Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Флюсы, пасты, чернила, лаки. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Технологии радиолюбителя

Комментарии к статье Комментарии к статье

ФЛЮСЫ:

ФТБФ - для пайки алюминия и большинства его сплавов, коррозиестойких сталей, меди и ее сплавов, никеля, кадмия, свинца, металлов платиновой группы. Температура активности 200...320СС. Удаляется водой.

38Н - для пайки нихрома, бериллиевой бронзы, константана, углеродистых и коррозиестойких сталей, никеля, меди и ее сплавов. Температура активности 300...390СС. Удаляется водой.

ФЦА - для пайки меди, никеля и их сплавов, цинка и углеродистых сталей, имеет повышенную активность и обеспечивает высокое качество паяных соединений при работе с низколегированными сортами стали. Температура активности 160...350 С. Удаляется водой.

МЭК - для пайки электронных компонентов печатных плат, позволяет производить лужение низкотемпературными припоями без предварительной зачистки. Температура активности 200...330 С. Удаляется водой. Флюс нетоксичен, не вызывает коррозию, не огнеопасен. 

ФДГл - бесканифольный глицериновый флюс. Предназначен для пайки стали, никеля, меди и ее сплавов без предварительной зачистки. Температура активности 150...300СС. Удаляется водой.

ЛТИ-120 (спиртоканифоль) - для пайки меди и ее сплавов, углеродистой стали, никеля, эффективен при пайке радиоэлектронных компонентов. Температура активности 200...300СС. Удаляется спиртом или спирто-бензиновой смесью.

ФКТ - для пайки электронных компонентов печатных плат низкотемпературными припоями без предварительной очистки. Температура активности 160...300 С. Удаляется водой. Припой ПОС-61. Объем 20 см3 стоит 1 грн. 90 коп. Возможна поставка 0,5 л. Флюс нетоксичен, не вызывает коррозию, не огнеопасен. Отличительной особенностью этого флюса является очень низкая стоимость.

ФТС - бесканифольный нейтральный флюс, предназначен для пайки деталей радиоаппаратуры, стали, никеля, меди и их сплавов. Температура активности 180...350СС. Пайка производится припоем ПОС-61. Остатки флюса смываются водой или спиртом.

ФГА - предназначен для пайки стали, никеля, меди и ее сплавов без предварительной зачистки. Пайка производится припоем ПОС-61. Температура активности 150...300 С Остатки флюса смываются водой.

ТАГС - для пайки электронных компонентов печатных плат, позволяет производить лужение плат низкотемпературными припоями без предварительной зачистки поверхности лужения. Температура активности 200...330 С. Пайка производится припоем ПОС-61. Флюс нетоксичен, не вызывает коррозию, не огнеопасен. При необходимости остатки флюса смываются водой. 

Кроме того, все перечисленные флюсы продавцы могут поставлять заправленными в маркеры с диаметром пишущей части 6,0 мм и 2,0 мм. Основное отличие от импортных заключается в том, что за счет более грамотного подбора консистенции на пишущей поверхности не возникает застывающих капель, которые надо счищать.

ПАСТЫ:

КТП-19 - теплопроводящая невысыхающая паста, предназначена для улучшения теплового контакта между нагревающимися деталями и поверхностью охлаждающего радиатора. На вид -вязкая, пастообразная масса светло-серого цвета. Теплопроводность 0,8...1,1 вт/м град. Удельное объемное электрическое сопротивление не менее 10 Ом/см. Тангенс угла диэлектрических потерь не более 0,02 на частоте 1 МГц. Диэлектрическая проницаемость 4,5 на той же частоте. Сохранение пластичности не менее 10 лет.

Паяльная - предназначена для групповой пайки радиоэлементов методом поверхностного монтажа в среде горячего воздуха. Нанесение пасты в зоны пайки возможно трафаретным способом. Применима и при работе паяльником. Не требуется предварительная очистка. Остатки смываются спиртом или водой.

ЧЕРНИЛА:

ЧС-2 (1)

Для нанесения рисунка печатной платы на металлическую поверхность пером, рапидографом, фломастером или капиллярной ручкой для последующего травления водным раствором хлорного железа. Рабочая температура раствора 80 С Смывка - любой спиртосодержащий раствор.

ЛАКИ:

Лак ТЛС

Для нанесения (восстановления) контактных токопроводящих поверхностей на резиновую основу. Время отвердения при 18СС не более 20 мин.

Смотрите другие статьи раздела Технологии радиолюбителя.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Особенности почек помогают легче переносить высоту 18.01.2025

Высокогорные регионы всегда привлекали внимание исследователей, изучающих, как человек адаптируется к жизни в условиях разреженного воздуха. Недавнее исследование группы ученых из Университета Маунт-Ройал в Канаде, возглавляемое доктором Тревором Деем, проливает свет на важную роль почек в акклиматизации к большим высотам. Работы канадских ученых объясняют, почему представители народности шерпа, которые веками живут в высокогорных районах Тибета, значительно лучше переносят высокогорье. В своем исследовании ученые наблюдали за дыханием и составом крови участников во время их подъема на высоту 4300 метров в Гималаях, в Непале. Эксперимент проводился с участием двух групп: одна состояла из жителей низменностей, не привыкших к горной среде, а другая - из шерпов, чей организм приспособлен к жизни на большой высоте. Основное различие между этими группами было в том, как их организмы реагировали на дефицит кислорода в воздухе. У шерпов наблюдалась более быстрая и масштабная адаптация к ...>>

Производство электричества с помощью термоядерного синтеза 18.01.2025

Американская компания Commonwealth Fusion Systems (CFS) нацелена на создание первой в мире термоядерной электростанции, способной подключаться к электрической сети. Этот амбициозный проект, известный как ARC (Affordable, Robust, Compact), будет построен вблизи города Ричмонд, штат Вирджиния. В соответствии с планами, новая электростанция сможет производить до 400 мегаватт чистой энергии, что вполне хватит для обеспечения электричеством 150 тысяч домохозяйств. Прогнозируется, что станция начнет работу в 2030-х годах. Принцип работы термоядерной электростанции основан на процессе термоядерного синтеза, который происходит в ядре звезд. В отличие от традиционной атомной энергетики, где используется деление ядер атомов с образованием радиоактивных отходов, термоядерный синтез создает в качестве побочного продукта безопасный гелий. Для того чтобы удерживать плазму с температурой свыше 100 миллионов градусов Цельсия, установка будет использовать мощные магнитные поля. Тем не менее, н ...>>

Экологическая защита для овощей и фруктов 17.01.2025

Исследователи из женского колледжа Шри Нараяна в Колламе, Керала, Индия, разработали инновационный способ продления свежести фруктов и овощей. Группа под руководством Пурнимы Виджаян предложила использовать съедобное покрытие, созданное на основе целлюлозных нановолокон (CNF), полученных из луковой шелухи. Этот подход не только продлевает срок хранения продуктов, но и способствует их безопасности благодаря включению нанокуркумина, известного своими антимикробными свойствами. Основным компонентом покрытия являются CNF, полученные из переработанных отходов лука. Эти нановолокна соединяются с синтетическим биополимером, который улучшает структуру покрытия, устраняя проблемы с водостойкостью и термической стабильностью, ранее свойственные материалам на основе CNF. Кроме того, добавление нанокуркумина усиливает антимикробные свойства покрытия, делая его особенно эффективным для предотвращения порчи. Для проверки эффективности этой разработки ученые провели эксперимент с апельсинами. П ...>>

Случайная новость из Архива

Карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 16.01.2020

Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности.

Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями - это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ: самые низкие уровни заряда затвора и емкости среди 1200 В переключателей, отсутствие потерь на восстановление внутреннего диода, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая характеристика.

MOSFET линейки CoolSiC прекрасно подходят для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (ККМ), двунаправленные топологии, DC/DC-преобразователи или DC/AC-инверторы.

Особенности:

Низкие потери при переключении;
Беспороговая характеристика;
Широкий диапазон напряжений "затвор-исток";
Пороговое напряжение затвора VGS(th) = 4,5 В;
Контролируемая скорость нарастания напряжения (dV/dT);
Надежный токопроводящий диод для жесткой коммутации;
Потери при переключении не зависят от температуры;
Сохранение работоспособности при возникновении КЗ в течение 3 мкс при напряжении на затворе 15 В.
Доступны для заказа в корпусах TO247-4. Данный корпус имеет дополнительный сигнальный вывод истока для оптимизации процесса переключения.

Применение:

Системы преобразования солнечной энергии;
Системы зарядки электромобилей;
Источники бесперебойного питания (ИБП);
Блоки питания;
Управление двигателем.

Другие интересные новости:

▪ Сверхгидрофобный материал

▪ Новая технология утилизации отходов на Международной космической станции

▪ Новый датчик температуры для компьютерных модулей памяти

▪ На орбиту запущен телескоп James Webb

▪ Гиперстабильный искусственный белок

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Охрана труда. Подборка статей

▪ статья Зарубежная литература XX века в кратком изложении. Часть 2. Шпаргалка

▪ статья Как частота бритья связана с состоянием здоровья мужчины? Подробный ответ

▪ статья Безопасный карбюратор мотоцикла. Личный транспорт

▪ статья Металлоискатель с совмещенными катушками. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Простейшие схемы источников питания для различной аппаратуры. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2025