Импульсный источник питания на микросхеме STR-S6307. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Телевидение

 Комментарии к статье

Многие импульсные источники питания современных телевизоров собраны на микросхемах, в частности, на STR-S6307 и SE110N. Однако их внутренняя "начинка" на принципиальных схемах часто не показана, что затрудняет проведение ремонта таких источников. Публикуемая статья отчасти устраняет этот пробел. Читатель найдет в ней и сведения о неисправностях, характере их проявления, а также способах включения отечественных трансформаторов в различных импортных моделях телевизоров.

Микросхема STR-S6307 фирмы SANYO используется в источниках питания таких телевизоров, как AIWA: TV-1402, TV-2002, TV-2102; SONY: KV-1435, KV-1485MT, KV-2185MT, KV-RM827S, KV-14DK1, KV-21DK1, KV-RM827B; PANASONIC: TC-21L3RTE, ТC-21E1RTE [1] и др. Между тем отсутствие описаний самой структуры микросхем STRS6307 и SE110N создавало немало трудностей при ремонте их силовых цепей. Именно поэтому необходимо было всесторонне изучить и раскрыть построение этих микросхем. Эта задача была решена путем сравнения схем подключения STRS6307, STR-S5941 и STR-10006 [2]. Для определения структуры SE110N была взята за основу микросхема SE014N [3]. Прозвонка цепей STRS6307 и SE110N, ряд электрических испытаний позволили определить номиналы входящих в них элементов.

Для проверки правильности раскрытия структуры и выяснения возможности замены поврежденных микросхем STR-S6307, SE110N их дискретными эквивалентами, а также возможности замены неисправных трансформаторов 36-24409000А (АIWА), SRT (SONY), ET834K407A (PANASONIC) отечественными ТПИ-8-1 и ТПИ-5 был собран источник питания на отечественных деталях и трансформаторе ТПИ-8-1. Устройство надежно работает под нагрузкой 50...80 Вт как при сборке из навесных деталей, так и при использовании микросхем STR-S6307 и SE110N.

В экспериментальный источник питания были введены неисправности. Описание того, как источник реагирует на них, дано в конце статьи. Принципиальная схема источника питания телевизора AIWA-TV1402/2002/2102 показана на рис. 1 (цепи сетевого и вторичных выпрямителей упрощены). Транзистор КТ847А (VT1 в микросхеме IC801) может быть заменен на КТ872А, BU508A, BU2508A, 2SD1710, транзистор 2SA817A (Q801) - на КТ361Б, транзистор 2SC3852 (Q822) - на КТ940А, диоды EG1Z и EU1Z (D803-D805) - на КД243Д - КД243Ж. Стабилитроном D807 может служить Д814Д.

(нажмите для увеличения)

Источник работает следующим образом. Напряжение около 300 В с конденсатора С811 после включения телевизора через цепь запуска R803, R804, вывод 3 микросхемы IC801 поступает на базу ключевого транзистора VT1 этой микросхемы. Транзистор начинает открываться. Через него, обмотку намагничивания 7-5 трансформатора Т803 и резистор R805 (датчик тока) протекает линейно нарастающий ток. В обмотке положительной обратной связи (ПОС) 1-2 трансформатора возникает ЭДС взаимоиндукции и протекает увеличивающийся ток базы транзистора VT1 с вывода 1 трансформатора через вывод 5 микросхемы IC801, делитель R5R4, эмиттерные переходы транзисторов VT4 и VT1, вывод 2 IC801 на вывод 2 трансформатора.

Достигнув определенного значения, напряжение с резистора R805, приложенное через выводы 2 и 7 микросхемы IC801 и резистор R1 к эмиттерному переходу транзистора VT3, открывает его. Ток обмотки ПОС замыкается через делитель R5R4, эмиттерные переходы транзисторов VT4 и VT2, транзистор VT3 и резисторы R3, R805. Транзистор VT2 открывается, шунтируя эмиттерный переход транзистора VT1 и закрывая его. Напряжения на обмотках изменяют полярность. Их положительными импульсами подзаряжаются конденсаторы фильтров вторичных выпрямителей. Дальше все повторяется.

Так происходит несколько циклов открывания ключевого транзистора VT1 через цепь запуска. После этого конденсаторы вторичных выпрямителей заряжаются почти до номинальных напряжений и перестают нагружать трансформатор. В результате источник переходит в режим автоколебаний.

В режиме автоколебаний, когда ключевой транзистор VT1 закрыт, на обмотке 1-2 трансформатора имеется напряжение ПОС (плюсом на выводе 2). Током этой обмотки заряжаются конденсаторы: С815 - через вывод 2 микросхемы IC801, диод VD1, вывод 3 IC801 и резистор R810; C814 - через вывод 2 IC801, диод VD2, вывод 4 IC801 и диод D803; С813 - через резистор R807, вывод 9 IC801, диод VD3 и вывод 5 IC801.

Когда токи подзарядки конденсаторов вторичных выпрямителей уменьшаются до нуля, напряжение на обмотке 1-2 трансформатора также становится равным нулю. Напряжение конденсатора С815 через резистор R810, обмотку 1-2 трансформатора и выводы 2,3 IC801 воздействует на эмиттерный переход транзистора VT1 и приоткрывает его. Увеличивающийся ток обмотки 7-5 трансформатора вызывает в его обмотке 1-2 напряжение плюсом на выводе 1. Через выводы 5 и 2 IC801 и делитель R5R4 оно приложено к эмиттерным переходам транзисторов VT4 и VT1.

На элементах VT4, R4, R5, VD2, C814, R808, D803 собран узел поддержания тока базы транзистора VT1. Ток обмотки 1-2 трансформатора, проходя через эмиттерные переходы транзисторов VT4, VT1, открывает их. При этом конденсатор С814 разряжается через них, создавая ток базы транзистора VT1.

Транзистор VT1 выключается транзистором VT2. Он, в свою очередь, управляется узлом выключения по току на элементах VT3, R805, R1, R3 и узлом стабилизации выходных напряжений на транзисторе Q801, оптроне IC802, микросхеме IC821, диодах D804, D805 и стабилитроне D807.

Исполнительная часть узла стабилизации упрощенно изображена на рис. 2. Коллекторное напряжение на транзисторе Q801 складывается из напряжений на обмотке 1-2 трансформатора и конденсаторе С813, заряженном через диод VD3 и резистор R807 при закрытом транзисторе VT1. Элементы R811 и С816 составляют нижнее плечо делителя напряжения смещения базы транзистора Q801. Верхнее плечо образовано резистором R814 и фототранзистором оптрона IC802. Через светодиод оптрона IC802 (см. рис. 1) протекает выходной ток узла сравнения на транзисторе VT1 микросхемы IC821. Фототранзистор оптрона (см. рис. 2) уменьшает свое сопротивление при увеличении выходного напряжения 112 В. В результате изменяется эмиттерный ток транзистора Q801, представляющий собой часть базового тока транзистора VT2 (см. рис. 1). Транзистор VT2 изменяет момент своего открывания и шунтирования эмиттерного перехода ключевого транзистора VT1.

Защитный стабилитрон D807 предназначен для увеличения тока транзистора Q801 при резком возрастании размаха импульсов на обмотке 1-2 трансформатора, например, из-за обрыва нагрузок. Диод D805 вместе с резисторами R811, R4, R5 ограничивает амплитуду импульсов на обмотке 1-2. Диод D804 вместе с резистором R811 служит для перезарядки конденсатора С816 во время закрытого состояния транзистора VT1 через коллекторный переход транзистора VT2, эмиттерный переход транзистора Q801 и резистор R812.

В случае выхода из строя трансформатора Т803 (AIWA), T601 (SONY), когда нельзя добраться до поврежденной обмотки, в источнике питания можно установить импульсный трансформатор ТПИ-8-1. Схема его подключения в телевизоре AIWA представлена на рис. 3. Напряжение +8,6 В для питания источника STANDBY +5 V и узла подачи сигнала сброса на микросхеме IC822 (ST3050R) обеспечивается дополнительными элементами VD1, C1, C2, DA1.

Самой простой можно назвать схему подключения трансформатора ТПИ-8-1 к телевизору SONY. В нем использованы только четыре обмотки трансформатора: обмотка намагничивания 19-1, обмотка ПОС 3-5, обмотка 6-12 для источника 115 В и обмотка 16-20 для источника 15 В.

Для замены трансформатора Т801 телевизора PANASONIC подходит ТПИ-5. Схема его подключения изображена на рис. 4.

Неисправности, встречающиеся в устройстве, можно разделить на две группы: повреждения внутри микросхем IC801 и IC821 и дефекты навесных элементов.

Обрывы в транзисторах VT2 и VT3 микросхемы IC801 неизбежно приводят к пробою транзистора VT1 и перегоранию сетевого предохранителя.

При обрыве в резисторах R803, R804 выходные напряжения равны нулю. То же происходит и при обрыве цепи R810, C815, обмотка 1-2 трансформатора Т803.

В случае обрыва или потери емкости конденсатора С814 выходное напряжение источника 112 В снижается до 97 В. То же возникает и при обрыве резистора R808. Обрыв диода D803 вызывает снижение напряжения источника до 92 В, а конденсатора С816 - до 32 В.

Наоборот, обрыв или потеря емкости конденсатора С813 повышает напряжение источника до 160 В, слышен довольно сильный свист.

В случае пробоя транзистора Q801 напряжение источника 112 В снижается до 20 В и слышно верещание.

При обрыве эмиттера транзистора Q801, элементов оптрона IC802 или транзистора VT1 в микросхеме IC821 напряжение источника также возрастает до 160 В и слышен сильный свист.

Длительная работа с оборванной петлей автоматического регулирования, когда выходное напряжение равно 160 В, вызывает пробой транзистора VT1 в микросхеме IC801 и выходного транзистора строчной развертки.

Литература

1. Родин А. В., Тюнин Н. А. Ремонт телевизоров (импортных). - М.: Солон, 1995, с. 22, 114, 239, 251.
2. Колесниченко О. В., Шишигин И. В., Обрученков В. А. Интегральные микросхемы зарубежной бытовой видеоаппаратуры. Справочное пособие. - С.-Пб.: Лань, 1995, с. 79, 80, 96.
3. Альбом схем "VIDEO-6". Схема видеомагнитофона "PANASONIC NV-J40".

Автор: И.Молчанов, г.Москва

Смотрите другие статьи раздела Телевидение.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Власть является ключевым фактором счастья в отношениях 11.03.2026

Исследования семейных и романтических отношений показывают, что длительное счастье пары зависит не только от привычных факторов, таких как доверие, уважение и преданность, но и от более тонких психологических аспектов. Современные ученые ищут закономерности, которые отличают действительно счастливые пары от остальных, чтобы понять, какие механизмы поддерживают гармонию в отношениях. Группа исследователей из Университета Мартина Лютера в Галле-Виттенберге и Бамбергского университета провела опрос среди 181 пары, которые состояли в совместных отношениях более восьми лет и прожили вместе хотя бы месяц. Участники заполняли анкету, описывая различные аспекты своих отношений, включая распределение обязанностей, эмоциональную поддержку и степень вовлеченности в совместные решения. Анализ данных показал интересный паттерн: пары, где оба партнера ощущали высокий уровень личной власти, оказывались наиболее счастливыми и удовлетворенными. В данном контексте под властью понимается способност ...>>

Защищенная колонка-повербанк Anker Soundcore Boom Go 3i 11.03.2026

Компания Anker представила новую модель линейки Soundcore - колонку Soundcore Boom Go 3i, ориентированную на активное использование на улице. Новинка отличается высокой степенью защиты: корпус соответствует стандарту IP68, что обеспечивает водо- и пыленепроницаемость, а ударопрочный дизайн выдерживает падение с высоты до одного метра. За качество звука отвечает 15-ваттный драйвер, обеспечивающий пик громкости до 92 дБ, а технология BassUp 2.0 усиливает низкие частоты, делая звучание более насыщенным. Колонка обладает автономностью до 24 часов, а LED-индикатор позволяет контролировать уровень заряда батареи. Кроме того, Soundcore Boom Go 3i может выполнять функцию павербанка: согласно внутренним тестам, устройство способно зарядить iPhone 17 с нуля до 40% за один час, что делает его полезным аксессуаром в походах и поездках. Среди функциональных особенностей модели стоит выделить технологию Auracast, которая улучшает подключение и позволяет создавать стереопару из двух колонок ...>>

Раннее воздержание от алкоголя перестраивает мозг и иммунитет 10.03.2026

Алкогольная зависимость - хроническое расстройство с компульсивным употреблением спиртного, которое влияет не только на поведение, но и на функционирование мозга и иммунной системы. Недавние исследования показали, что даже на ранних этапах воздержания организм начинает перестраиваться, открывая новые возможности для терапии зависимости. Ученые сосредоточились на пациентах, находящихся в первые недели абстиненции, и зафиксировали значительные изменения в мозговой активности. С помощью функциональной магнитно-резонансной томографии они выявили перестройку сетей нейронных связей, отвечающих за контроль импульсов и принятие решений. Эти изменения могут быть ключевыми для восстановления самоконтроля и снижения риска рецидива. Одновременно с нейронной перестройкой исследователи наблюдали колебания иммунной системы. В крови повышался уровень цитокинов - сигнальных белков, регулирующих воспалительные процессы. Эти данные свидетельствуют о существовании нейроиммунного взаимодействия, при ...>>

Случайная новость из Архива Причины мужского живота 12.08.2024 Появление живота у мужчин - это распространенная проблема, которая имеет как биологические, так и поведенческие причины. Исследователи из Калифорнийского университета выяснили, почему у мужчин при наборе веса жир в первую очередь скапливается именно в области живота, превращая ее в проблемную зону. Мужчины и женщины по-разному накапливают жир в своих телах. У мужчин избыточный вес в первую очередь проявляется на животе. Это связано с тем, что мужской организм запрограммирован на откладывание жира именно в этой области. Ученые сравнили этот процесс с заполнением багажника в автомобиле - в первую очередь все лишнее отправляется именно туда, пока есть место. Накопление жира на животе усугубляется малоподвижным образом жизни. Сидячая работа, отсутствие физической активности и неправильное питание ускоряют процесс отложения жира в этой области. Когда "багажник" переполнен, жир начинает скапливаться на других участках тела, включая внутренние органы, что представляет серьезную опасность для здоровья. Жир, который откладывается вокруг внутренних органов (висцеральный жир), особо опасен. Он может привести к развитию таких заболеваний, как сахарный диабет, гипертония и сердечно-сосудистые проблемы. В отличие от подкожного жира, который можно видеть и ощущать, висцеральный жир скрыт внутри тела и может долгое время оставаться незаметным, пока не вызовет серьезные проблемы со здоровьем. У женщин процесс накопления жира происходит иначе. Под воздействием эстрогена жир у женщин преимущественно откладывается на бедрах и ягодицах, что связано с подготовкой организма к возможной беременности. Когда эти зоны переполняются, жир начинает накапливаться в области живота, что делает распределение жировых отложений схожим с мужским. Чтобы предотвратить накопление жира на животе, важно придерживаться активного образа жизни, правильно питаться и контролировать вес. Регулярные физические упражнения, особенно силовые и кардионагрузки, помогают сжигать лишние калории и укреплять мышцы живота, что способствует поддержанию стройной талии. Накопление жира на животе у мужчин связано с биологическими особенностями их организма и образом жизни. Малоподвижность и неправильное питание усиливают эту проблему, превращая "мужской живот" в зону повышенного риска. Осознание этих факторов и приверженность здоровому образу жизни помогут избежать негативных последствий для здоровья и поддерживать хорошую физическую форму.

Другие интересные новости:

▪ Аквариумные рыбки для космонавтов

▪ Умный стайлер Dyson Airwrap

▪ Магнит-мусороуборщик на орбите

▪ Анонсирован новый референсный дизайн цифровых фотокамер

▪ Экспериментальные подводные дата-центры Microsoft

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Бытовые электроприборы. Подборка статей

▪ статья Прокатный стан. История изобретения и производства

▪ статья Какая разница между ослом и ишаком? Подробный ответ

▪ статья Инженер по безопасности движения. Должностная инструкция

▪ статья Антенный переключатель. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Химия и стирка. Химический опыт

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026