Бесплатная техническая библиотека
Растаявший узел. Секрет фокуса

Справочник / Эффектные фокусы и их разгадки
Комментарии к статье
Описание фокуса:
Работая с шелковым платком, фокусник завязывает в его центре узел. Узел "растаивает".
Секрет фокуса:
Вам потребуется платок (лучше шелковый), имеющий сторону, по меньшей мере, полметра, чтобы трюк получился эффектным.
1. Возьмитесь за углы платка, противолежащие по диагонали, зажав их большим и указательным пальцами каждой руки.

2. Скрутите платок наподобие веревки, но не туго. Угол, удерживаемый пальцами левой руки, назовем углом А, а угол в пальцах правой руки - углом В.

3. Заведите конец В к левой руке и раскройте средний и безымянный пальцы левой руки.
4. Наложите конец В на конец А, пропустив конец В между средним и безымянным пальцами левой руки.

5. Затем правая рука проходит сквозь петлю и захватывает конец А, как показано на рисунке. Средний и безымянный пальцы левой руки поджимают скрученный шелк к ладони под концом А.

6. Когда средний и безымянный пальцы левой руки сомкнулись над платком, средний палец левой руки зацепляет шелк сразу под перекрестием двух концов ниже конца В.

7. Ключевое движение фокуса. Протяните конец А сквозь петлю правой рукой. Конец В крепко зажат большим и указательным пальцами левой руки. Средний и безымянный пальцы левой руки отпускают шелк, когда средний палец левой руки зацепляет и протягивает нижнюю часть конца В через петлю.

8. Продолжая протягивать конец А, вы получаете узел вокруг петли, которую удерживает средний палец левой руки. Когда узел станет достаточно тугим, чтобы сохранять форму, выньте средний палец левой руки из петли.
9. Примечание. Глядя со стороны, можно уверенно сказать, что вы завязали на платке настоящий узел. На самом деле, вы тайно сделали узел "соскальзывающий". Если вы потянете за концы платка, узел "растает"
10. Покажите публике узел на свободно свисающем платке, который вы держите большим и указательным пальцами левой руки.
11. Возьмитесь большим и указательным пальцами правой руки за конец А. Платок держите горизонтально перед собой. Нежно подуйте на платок. Одновременно потяните за концы платка, и узел "растает".
Фокус Растаявший узел представляет собой один из базовых, классических трюков. Очень важно тренироваться до тех пор, пока вы не научитесь завязывать этот узел столь же быстро и непринужденно, как узел простой. Умение быстро вязать такие узлы пригодится вам для других эффектных фокусов.
Автор: Марк Вильсон
Рекомендуем интересные статьи раздела Эффектные фокусы и их разгадки:
▪ Горящий карандаш
▪ Живая тень
▪ Исчезновение на лестнице
Смотрите другие статьи раздела Эффектные фокусы и их разгадки.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
<< Назад
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Кратковременное голодание и работа мозга
25.11.2025
На фоне роста популярности интервального голодания многие опасаются, что отказ от еды на несколько часов может обернуться снижением концентрации, ухудшением памяти и общим "затуманиванием" сознания. Однако современные исследования позволяют иначе взглянуть на эту тему.
Научный обзор, включивший свыше семидесяти независимых экспериментов и более 3,5 тысячи участников, показал: здоровые взрослые, которые не ели от десяти до двенадцати часов, выполняли когнитивные тесты так же качественно, как и те, кто принимал пищу перед испытанием. Память, скорость реакции, логическое мышление и внимание оставались на прежнем уровне, что опровергает распространенный бытовой миф.
Доктор Дэвид Моро, профессор психологии из Университета Окленда в Новой Зеландии, подчеркивает, что представления о "головной туманности" во время голода часто оказываются преувеличенными. Он отмечает, что люди склонны связывать чувство голода с низкой энергией, раздражительностью и невозможностью сосредоточиться, хотя че ...>>
Умная розетка TP-Link Tapo P410M
25.11.2025
Компания TP-Link выпустила на рынок новую уличную розетку Tapo P410M. Она получила поддержку универсального стандарта Matter и стала еще одним шагом в сторону единой экосистемы умных устройств.
Особенность Tapo P410M заключается в том, что она рассчитана на работу в сложных климатических условиях. Устройство функционирует при температуре от -20 до +50 °C и защищено от дождя, влаги и пыли по стандарту IP54. Благодаря этому розетка безопасно используется на открытом воздухе, будь то внутренний двор, садовая зона или наружное освещение возле дома.
Компания TP-Link также акцентировала внимание на удобстве подключения. Розетка поддерживает Wi-Fi 2,4 ГГц и Bluetooth LE, что избавляет от необходимости покупать отдельный хаб. Настройка выполняется через фирменное приложение Tapo или с использованием QR-кода на корпусе, что особенно удобно при установке в труднодоступных местах. После первичной конфигурации управление устройством доступно из приложения или с помощью голосовых помощников A ...>>
Игровой монитор Sony PlayStation Gaming Monitor
24.11.2025
На презентации State of Play компания Sony представила устройство, которое может изменить представления о фирменной экосистеме PlayStation, - свой первый игровой монитор под этим брендом.
PlayStation Gaming Monitor, как официально назвали новинку, ориентирован сразу на две аудитории: владельцев консолей и пользователей ПК. Для компьютерных систем, включая macOS, поддерживается частота обновления до 240 Гц с технологией переменной частоты VRR, а для консолей PlayStation 5 и PlayStation 5 Pro частота ограничена 120 Гц, что соответствует архитектуре и возможностям самих приставок. Основу устройства составляет 27-дюймовая IPS-панель с разрешением QHD 2560?1440 пикселей, обеспечивающая высокую четкость и широкий угол обзора.
Отдельное внимание продукция заслужила благодаря функции, не встречавшейся ранее в мониторах Sony. В нижней части корпуса находится встроенная выдвижная док-станция для беспроводной зарядки контроллеров DualSense. Такой подход позволяет избавиться от отдельных зар ...>>
Случайная новость из Архива Микросхемы SRAM Renesas RMLV0816B и RMLV0808B с высокой радиационной стойкостью
21.12.2014
Компания Renesas Electronics объявила о выпуске пяти новых моделей микросхем статической памяти с произвольным доступом с пониженным энергопотреблением (Advanced LP SRAM), относящихся к сериям RMLV0816B и RMLV0808B. Они имеют плотность 8 Мбит и изготавливаются по нормам 110 нм.
Зачем же использовать такой "грубый" техпроцесс, когда микросхемы для потребительской мобильной электроники уже давно выпускаются по гораздо более тонким нормам?
Все дело в том, что за счет увеличения элементов удается повысить радиационную стойкость. По словам производителя, в новой памяти исключены однократные сбои (Soft Error или Single-Event Upset, SEU) и защелкивание транзисторов (Latch-up).
Причиной однократных сбоев является импульс тока, возникающий при попадании в ячейку иона. Он переводит ячейку в противоположное состояние, но схема остается в работоспособном состоянии. Поскольку размеры транзистора в новых микросхемах сравнительно велики, для переключения требуется такой большой заряд, что вероятность возникновения сбоя стремится к нулю. Кроме того, в схему ячейки введен специальный конденсатор. В отличие от коррекции ошибок с помощью ECC, такой подход позволяет предотвратить одновременное возникновение нескольких ошибок. Применение этого и других приемов, по оценке Renesas, позволило получить такую же степень радиационной стойкости, как и в случае микросхем, выпускаемых по нормам 150 нм.
Что касается защелкивания транзисторов, его причиной является вызванный ионом импульс тока, который приводит к открытию напоминающей тиристор схемы, образуемой паразитными структурами из пар транзисторов разного типа. В результате защелкивания ток через транзисторы растет даже после прекращения воздействия иона, что может привести к перегреву и выходу микросхемы из строя. В новой памяти на монокристаллической подложке сформированы только транзисторы с каналом n-типа, а транзисторы с каналом p-типа сформированы как тонкопленочные транзисторы с использованием поликристаллического кремния, что исключает образование тиристора из паразитных структур и принципиально устраняет риск защелкивания транзисторов. Попутно это позволило уменьшить площадь ячейки и размеры кристалла, приблизив эти показатели к показателям памяти, выпускаемой по нормам 65 нм.
Потребляемый ток в режиме ожидания не превышает 2 мкА при температуре 25°C, что делает микросхемы подходящими для хранения данных в устройствах с резервным батарейным питанием.
В планах Renesas - выпуск такой памяти плотностью 16 Мбит.
|
Другие интересные новости:
▪ Радиоактивность в египетских пирамидах
▪ Большой адронный коллайдер закрылся на реконструкцию
▪ Вода и масло смешиваются
▪ SNSPD-камера для исследования фотонов
▪ Навигатор в лобовом стекле автомобиля
Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:
▪ раздел сайта Ограничители сигнала, компрессоры. Подборка статей
▪ статья Секреты резиномотора. Советы моделисту
▪ статья Какого цвета кожа у белого медведя? Подробный ответ
▪ статья Лазерное излучение
▪ статья Полировка железа. Простые рецепты и советы
▪ статья Радиотелефоны и все о них. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
Оставьте свой комментарий к этой статье:
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2025