Интересная Случайная пятерка вопросов викторины онлайн.

Смотрите другие статьи раздела Викторина онлайн.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Другие вопросы Викторины онлайн:

Андрей Бильжо писал, что, судя по документам, ИКС стремился занять свое место много раз еще при деде Андрея. Его вычеркивали, но ИКС оказался очень твердым и добился своего. Назовите ИКС.

Его отца звали Николай. Сам он - фигура весьма значительная. Его любимый герой - Остап Бендер, и ему даже удалось воплотить в жизнь один из замыслов великого комбинатора. О ком идет речь?

Один из них в среднем по миру приходится на миллион человек, а на Новой Гвинее, например, всего на три тысячи. О чем идет речь?

Врач с 32-летним стажем Ю Цинь из китайской провинции Хэйлунцзян воздвиг монумент человеческому невежеству. Скульптурная колонна высотой в 2. 5 метра сооружена из 28 тысяч... Чего?

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива Спиновая память STT-MRAM 23.01.2015 Спиновая память STT-MRAM лишена таких недостатков флеш-памяти, как относительно невысокая надежность и долговечность, а также сравнительно высокая мощность, потребляемая при записи данных. Она рассматривается в качестве замены флеш-памяти и DRAM Сингапурское агентство A*STAR (Agency for Science, Technology and Research) в лице института DSI (Data Storage Institute) и компания Micron Technology объявили о продолжении совместной разработки магнитной памяти с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента спина (spin torque transfer magnetic random access memory, STT-MRAM). Исходное соглашение о сотрудничестве, подписанное осенью 2011 года и рассчитанное на три года, продлено еще на три года. Возможности A*STAR DSI и наработки специалистов института в области STT-MRAM помогли Micron обустроить исследовательский центр в Сингапуре. На начальном этапе сотрудничества институт также поделился опытом, необходимым для успешного изготовления чипов STT-MRAM. Основываясь на успешном опыте совместной работы, партнеры на новом этапе намерены сосредоточиться на разработке механизма переключения с пониженным энергопотреблением и повышении производительности STT-MRAM. Стороны надеются, что сотрудничество приблизит новую технологию памяти в коммерческому применению. Напомним, память STT-MRAM лишена таких недостатков флеш-памяти, как относительно невысокая надежность и долговечность, а также сравнительно высокая мощность, потребляемая при записи данных. Она обладает таким сочетанием качеств, которое позволяет рассматривать ее в качестве замены флеш-памяти и оперативной памяти с произвольным доступом (DRAM). Micron и A*STAR - не единственные, кто ведет разработки в области STT-MRAM. Два года назад специалистам Toshiba удалось создать элемент памяти STT-MRAM с самым маленьким в мире энергопотреблением, а в начале октября нынешнего года компания TDK показала прототипы микросхем памяти STT-MRAM плотностью 8 Мбит. Весной прошлого года о расширении сотрудничество в сфере разработки памяти STT-MRAM объявили IMEC и Globalfoundries.

Другие интересные новости:

Планшетофон No.1 N3 Advanced с камерой 21 Мп

Ультразвук делает лейкопластырь более липким

Дом на энергии водорослей

Трамвай без проводов

Холод для быстрого нагрева

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Компьютерные устройства. Подборка статей

▪ статья Запретный плод сладок. Крылатое выражение

▪ статья Кто первым напечатал книгу типографским способом? Подробный ответ

▪ статья Менеджер по управлению стоимостью проекта. Должностная инструкция

▪ статья Адаптер порта IrDA для компьютера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Система защиты УМЗЧ. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

www.diagram.com.ua
2000-2026