Интересная Случайная пятерка вопросов викторины онлайн.

Смотрите другие статьи раздела Викторина онлайн.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Другие вопросы Викторины онлайн:

Доктор экономических наук Стороженко, комментируя одно из поэтических произведений, удивлялся, что автор, не будучи профессиональным экономистом, верно определил пропорцию. Действительно, в развитых странах работник от стоимости произведенного им продукта получает около 57%. Назовите главного героя этого произведения.

Набоков писал, что "ИХ красоту задуют ветерки". ИМИ славится европейская столица. Назовите ИХ.

Согласно шутке, создан российский шахматный суперкомпьютер "Иван-дурак". Несмотря на то, что он немного уступает зарубежным аналогам, у него есть одно замечательное качество. Какое именно?

Вопрос по мотивам анекдотов Раймонда Паулса. Самый воинственный народ, по мнению композитора: финны. Как же он это обосновывает?

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива Микросхемы памяти типа RRAM 200 мм2 1 ТБ 10.08.2013 Компания Crossbar сообщила о том, что ею создан рабочий массив резистивной памяти (RRAM) на обычной коммерческой фабрике. Это показатель того, что до массового производства (в теории) осталось недолго. Если учесть, что первые образцы подобной памяти были получены ещё в 2006 году, а к 2010 году на тот момент планировалось получение коммерческих образцов, нынешнее достижение Crossbar является достаточно значимым. Напомним, что резистивная память характеризуется высоким быстродействием и малым энергопотреблением. Кроме этого, за счёт меньшего количество проблем с переходом на более тонкие техпроцессы (по сравнению с памятью NAND), RRAM пророчат в качестве замены современной флэш-памяти. Возвращаясь к Crossbar, компания заявляет, что её разработка позволит создавать память объёмом 1 ТБ при площади микросхемы 200 мм2. Кроме этого, благодаря возможности "трёхмерной" архитектуры, можно создавать микросхемы объёмом несколько ТБ. Разработчик утверждает, что его память превосходит лучшие современные образы NAND по скорости записи в 20 раз, по уровню энергопотребления в 20 раз и имеет на порядок больший срок службы.

Другие интересные новости:

Снеки из клубники

Борьба с жарой с помощью холодных крыш

Диагностическая рубашка

Найдено самое радиоактивное место на Земле

Чтобы попасть на самолет, достаточно показать часы

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Искусство видео. Подборка статей

▪ статья Будьте реалистами, требуйте невозможного! Крылатое выражение

▪ статья Как работает ветряная мельница? Подробный ответ

▪ статья Машинист экскаватора роторного. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Автомобиль. Электронный впрыск топлива. Справочник

▪ статья Зарядное устройство 5...10000 мАч. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

www.diagram.com.ua
2000-2026