Бесплатная техническая библиотека

В нашей Бесплатной технической библиотеке Вы можете бесплатно и без регистрации скачать статью "Hexfet (полевой транзистор с гексагональной топологией) достиг новой предельной температуры р-п-перехода".

Воспользуйтесь поиском по Архиву, чтобы узнать, в каком журнале опубликована статья "Hexfet (полевой транзистор с гексагональной топологией) достиг новой предельной температуры р-п-перехода".

В результатах поиска запишите название журнала, год и номер. Затем нажмите на ссылку "скачать в Бесплатной технической библиотеке" и бесплатно скачайте архив с нужным Вам номером.

Для быстрого бесплатного скачивания можно сразу перейти в нужный раздел Библиотеки.

Поиск по книгам, журналам и сборникам:

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Коллективное туннелирование электронов 27.07.2009 В сверхпроводнике электроны связаны в пары, причем длина этой связи, так называемая длина когерентности, составляет несколько десятков нанометров. С ними возможно интересное явление: квантовое проскальзывание фазы. Суть его состоит в том, что с позиции квантовой механики электроны в какой-то степени связаны в пару, а в какой-то - нет. Причем соотношение этих степеней колеблется. Если вдруг в некий момент времени электроны окажутся несвязанными, небольшой участок сверхпроводника на мгновение утратит способность проводить сверхпроводящий ток. Когда же диаметр этого сверхпроводника будет много меньше длины когерентности, то он совсем утратит сверхпроводимость - другим парам не удастся обойти внезапно возникшее препятствие. До сих пор считалось, что такое может происходить только с отдельными электронными парами. Однако ученые из Иллинойсского университета во главе с профессорами Алексеем Безрядиным и Полом Гольбратом обнаружили аналогичный эффект макроскопического масштаба: в тонкой сверхпроводящей проволочке сразу сто тысяч электронных пар испытали проскальзывание фазы. При этом выделилось тепло и проволочка, нагревшись, перестала быть сверхпроводящей. В соответствии с законами классической механики такое поведение невозможно: все эти электроны не должны были перейти в новое состояние, поскольку им нужно сначала преодолеть энергетический барьер. Подчиняясь же квантовым законам, они сумели под ним туннелировать, причем всей группой сразу. "Наши результаты подтвердили, что законы квантовой механики работают даже для больших систем", - говорит Алексей Безрядин.

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Опыты по физике. Подборка статей

▪ статья Менделеев Дмитрий Иванович. Знаменитые афоризмы

▪ статья Сколько лет икал рекордсмен по длительности икания, ведя при этом нормальную жизнь? Подробный ответ

▪ статья Управляющий отделением банка. Должностная инструкция

▪ статья Биогазовые установки. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Полумостовой инвертор в зарядном устройстве. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

www.diagram.com.ua
2000-2026