Чтобы что-то запомнить, нужно что-то забыть
30.12.2015
Мы часто ловим себя на мысли, что не справляемся с огромным количеством обрушивающейся на нас информации. Речь тут идет не только о новостях, картинках, текстах, видео и аудио из социальных сетей, новостных сайтов и т. д. Даже в обычной, "нецифровой" жизни случается так, что вот мы только что помнили, зачем нам необходимо зайти в магазин, но позвонил знакомый, и после минутного разговора мы уже в растерянности стоим перед полками, пытаясь вспомнить, что такого нужного нам тут понадобилось. Иными словами, память наша порой демонстрирует просто исключительную нестабильность, и мы бы много дали за то, чтобы она была хоть немного стабильнее - особенно в предпраздничные дни.
Однако, по мнению психологов из Университета Глазго, забывать нам просто необходимо - иначе нам потом будет трудно выучить что-то еще. Эксперимент был такой: человек должен был выучить два задания - сначала это были несколько простых слов, а потом несколько простых движений (вроде тех, что мы совершаем, когда набираем код на домофоне или в банкомате). Затем спустя 12 часов проверяли, насколько хорошо оба задания оказались усвоены.
Тест, который изначально шел первым, помогал лучше запомнить второй. То есть если участник эксперимента сначала учил слова, то потом он лучше запоминал последовательность движений, чем когда движения шли первыми. То есть запомнившаяся информация способствовала дальнейшему обучению, хотя оба задания были разнородными. Более того, эффект был сильнее, если между словесным тестом и тестом на движения имелось структурное сродство - если, скажем, последовательность слов была организована схожим образом с последовательностью движений. Для процесса обучения оказывалось важным не конкретные элементы - слова и манипуляции рукой - но взаимосвязи, взаимодействия между ними: мозг, выучив один блок взаимосвязей, был готов усвоить другой.
Однако самый странный результат работы заключается в следующем: эффективность обучения на следующем этапе зависела от того, насколько прочно или непрочно предыдущее задание засело в памяти. Если психологи использовали приемы, консолидирующие, закрепляющие то, что выучено в первом задании, то следующее задание запоминалось хуже. Как ни парадоксально это звучит, нестабильность памяти помогала лучше справиться с новой ситуацией. Для наглядности тут можно представить такую схему: часть когнитивных ресурсов мозга при обучении занимается получением и обработкой новой информации вообще, в целом, а часть занимается именно конкретными значениями (в данном случае - словами и движениями). При обучении мы запоминаем и сам процесс (учимся учиться), и какие-то сведения, которые получили.
Конечно, можно потратить все умственные мощности на фиксацию деталей, но тогда мы, грубо говоря, забудем, что значит учиться. Так и получается, что неглубокая предметная память, на которую мы жалуемся, когда каждая следующая порция информации вытесняет предыдущую, на самом деле есть залог того, что мы в принципе способны адаптироваться к самым разным ситуациям и усваивать самые разные сведения.
<< Назад: Портативный сканер для поиска взрывчатки 30.12.2015
>> Вперед: MAX31856 - АЦП для термопар с защитой и линеаризацией 29.12.2015
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента
12.10.2026
Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения.
Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции.
Основные ...>>
Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников
12.10.2026
Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым.
Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom.
Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>
Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи
11.10.2026
Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов.
Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>
Электромобиль VENTRA с системой очистки воздуха
11.10.2026
Даже автомобили без двигателя внутреннего сгорания не являются полностью безвредными для окружающей среды. При движении любой автомобиль изнашивает шины и тормозные элементы, в результате чего в воздух и на дорожное покрытие попадают мельчайшие частицы. Студенты Эйндховенского технологического университета решили обратить внимание именно на этот мало заметный источник загрязнения и создали концептуальный электромобиль VENTRA, способный собирать часть таких загрязняющих веществ непосредственно во время движения.
Проект разработала команда TU/ecomotive, которая оснастила VENTRA специальной системой улавливания частиц, образующихся при износе шин и торможении. Авторы концепта считают, что переход на электрическую тягу сам по себе не решает проблему автомобильных выбросов. Более тяжелые электромобили дополнительно нагружают шины, а их электродвигатели способны обеспечивать очень быстрое ускорение, что также может способствовать повышенному износу резины. Собранные около колес частицы си ...>>
Лазерное переключение магнитов
10.10.2026
Технологии хранения данных постоянно стремятся уменьшить размеры элементов памяти и одновременно увеличить скорость записи информации. Один из возможных путей связан с использованием света, который способен переносить энергию с огромной скоростью и воздействовать на очень небольшие области материала. Инженеры Университета Калифорнии в Сан-Диего (UC San Diego) продемонстрировали необычный способ управления магнитным состоянием вещества, при котором внешнее магнитное поле вообще не требуется.
В обычных жестких дисках информация записывается в виде последовательности крошечных магнитных областей, соответствующих значениям 1 и 0. Для изменения их состояния обычно необходимо внешнее магнитное поле, однако такой способ требует значительных энергетических затрат и ограничивает скорость записи. Исследователи UC San Diego предложили альтернативу - так называемое оптическое переключение, при котором магнитное состояние изменяется под воздействием лазерного излучения. По оценкам специалистов, ...>>
Случайная новость из Архива Скоростная флэш-память Samsung eUFS 3.1 512 ГБ
21.03.2020
Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска скоростных модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 объемом 512 ГБ для следующего поколения флагманских смартфонов, планшетов и других мобильных устройств.
Новая флэш-память eUFS 3.1 втрое быстрее прошлого поколения, изготовленного в соответствии со стандартом eUFS 3.0. Говоря конкретнее, новые модули обеспечивают пиковую скорость последовательной записи 1200 МБ/с против 410 МБ/с у моделей eUFS 3.0. Это более чем в два раза быстрее, чем у ПК с накопителем SATA (540 МБ/с) и в десять раз быстрее по сравнению с картой памяти microSD UHS-I (90 МБ/с). К слову, с момента освоения выпуска последних прошло немногим больше одного года.
Заявленная пиковая скорость последовательного чтения составляет прежние 2100 МБ/с, максимальная производительность на операциях чтения с произвольным доступом заявлена на уровне 100 000 IOPS (прирост в 1,6 раза), а записи - 70 000 IOPS (прирост в 1,03 раза).
В смартфонах с новой памятью eUFS 3.1 потребуется всего около 1,5 минуты для перемещения 100 ГБ данных, тогда как в моделях с UFS 3.0 эта же операция займет более четырех минут.
Кроме модулей eUFS 3.1 максимального объема 512 ГБ, производитель предлагает версии объемом 128 и 256 ГБ. Они также будут использоваться в смартфонах, которые выйдут на рынок в этом году.
|
Смотрите полный Архив новостей науки и техники, новинок электроники
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2026