Бесплатная техническая библиотека

В нашей Бесплатной технической библиотеке Вы можете бесплатно и без регистрации скачать статью "Возможности современных мини-АТС ".

Воспользуйтесь поиском по Архиву, чтобы узнать, в каком журнале опубликована статья "Возможности современных мини-АТС ".

В результатах поиска запишите название журнала, год и номер. Затем нажмите на ссылку "скачать в Бесплатной технической библиотеке" и бесплатно скачайте архив с нужным Вам номером.

Для быстрого бесплатного скачивания можно сразу перейти в нужный раздел Библиотеки.

Поиск по книгам, журналам и сборникам:

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Лабораторная модель прогнозирования землетрясений 30.11.2025

Предсказание землетрясений остается одной из самых сложных задач геофизики. Несмотря на развитие сейсмологии, ученые все еще не могут точно определить момент начала разрушительного движения разломов. Недавние эксперименты американских исследователей открывают новые горизонты: впервые удалось наблюдать микроскопические изменения в контактной зоне разломов, которые предшествуют землетрясению. Группа под руководством Сильвена Барбота обнаружила, что "реальная площадь контакта" - участки, где поверхности разлома действительно соприкасаются - изменяется за миллисекунды до высвобождения накопленной энергии. "Мы открыли окно в сердце механики землетрясений", - отмечает Барбот. Эти изменения позволяют фиксировать этапы зарождения сейсмического события еще до появления традиционных сейсмических волн. Для наблюдений ученые использовали прозрачные акриловые материалы, через которые можно было отслеживать световые изменения в зоне контакта. В ходе искусственного моделирования примерно 30% ко ...>>

Музыка как естественный анальгетик 30.11.2025

Ученые все активнее исследуют немедикаментозные способы облегчения боли. Одним из перспективных направлений становится использование музыки, которая способна воздействовать на эмоциональное состояние и когнитивное восприятие боли. Новое исследование международной группы специалистов демонстрирует, что даже кратковременное прослушивание любимых композиций может значительно снижать болевые ощущения у пациентов с острой болью в спине. В эксперименте участвовали пациенты, обратившиеся за помощью в отделение неотложной помощи с выраженной болью в спине. Им предлагалось на протяжении десяти минут слушать свои любимые музыкальные треки. Уже после этой короткой сессии врачи фиксировали заметное уменьшение интенсивности боли как в состоянии покоя, так и при движениях. Авторы исследования подчеркивают, что музыка не устраняет саму причину боли. Тем не менее, она воздействует на эмоциональный фон пациента, снижает уровень тревожности и отвлекает внимание, что в сумме приводит к субъективном ...>>

Алкоголь может привести к слобоумию 29.11.2025

Проблема влияния алкоголя на стареющий мозг давно вызывает интерес как у врачей, так и у исследователей когнитивного старения. В последние годы стало очевидно, что границы "безопасного" употребления спиртного размываются, и новое крупное исследование, проведенное международной группой ученых, вновь указывает на это. Работы Оксфордского университета, выполненные совместно с исследователями из Йельского и Кембриджского университетов, показывают: даже небольшие дозы алкоголя способны ускорять когнитивный спад. Команда проанализировала данные более чем 500 тысяч участников из британского биобанка и американской Программы миллионов ветеранов. Дополнительно был выполнен метаанализ сорока пяти исследований, в общей сложности включавших сведения о 2,4 миллиона человек. Такой масштаб позволил оценить не только прямую связь между употреблением спиртного и развитием деменции, но и влияние генетической предрасположенности. Один из наиболее тревожных результатов касается людей с повышенным ге ...>>

Случайная новость из Архива Samsung начал производство 3D-чипов памяти 08.08.2013 Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства новых чипов флэш-памяти NAND, емкостью 16 ГБ. В новых микросхемах впервые в промышленных масштабах реализована технология размещения ячеек в объемной структуре 3D V-NAND. С момента появления 40 лет назад и до сегодняшнего дня флэш-память представляла собой планарную, двухмерную структуру ячеек. Повышать плотность хранения информации до настоящего времени позволяло уменьшение технологического процесса производства. Однако с приближением технологического процесса к 10-нм норме между ячейками памяти стала возникать интерференция, в результате чего надежность хранения данных снизилась ниже допустимого предела. Технология 3D V-NAND призвана решить эту проблему: открыть новый способ повышения плотности хранения данных в дальнейшем, сохранив такую технологическую норму, которая обеспечит необходимый уровень надежности. В новых чипах памяти, выполненных по технологии 3D V-NAND, ячейки расположены по отношению друг к другу в трех измерениях. Соединение ячеек по вертикали обеспечивается специальными проводниками. В одной микросхеме может быть до 24 слоев с ячейками, при этом через специальные отверстия проводник может изолированно проходить сквозь другие слои и, например, соединять ячейки первого и двадцать четвертого слоев. В Samsung утверждают, что 3D V-NAND позволяет добиться 8-кратного увеличения емкости: например, оснастить ноутбук не 128 ГБ памяти, а 1 ТБ. Однако новая технология позволяет не только повысить плотность, но и получить гораздо более высокую надежность (в 2-10 раз) по сравнению с NAND-памятью, выполненной на базе 10-нм техпроцесса. Кроме того, 3D V-NAND обеспечивает более высокую скорость записи - вдвое выше, - утверждают в Samsung.

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электродвигатели. Подборка статей

▪ статья Паскаль Блез. Биография ученого

▪ статья Какой знаменитый конструктор электрогитар сам не умел играть на гитаре? Подробный ответ

▪ статья Кукушкины слезки. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Усилитель низкой частоты на микросхеме PA04. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Инвертор полярности напряжения, 12 вольт 0,1 ампер. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

www.diagram.com.ua
2000-2025