Бесплатная техническая библиотека

В нашей Бесплатной технической библиотеке Вы можете бесплатно и без регистрации скачать статью "Гибридный выходной каскад усилителя мощности" из журнала КВ и УКВ.

Краткое описание статьи "Гибридный выходной каскад усилителя мощности":

Е.Шелекасов, RX3AX. Гибридный выходной каскад усилителя мощности. ТЕМАТИКА: Радиоэлектроника / Радиостанции. АННОТАЦИЯ: Как правило, в гибридных выходных каскадах, построенных на гальванически связанных лампе и транзисторе, мощность возбуждения поступает в затвор (базу) транзистора, включенного в цепь катода лампы. Однако можно добиться более линейного режима работы такого каскада, если мощность возбуждения одновременно подавать в фазе на управляющую сетку лампы и затвор транзистора, поддерживая рабочую точку лампы на линейном участке характеристики..

В результатах поиска запишите название журнала, год и номер. Затем нажмите на ссылку "скачать в Бесплатной технической библиотеке" и бесплатно скачайте архив с нужным Вам номером.

Для быстрого бесплатного скачивания можно сразу перейти в нужный раздел Библиотеки.

Поиск по книгам, журналам и сборникам:

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Субнанометровая революция от IBM 27.06.2026 В мире полупроводников непрерывная гонка за уменьшением размеров транзисторов давно уперлась в фундаментальные физические ограничения. Квантовые эффекты и атомарные масштабы делают дальнейшее традиционное масштабирование крайне сложным. Тем не менее компания IBM представила инновационную архитектуру, которая позволяет добиться производительности, сопоставимой с элементами менее 1 нанометра, открывая новые горизонты для искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений. В IBM заявили, что их новая архитектура микросхем способна разместить почти 100 миллиардов транзисторов на одном чипе. Это обеспечивает значительный прирост вычислительной мощности и энергоэффективности. Директор IBM Research и научный сотрудник Джей Гамбетта описал технологию как первую в мире с эффективным размером элементов менее 1 нм, ориентированную прежде всего на дата-центры, работающие с задачами искусственного интеллекта. По словам Гамбетты, представленное решение знаменует будущее, в котором производительность компьютеров будет расти без существенного увеличения энергопотребления. При этом в IBM подчеркивают, что речь не идет о буквальном создании транзисторов размером менее 1 нм. Такие размеры уже давно считаются нецелесообразными из-за квантового туннелирования, когда электроны начинают просачиваться сквозь барьеры, нарушая работу устройств. Кроме того, физически невозможно создать стабильный транзистор меньше размера атома кремния, который составляет около 0,24 нм. Новая архитектура IBM основана на 0,7-нанометровом, или 7-ангстремном, технологическом процессе. Она использует вертикальное размещение транзисторов в шахматном порядке на базе предыдущей разработки нанолистовых транзисторов, представленной в 2021 году для 2-нанометрового техпроцесса. Базовая единица состоит из двух соединенных транзисторов, каждый из которых включает три нанолиста толщиной по 5 нм с расстоянием между ними около 9 нм. Это позволяет существенно увеличить плотность элементов на кристалле. Согласно техническим отчетам IBM, новая архитектура обеспечивает на 50 процентов большую вычислительную мощность и на 70 процентов лучшую энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением чипов на 2-нанометровом процессе. Кроме того, она дает 40-процентное улучшение масштабируемости памяти SRAM - ключевого компонента для быстрых операций в системах искусственного интеллекта. Достигнуто это благодаря чередующимся каналам в ячейках SRAM, состоящих из шести транзисторов, что делает каждую ячейку на 40 процентов компактнее. Вице-президент IBM Semiconductors Global R&D и IBM Research Хуймин Бу отметил, что коммерческое производство таких чипов может начаться в течение следующих пяти лет, хотя более реалистичным сроком выглядит ближайшее десятилетие. Компания пока не раскрыла конкретных партнеров для реализации технологии, но интерес со стороны отрасли к подобным прорывам остается высоким.

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Строителю, домашнему мастеру. Подборка статей

▪ статья Изумлять мир злодейством. Крылатое выражение

▪ статья Имеет ли Вселенная конец? Подробный ответ

▪ статья Приемка и отгрузка молока. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Звуковые сигнализаторы на динисторах. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Бестрансформаторный преобразователь напряжения, 28/150-450 вольт 1 ватт. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

www.diagram.com.ua
2000-2026