Бесплатная техническая библиотека

В нашей Бесплатной технической библиотеке Вы можете бесплатно и без регистрации скачать статью "Причины возникновения и расчет потерь в магнитопроводах моточных компонентов".

Воспользуйтесь поиском по Архиву, чтобы узнать, в каком журнале опубликована статья "Причины возникновения и расчет потерь в магнитопроводах моточных компонентов".

В результатах поиска запишите название журнала, год и номер. Затем нажмите на ссылку "скачать в Бесплатной технической библиотеке" и бесплатно скачайте архив с нужным Вам номером.

Для быстрого бесплатного скачивания можно сразу перейти в нужный раздел Библиотеки.

Поиск по книгам, журналам и сборникам:

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Интерактивная система Lego Smart Play 17.01.2026

Компания Lego предложила новый подход к конструкторским играм, представив платформу Smart Play, которая объединяет традиционные кирпичики с сенсорами, звуками и возможностью реагировать на действия ребенка. Разработка системы заняла около восьми лет и направлена на поддержку социальной, сюжетной и творческой игры. Главная идея Smart Play заключается в том, чтобы "спрятать" сложную электронику внутри конструкции. Это позволяет детям сосредотачиваться не на гаджетах, а на создании историй, взаимодействии с персонажами и собственной фантазии. Технология ориентирована на развитие творческого мышления и вовлечение в игру с самого начала. Система базируется на специальном "умном кирпиче", оснащенном датчиками, который способен реагировать на движение, воспроизводить звуки и распознавать другие элементы конструктора, включая умные минифигурки. Дополнительные Tiny Smart Tags позволяют платформе понимать контекст использования кирпичей: например, находится ли элемент в машине, вертолете и ...>>

Геймерские AR-очки ROG XREAL R1 17.01.2026

Дополненная реальность (AR) стремительно проникает в сферу развлечений, открывая пользователям новые формы взаимодействия с играми и мультимедийным контентом. Компании ASUS и XREAL представили долгожданное устройство - AR-очки ROG XREAL R1, которые обещают изменить представление о мобильных играх и иммерсивном игровом опыте. Новинка поражает своими техническими характеристиками. Каждое глазное яблоко пользователя получает изображение с помощью двух micro-OLED дисплеев с разрешением 1920x1080, пиковая яркость достигает 700 нит, а поле зрения составляет 57°. Частота обновления 240 Гц обеспечивает плавное изображение даже в динамичных играх, а встроенные динамики от Bose гарантируют качественный звук. Центром управления устройством стал ROG Control Dock - настоящий мультимедийный хаб, оснащенный двумя HDMI 2.0 и DisplayPort 1.4. Он позволяет мгновенно переключаться между ПК, консолями и другими устройствами. Подключение через USB-C обеспечивает максимальную совместимость, включая по ...>>

Большой адронный коллайдер прекращает работу 16.01.2026

Физика элементарных частиц - одна из самых передовых областей науки, где каждый эксперимент может изменить наше понимание мироздания. Центральным инструментом этих исследований является Большой адронный коллайдер (LHC), уникальный ускоритель частиц, позволяющий изучать самые фундаментальные законы природы. Недавно стало известно, что LHC временно прекращает свою работу для масштабной модернизации, которая подготовит его к новому этапу экспериментов с гораздо большей производительностью. Коллайдер, расположенный в подземном тоннеле вдоль швейцарско-французской границы, создает столкновения частиц на невероятно высоких энергиях. Именно здесь в 2012 году ученые открыли бозон Хиггса - ключевую частицу, объясняющую, почему другие элементарные частицы имеют массу. Это открытие стало одним из самых значимых событий современной физики и подтвердило предсказания Стандартной модели. Причиной временной остановки LHC стало развертывание проекта High-Luminosity LHC (HL-LHC). Модернизация позв ...>>

Случайная новость из Архива Модули памяти DDR4 RDIMM 64 ГБ от Samsung 08.09.2014 Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства модулей DDR4 RDIMM 64 ГБ, в которых используется технология пакетов 3D TSV. Новые высокопроизводительные модули с высокой плотностью будут играть ключевую роль в распространении корпоративных серверов и облачных приложений, а также в дальнейшей диверсификации решений для центров обработки данных, сообщили CNews в Samsung. Новые модули RDIMM включают 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых состоит из четырех 4-гигабитных кристаллов DDR4 DRAM. Чипы с низким энергопотреблением производятся с использованием современного технологического процесса Samsung класса 20 нм и технологии пакетов 3D TSV. "Представляя энергоэффективные модули DDR4, собранные с использованием технологии 3D TSV, мы делаем большой шаг по направлению к массовому рынку DDR4, который должен значительно расшириться благодаря ожидаемому появлению центральных процессоров нового поколения во второй половине этого года", - заявил Джихо Баик, вице-президент, отдел маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. В целом, как отметили в компании, серийное производство модулей 3D TSV знаменует собой новый этап в истории технологий памяти, который следует после того, как Samsung впервые начала производить флэш-память 3D Vertical NAND (V-NAND) в прошлом году. В то время как в технологии 3D V-NAND используются высокие вертикальные структуры массивов ячеек внутри монолитного кристалла, 3D TSV - это инновационная технология построения пакетов, которая позволяет соединять между собой вертикальные слои кристаллов, пояснили в компании . "Для создания пакета 3D TSV DRAM кристаллы DDR4 стачиваются до толщины всего лишь в несколько десятков микронов, после чего в кристаллах создаются сотни мельчайших отверстий. Они вертикально соединяются между собой с помощью электродов, которые пропускаются через отверстия, - рассказали представители Samsung. - Благодаря этому новый модуль 64 ГБ TSV имеет в два раза большую производительность по сравнению с модулем 64 ГБ, где в пакетах используется проводной монтаж. Кроме того, энергопотребление модулей снижается приблизительно в два раза". В будущем, по мнению представителей Samsung, будет возможно соединять между собой более чем четыре кристалла DDR4, используя технологию 3D TSV, что позволит создавать модули DRAM с еще более высокой плотностью. Это позволит ускорить расширение рынка решений памяти премиум-уровня, а также переход с памяти DDR3 на память DDR4 на рынке серверов.

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Сборка кубика Рубика. Подборка статей

▪ статья Обустройство дачи. Советы домашнему мастеру

▪ статья Что такое пиво? Подробный ответ

▪ статья Пылесос для масла. Личный транспорт

▪ статья Твердотельное реле переменного тока 400 В/100 мА 5П50Ф. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Транзисторный усилитель мощности радиостанции первой категории. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

www.diagram.com.ua
2000-2026