Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Импульсный источник питания на микросхеме STR-S6307. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Телевидение

Комментарии к статье Комментарии к статье

Многие импульсные источники питания современных телевизоров собраны на микросхемах, в частности, на STR-S6307 и SE110N. Однако их внутренняя "начинка" на принципиальных схемах часто не показана, что затрудняет проведение ремонта таких источников. Публикуемая статья отчасти устраняет этот пробел. Читатель найдет в ней и сведения о неисправностях, характере их проявления, а также способах включения отечественных трансформаторов в различных импортных моделях телевизоров.

Микросхема STR-S6307 фирмы SANYO используется в источниках питания таких телевизоров, как AIWA: TV-1402, TV-2002, TV-2102; SONY: KV-1435, KV-1485MT, KV-2185MT, KV-RM827S, KV-14DK1, KV-21DK1, KV-RM827B; PANASONIC: TC-21L3RTE, ТC-21E1RTE [1] и др. Между тем отсутствие описаний самой структуры микросхем STRS6307 и SE110N создавало немало трудностей при ремонте их силовых цепей. Именно поэтому необходимо было всесторонне изучить и раскрыть построение этих микросхем. Эта задача была решена путем сравнения схем подключения STRS6307, STR-S5941 и STR-10006 [2]. Для определения структуры SE110N была взята за основу микросхема SE014N [3]. Прозвонка цепей STRS6307 и SE110N, ряд электрических испытаний позволили определить номиналы входящих в них элементов.

Для проверки правильности раскрытия структуры и выяснения возможности замены поврежденных микросхем STR-S6307, SE110N их дискретными эквивалентами, а также возможности замены неисправных трансформаторов 36-24409000А (АIWА), SRT (SONY), ET834K407A (PANASONIC) отечественными ТПИ-8-1 и ТПИ-5 был собран источник питания на отечественных деталях и трансформаторе ТПИ-8-1. Устройство надежно работает под нагрузкой 50...80 Вт как при сборке из навесных деталей, так и при использовании микросхем STR-S6307 и SE110N.

В экспериментальный источник питания были введены неисправности. Описание того, как источник реагирует на них, дано в конце статьи. Принципиальная схема источника питания телевизора AIWA-TV1402/2002/2102 показана на рис. 1 (цепи сетевого и вторичных выпрямителей упрощены). Транзистор КТ847А (VT1 в микросхеме IC801) может быть заменен на КТ872А, BU508A, BU2508A, 2SD1710, транзистор 2SA817A (Q801) - на КТ361Б, транзистор 2SC3852 (Q822) - на КТ940А, диоды EG1Z и EU1Z (D803-D805) - на КД243Д - КД243Ж. Стабилитроном D807 может служить Д814Д.

Импульсный источник питания на микросхеме STR-S6307
(нажмите для увеличения)

Источник работает следующим образом. Напряжение около 300 В с конденсатора С811 после включения телевизора через цепь запуска R803, R804, вывод 3 микросхемы IC801 поступает на базу ключевого транзистора VT1 этой микросхемы. Транзистор начинает открываться. Через него, обмотку намагничивания 7-5 трансформатора Т803 и резистор R805 (датчик тока) протекает линейно нарастающий ток. В обмотке положительной обратной связи (ПОС) 1-2 трансформатора возникает ЭДС взаимоиндукции и протекает увеличивающийся ток базы транзистора VT1 с вывода 1 трансформатора через вывод 5 микросхемы IC801, делитель R5R4, эмиттерные переходы транзисторов VT4 и VT1, вывод 2 IC801 на вывод 2 трансформатора.

Достигнув определенного значения, напряжение с резистора R805, приложенное через выводы 2 и 7 микросхемы IC801 и резистор R1 к эмиттерному переходу транзистора VT3, открывает его. Ток обмотки ПОС замыкается через делитель R5R4, эмиттерные переходы транзисторов VT4 и VT2, транзистор VT3 и резисторы R3, R805. Транзистор VT2 открывается, шунтируя эмиттерный переход транзистора VT1 и закрывая его. Напряжения на обмотках изменяют полярность. Их положительными импульсами подзаряжаются конденсаторы фильтров вторичных выпрямителей. Дальше все повторяется.

Так происходит несколько циклов открывания ключевого транзистора VT1 через цепь запуска. После этого конденсаторы вторичных выпрямителей заряжаются почти до номинальных напряжений и перестают нагружать трансформатор. В результате источник переходит в режим автоколебаний.

В режиме автоколебаний, когда ключевой транзистор VT1 закрыт, на обмотке 1-2 трансформатора имеется напряжение ПОС (плюсом на выводе 2). Током этой обмотки заряжаются конденсаторы: С815 - через вывод 2 микросхемы IC801, диод VD1, вывод 3 IC801 и резистор R810; C814 - через вывод 2 IC801, диод VD2, вывод 4 IC801 и диод D803; С813 - через резистор R807, вывод 9 IC801, диод VD3 и вывод 5 IC801.

Когда токи подзарядки конденсаторов вторичных выпрямителей уменьшаются до нуля, напряжение на обмотке 1-2 трансформатора также становится равным нулю. Напряжение конденсатора С815 через резистор R810, обмотку 1-2 трансформатора и выводы 2,3 IC801 воздействует на эмиттерный переход транзистора VT1 и приоткрывает его. Увеличивающийся ток обмотки 7-5 трансформатора вызывает в его обмотке 1-2 напряжение плюсом на выводе 1. Через выводы 5 и 2 IC801 и делитель R5R4 оно приложено к эмиттерным переходам транзисторов VT4 и VT1.

На элементах VT4, R4, R5, VD2, C814, R808, D803 собран узел поддержания тока базы транзистора VT1. Ток обмотки 1-2 трансформатора, проходя через эмиттерные переходы транзисторов VT4, VT1, открывает их. При этом конденсатор С814 разряжается через них, создавая ток базы транзистора VT1.

Транзистор VT1 выключается транзистором VT2. Он, в свою очередь, управляется узлом выключения по току на элементах VT3, R805, R1, R3 и узлом стабилизации выходных напряжений на транзисторе Q801, оптроне IC802, микросхеме IC821, диодах D804, D805 и стабилитроне D807.

Исполнительная часть узла стабилизации упрощенно изображена на рис. 2. Коллекторное напряжение на транзисторе Q801 складывается из напряжений на обмотке 1-2 трансформатора и конденсаторе С813, заряженном через диод VD3 и резистор R807 при закрытом транзисторе VT1. Элементы R811 и С816 составляют нижнее плечо делителя напряжения смещения базы транзистора Q801. Верхнее плечо образовано резистором R814 и фототранзистором оптрона IC802. Через светодиод оптрона IC802 (см. рис. 1) протекает выходной ток узла сравнения на транзисторе VT1 микросхемы IC821. Фототранзистор оптрона (см. рис. 2) уменьшает свое сопротивление при увеличении выходного напряжения 112 В. В результате изменяется эмиттерный ток транзистора Q801, представляющий собой часть базового тока транзистора VT2 (см. рис. 1). Транзистор VT2 изменяет момент своего открывания и шунтирования эмиттерного перехода ключевого транзистора VT1.

Импульсный источник питания на микросхеме STR-S6307

Защитный стабилитрон D807 предназначен для увеличения тока транзистора Q801 при резком возрастании размаха импульсов на обмотке 1-2 трансформатора, например, из-за обрыва нагрузок. Диод D805 вместе с резисторами R811, R4, R5 ограничивает амплитуду импульсов на обмотке 1-2. Диод D804 вместе с резистором R811 служит для перезарядки конденсатора С816 во время закрытого состояния транзистора VT1 через коллекторный переход транзистора VT2, эмиттерный переход транзистора Q801 и резистор R812.

В случае выхода из строя трансформатора Т803 (AIWA), T601 (SONY), когда нельзя добраться до поврежденной обмотки, в источнике питания можно установить импульсный трансформатор ТПИ-8-1. Схема его подключения в телевизоре AIWA представлена на рис. 3. Напряжение +8,6 В для питания источника STANDBY +5 V и узла подачи сигнала сброса на микросхеме IC822 (ST3050R) обеспечивается дополнительными элементами VD1, C1, C2, DA1.

Импульсный источник питания на микросхеме STR-S6307

Самой простой можно назвать схему подключения трансформатора ТПИ-8-1 к телевизору SONY. В нем использованы только четыре обмотки трансформатора: обмотка намагничивания 19-1, обмотка ПОС 3-5, обмотка 6-12 для источника 115 В и обмотка 16-20 для источника 15 В.

Для замены трансформатора Т801 телевизора PANASONIC подходит ТПИ-5. Схема его подключения изображена на рис. 4.

Импульсный источник питания на микросхеме STR-S6307

Неисправности, встречающиеся в устройстве, можно разделить на две группы: повреждения внутри микросхем IC801 и IC821 и дефекты навесных элементов.

Обрывы в транзисторах VT2 и VT3 микросхемы IC801 неизбежно приводят к пробою транзистора VT1 и перегоранию сетевого предохранителя.

При обрыве в резисторах R803, R804 выходные напряжения равны нулю. То же происходит и при обрыве цепи R810, C815, обмотка 1-2 трансформатора Т803.

В случае обрыва или потери емкости конденсатора С814 выходное напряжение источника 112 В снижается до 97 В. То же возникает и при обрыве резистора R808. Обрыв диода D803 вызывает снижение напряжения источника до 92 В, а конденсатора С816 - до 32 В.

Наоборот, обрыв или потеря емкости конденсатора С813 повышает напряжение источника до 160 В, слышен довольно сильный свист.

В случае пробоя транзистора Q801 напряжение источника 112 В снижается до 20 В и слышно верещание.

При обрыве эмиттера транзистора Q801, элементов оптрона IC802 или транзистора VT1 в микросхеме IC821 напряжение источника также возрастает до 160 В и слышен сильный свист.

Длительная работа с оборванной петлей автоматического регулирования, когда выходное напряжение равно 160 В, вызывает пробой транзистора VT1 в микросхеме IC801 и выходного транзистора строчной развертки.

Литература

  1. Родин А. В., Тюнин Н. А. Ремонт телевизоров (импортных). - М.: Солон, 1995, с. 22, 114, 239, 251.
  2. Колесниченко О. В., Шишигин И. В., Обрученков В. А. Интегральные микросхемы зарубежной бытовой видеоаппаратуры. Справочное пособие. - С.-Пб.: Лань, 1995, с. 79, 80, 96.
  3. Альбом схем "VIDEO-6". Схема видеомагнитофона "PANASONIC NV-J40".

Автор: И.Молчанов, г.Москва

Смотрите другие статьи раздела Телевидение.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Мизофония может иметь выраженную генетическую основу 15.10.2026

Для большинства людей звук жевания, дыхания или сопения остается практически незаметной частью повседневной жизни. Однако у людей с мизофонией такие совершенно обычные звуки способны вызывать мгновенную и крайне сильную негативную реакцию. Причины этого состояния до сих пор изучены недостаточно, однако новое исследование указывает на важную роль наследственности. Полученные данные свидетельствуют о том, что предрасположенность к мизофонии может иметь глубокую генетическую основу. Исследованием занималась команда Медицинской школы Йельского университета, сосредоточившая внимание на семейной истории людей с этим расстройством. В отличие от ряда предыдущих работ, проводившихся преимущественно с помощью дистанционных опросов, на этот раз специалисты непосредственно обследовали 101 человека с мизофонией и членов их семей. Такой подход позволил исследователям оценить не только распространенность состояния среди родственников, но и возможные связи с другими особенностями психического здоро ...>>

Запись магнитных данных с помощью сверхбыстрых лазерных импульсов 15.10.2026

Системы хранения данных постоянно сталкиваются с необходимостью одновременно увеличивать скорость записи, плотность информации и энергоэффективность. Один из возможных путей решения этой задачи связан с использованием света для управления магнитными состояниями материала. Инженеры Калифорнийского университета в Сан-Диего разработали метод, в котором специально сформированные лазерные импульсы позволяют изменять направление намагниченности, открывая перспективу создания более быстрых и компактных магнитных устройств памяти. Главное отличие нового подхода заключается в том, что исследователи управляют не составом магнитного материала, а характеристиками самого лазерного излучения. Ультрабыстрый лазер концентрирует энергию на микроскопическом участке поверхности. Когда диаметр светового пятна становится меньше 1,36 мкм, специалистам удается переключать направление намагниченности независимо от спиральности света, то есть направления вращения его поляризации. Это позволяет отказаться от ...>>

Биокаталитический способ получения хиральных оксазолидинонов 14.10.2026

Химия все чаще обращается к биологическим молекулам, чтобы сделать синтез сложных веществ более точным и эффективным. Особенно важны такие технологии при создании соединений, у которых одинаковый химический состав может сопровождаться разным пространственным расположением атомов и, следовательно, различными свойствами. Исследователи из Калифорнийского технологического института и Университета Питтсбурга предложили новый биокаталитический подход, позволяющий получать хиральные оксазолидиноны непосредственно из простых неактивированных алкенов. В основе предложенного метода лежит последовательность из двух реакций - азиридинирования и последующего расширения цикла. Этот каскад запускается с помощью гемопротеина, который выполняет функцию катализатора и позволяет направлять химическое превращение в нужную сторону. В результате из относительно простого исходного соединения формируется более сложная циклическая структура с заданной пространственной конфигурацией. Особенно существенным ...>>

Случайная новость из Архива

Здоровье человека зависит от деревьев 04.02.2013

Исследование Лесной службы США, показывает, что деревья тесно связаны со здоровьем человека, а вырубка близлежащего леса или парка может даже стать причиной преждевременной смерти. Необычное исследование удалось осуществить на основе анализа массовой гибели лесов от изумрудного жука-пилильщика (Podosesia fraxini). Этот жук был впервые обнаружен недалеко от Детройта, штат Мичиган, в 2002 году. В центральной и западной части США этот вредитель уничтожил 100 миллионов деревьев, что дало богатый материал для анализа воздействия гибели лесов на здоровье людей.

Ученые проанализировали данные за почти 18 лет из 1296 округов в 15 штатах и обнаружили, что американцы, живущие в районах, где деревья заражены изумрудным жуком, умирают чаще. Так, в регионах, где жуки уничтожали ясень, наблюдается до 15000 дополнительных случаев смерти от сердечно-сосудистых заболеваний и на 6000 больше смертей от заболевания дыхательных путей. Таким образом, исчезновение деревьев с улиц и парков приводит к гибели людей. Данные за 1990-2007 и 2010 годы поступили из округов и были обработаны с учетом влияния демографических различий, таких как доход, раса и образование. Некоторое влияние на рост смертности оказывали "посторонние" переменные, такие как, например, уровень дохода или образование, однако повышенная смертность неизменно совпадала с гибелью деревьев, причем аналогичное явление обнаружилось и в регионах с совершенно разной демографической картиной.

Исследование явно прослеживает связь гибели деревьев с повышенной смертностью людей, однако четкую причинно-следственную связь проследить сложно. Пока не совсем ясно, связаны ли смерти с ухудшением качества воздуха, стрессом или какими-либо другими факторами, касающимися деревьев.

Другие интересные новости:

▪ barebone-система GIGABYTE GB-BNi5G4-1050Ti

▪ Летающие микросхемы Qualcomm

▪ Выращивание томатов из семян неспелых растений

▪ Наножидкость для добычи нефти

▪ Микросхемы высоковольтных DC-DC-преобразователей напряжения

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Микроконтроллеры. Подборка статей

▪ статья Олух царя небесного. Крылатое выражение

▪ статья Какие фильмы и альбомы продавались на DVD, стилизованных под пиратскую продукцию? Подробный ответ

▪ статья Оказание первой медицинской помощи при травмах опорно-двигательного аппарата. Медицинская помощь

▪ статья Медицинские микронасосы, их ремонт и обслуживание. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Схема, распиновка (распайка) кабеля для телефонов Ericsson T2688. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026