Интересная Случайная пятерка вопросов викторины онлайн.

Смотрите другие статьи раздела Викторина онлайн.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Другие вопросы Викторины онлайн:

Американский писатель Гор Видал объединил свои избранные эссе в одну книгу. В ней объединены три раздела - состояние политики, состояние литературы и состояние нравов. Какими двумя словами называется эта книга на языке оригинала?

ЕГО первый сборник стихов "Горные тропы" вышел в 1957 году в Сухуми.

По какой реке путешествовали герои повести "Трое в лодке, не считая собаки"?

В 1910-х годах будущий президент Географического общества начал писать повесть "Тепловая шахта". Назовите его

В текст вопроса мы добавили одно слово. Как-то у одного заключенного нашли большие запасы консервированной рыбы. Рыбу изъяли и принесли в столовую, что стало причиной Ее. Слово "ОНА" в переводе с латыни означает "вздутие живота". Назовите Ее.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива Архитектура ячейки SRAM на одном транзисторе 18.12.2015 На конференции International Electron Devices Meeting 2015 компания Zeno Semiconductor представила биполярный NMOS-транзистор, который при ближайшем рассмотрении оказался составлен из структур двух транзисторов с открытой базой. Получился этакий виртуальный транзистор с возможностью работать подобно двухтранзисторной ячейке SRAM. Разработчик предлагает создавать из подобных транзисторов энергоэффективные однотранзисторные ячейки SRAM и производительные двухтранзисторные. В обоих случаях площадь ячейки SRAM Zeno окажется в разы меньше площади классической 6T-SRAM. Это экономия места и энергопотребления, включая выигрыш на снижении утечек. Сообщается, что площадь ячейки SRAM Zeno в 28-нм техпроцессе равна 0,025 кв. мкм. Типичная 6T-SRAM в данном техпроцессе занимает 0,127 кв. мкм. Интересно отметить, что новая ячейка даже меньше 10-нм FinFET SRAM Samsung с площадью 0,040 кв. мкм. Также разработчики сообщают, что надежность инновационной однотранзисторной ячейки окажется не хуже показателя SEU (Single Event Upsets) для 6T-SRAM.

Другие интересные новости:

Революционная технология ядерного синтеза

Оптические вихри вокруг лазерных лучей

Грецкие орехи полезны для здоровья сердца

Фотоаппарат Sony Alpha A700

Спиновая ячейка памяти из платиновой клетки

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электрику. ПТЭ. Подборка статей

▪ статья В доме повешенного не говорят о веревке. Крылатое выражение

▪ статья Почему у берегов Японии обитает много крабов с узором на панцире в виде разгневанного лица? Подробный ответ

▪ статья Сколиоз. Медицинская помощь

▪ статья Защита мощных светодиодов от чрезмерного тока. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Плавное включение нагрузки интегрального стабилизатора. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

www.diagram.com.ua
2000-2026