериальных требований потерпевшего государства для возмещения вреда, причиненного его политическим интересам. Сатисфакция выражается в форме выражения сожаления, признания неправомерности своих действий. Выделяют чрезвычайную сатисфакцию (т. е. временное ограничение суверенитета и правоспособности государства), которая может выражаться в формах приостановления деятельности государственных органов и реорганизации политической системы и т. д.

Также в международном праве выделяют чрезвычайную репарацию, т. е. ограничение государства в правомочиях на пользование своими материальными ресурсами.

Политическая ответственность может быть выражена в форме сатисфакций, репрессалий (т. е. ответных насильственных действий, осуществляемых пострадавшим субъектом), реторсии (т. е. ответных акций в связи с недружественными действиями, не составляющими правонарушения).

Материальная ответственность может выражаться в форме реституции, компенсации.

Автор: Вирко Н.А.

<< Назад: Классификация международных правонарушений

>> Вперед: Обстоятельства, исключающие противоправность. Ответственность за правомерную деятельность

Рекомендуем интересные статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки:

▪ Нормальная физиология. Шпаргалка

▪ Основные даты и события отечественной и зарубежной истории. Шпаргалка

▪ История психологии. Шпаргалка

Смотрите другие статьи раздела Конспекты лекций, шпаргалки.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива Датчики изображения с пикселями 1 мкм 31.07.2015 Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска датчиков изображения S5K3P3. По данным производителя, это первые в отрасли датчики изображения с пикселями размером 1 мкм, предназначенные для мобильных устройств. Другие похожие датчики имеют пиксели размером 1,2 мкм. Как утверждается, используя новый датчик, можно уменьшить толщину модуля камеры на 20%, что актуально в свете нынешнего стремления производителей мобильных устройств к уменьшению их толщины. Говоря более конкретно, модуль камеры на базе S5K3P3 имеет толщину менее 5 мм, так что он не будет выступать над уровнем задней крышки тонкого смартфона. В датчиках типа CMOS нашла применение фирменная технология ISOCELL, улучшающая качество изображения. Разрешение датчика изображения Samsung S5K3P3 - 16 Мп. В перспективе южнокорейская компания планирует предложить модели других разрешений.

Другие интересные новости:

▪ Вязкая жидкость из электронов, текущая в графене

▪ Цифровой кошелек вместо бумажных и пластиковых документов

▪ Беспилотные самолеты управляются жестами

▪ Карманный костер Alpha Bonfire

▪ Смартчасы Haylou Solar Neo

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Параметры радиодеталей. Подборка статей

▪ статья Есть такая профессия - родину защищать. Крылатое выражение

▪ статья Почему один из видов бурбона Jim Beam называется долей дьявола? Подробный ответ

▪ статья Термист. Должностная инструкция

▪ статья Электроизоляционные материалы. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Двухдиапазонная УКВ антенна. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025