Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Интегральная микросхема INF8577CN. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Применение микросхем

 Комментарии к статье

Микросхема INF8577CN является устройством управления жидкокристаллическим индикатором (ЖКИ) с I2С интерфейсом приема отображаемой информации. Интегральная микросхема INF8577CN. Справочные данные. Внешний вид микросхемы
Микросхема размещена в 40-выводном DIP-корпусе (рис. 1). Выполняемые схемой функции: Рис. 1 Внешний вид микросхемы
  • управление ЖКИ в прямом или дуплексном режиме, микросхема управляет 32 сегментами ЖКИ в прямом режиме и 64 сегментами в дуплексном режиме;
  • обеспечение интерфейса шины I2С;
  • возможность использования в качестве расширителя выхода шины I2С.

Ее особенности:

  • напряжение питания - от 2,5 до 6 В;
  • низкая мощность потребления;
  • встроенный генератор для формирования сигналов управления ЖКИ;
  • автоинкрементируемый ввод данных;
  • возможность переключения банков памяти дисплея в прямом режиме управления;
  • возможность каскадирования микросхем для увеличения количества управляемых сегментов до 256;
  • гашение дисплея по сбросу питания.

Ее цоколевка приведена на рис. 2, а структурная схема - на рис. 3. На рис. 4 показана организация внутренней памяти ис. Отображаемая информация хранится в восьми однобайтовых регистрах (их номера - 0...7). Еще один такой же регистр (контрольный) хранит настроечную информацию, управляющую работой микросхемы. Регистры О,2,4,6 объединены в банк "А", регистры 1, 3, 5, 7 - в банк "В".

Интегральная микросхема INF8577CN. Справочные данные. Цоколевка микросхемы
Рис. 2. Цоколевка микросхемы

Интегральная микросхема INF8577CN. Справочные данные. Структурная схема микросхемы
Рис. 3. Структурная схема микросхемы

Интегральная микросхема INF8577CN. Справочные данные. Организация внутренней памяти микросхемы
Рис. 4. Организация внутренней памяти микросхемы

Интегральная микросхема INF8577CN. Справочные данные. Передача первого байта информации
Рис. 5. Передача первого байта информации

Функционирование шины I2C достаточно подробно описано в [1]. Рассмотрим особенности загрузки информации в микросхему INF8577CN. Первым байтом (рис. 5) передается адрес ведомого ("Slave") устройства. Старшие 7 бит этого байта определяют адрес устройства ("Slave"-адрес), а восьмой бит определяет направление передачи данных. Если восьмой бит равен нулю, то выполняется передача данных к ведомому устройству, если же равен единице, то это устройство будет передатчиком. К I2С-шине могут быть подключены несколько устройств с одинаковым "Slave"-адресом. INF8577CN может выполнять только функцию приемника, поэтому восьмой бит всегда равен "0". Ее двоичный "Slave''-адрес - 0111010. Таким образом, первый байт всегда содержит код 01110100.

Таблица 1

Обозначение выводов Назначение выводов Описание
S1...S32 Выходы Выходы управления сегментами ЖКИ
ВР1 Вход/Выход При каскадировании для первой микросхемы - выход управления строкой, для остальных микросхем - вход
А2/ВР2 Вход/Выход Назначение вывода программируется. Либо это вход А1. либо вывод, аналогичный ВР1
VDD Питание Положительный вывод питания
А1 Вход Вход адреса. На выводы АО, А1, А2 подается адрес микросхемы при их каскадировании. Микросхема воспримет данные, если субадрес в посылке данных совпадет с этим адресом
A0/OSC Вход Назначение вывода определяется его подключением. При подключении к RC цепочке - это вход генератора, иначе - вход адреса
VSS Питание Отрицательный вывод питания
SCL Вход Тактовый вход для I2С-шины
SDA Вход/Выход Вход/Выход данных для I2С-шины

Таблица 2

Наименование параметра, единица измерения Обозначение Предельно допустимый режим Предельный режим
не менее не более не менее не более
Напряжение питания, В VDD 2,5 6,0 -0,5 8,0
Входное напряжение, В V1 0 VDD -0,5 VDD + 0,5
Постоянная составляющая ЖКИ драйвера, мВ VBP -20 20 - -
Ток потребления, мА IDDISS - 0,125 -50 +50
Входной ток, мА I1 - - -20 +20
Выходной ток, мА Io - - -25 +25
Напряжение формирования сброса при включении питания, В VPOR - 2 - -
Входное напряжение низкого уровня на выводе АО, В VIL1 0 0,05 - -
Входное напряжение высокого уровня на выводе АО, В VIH1 VDD-0,05 VDD - -
Входное напряжение низкого уровня на выводе А1, В VIL2 0 0,3-VDD - -
Входное напряжение высокого уровня на выводе А1, В VIH2 0,7-VDD VDD - -
Входное напряжение низкого уровня на выводе А2, В VIL3 0 0,1 - -
Входное напряжение высокого уровня на выводе A2, B VIH3 VDD-0,10 VDD - -
Входное напряжение низкого уровня на выводах SCL, SDA, В VIL4 0 0,3-VDD - -
Входное напряжение высокого уровня на выводах SCL, SDA, В VIH4 0,7-VDD 6 - -
Частота тактового сигнала, кГц fSCL - 100 - -
Ширина импульса помехи на I2С-шине при Токр.среды = 25°С, нс tSW - 100 - -

Таблица 3

Наименование параметра, единица измерения Обозначение Норма Режим измерения
не менее не более
Ток потребления, мкА(V1=VDD или V1=VSS) IDD - 125 fSCL=100кГц, ROSC=1MOм, СOSC=680 пФ
75 fSCL=0кГц, ROSC=1MOм, СOSC=680 пФ
20 fSCL=0кГц, режим прямого управления. AO/OSC=VDD, VDD=5 B, Tокр.среды=25 °С
40 fSCL=0кГц, ROSC=1MOм, СOSC=680 пФ, VDD=5 B, Tокр.среды=25 °С
Выходное напряжение низкого уровня на выводе SDA, В VOL - 0,4 VDD=5 B, IOL=3,0 мА
Входной ток утечки по выводам А1, SCL, SDA, мкА IL1 -1 +1 V1=VDD или VSS
Входной ток утечки по выводам А2/ВР2, ВР1, мкА IL2 -5 +5 V1=VDD или VSS
Втекающий ток по выводу А2/ВР2, мкА IPD -5 - V1=VDD
Входной ток утечки по выводу A0/OSC, мкА IL3 -1 +1 V1=VDD
Начальный ток генератора, мкА IOSC - 5 V1=VSS
Выходное напряжение низкого уровня на выходах управления сегментами, В VOL1 - 0,8 VDD=5 B, IOL1=0,3 мА
Выходное напряжение высокого уровня на выходах управления сегментами, В VOH1 VDD-0,8 - VDD=5 B, IOH1=0,3 мА
Выходной ток на выводах управления строками ЖКИ (ВР1, ВР2), мкА Iload 100 - VDD =5 B V0=Vss, VDD или (VSS + VDD)/2
Выходное напряжение высокого уровня на выводах управления сегментами, В V0H2 4,5 - VDD=5 B, IOH2=100 мкА
Выходное напряжение низкого уровня на выводах управления сегментами, В V0L2 - 0,5 VDD=5 B, IOL2=100 мкА
Выходное напряжение низкого уровня на выводах управления сегментами в состоянии "выключено", В V0L3 - 0,5 VDD=2,5 B, IOL3=100 мкА
Частота сигналов на выводах управления ЖКИ, Гц fLCD 65 120 COSC=680 пФ, ROSC=1 МОм

Вторым байтом протокола I2С-шины для микросхемы INF8577CN всегда является контрольный байт, загружаемый в соответствующий регистр (рис. 4). Старший бит этого байта определяет режим работы:

0 - режим прямого управления ЖКИ (однострочный режим);
1 - режим мультиплексного управления ЖКИ (двухстрочный режим).

Следующий бит этого байта определяет банк ЖКИ, содержимое которого будет выводиться на сегменты в режиме прямого управления: "0" - банк А, "1" - банк В. Для режима мультиплексного управления этот бит не имеет значения. Остальные шесть бит этого байта составляют вектор сегментов. Фактически этот вектор является адресом ОЗУ (номер схемы + номер регистра), начиная с которого начинается загрузка отображаемой информации. Вектор сегментов объединяет в единое адресное пространство ОЗУ из нескольких микросхем INF8577CN. К I2С-шине можно подключить до восьми микросхем INF8577CN. Три младших бита вектора сегментов адресуют один из восьми регистров схемы, а три старших бита вектора сегментов определяют, какая из микросхем INF8577CN будет выбрана. Данные будут записаны в ту микросхему, для которой эти три бита совпадут с субадресом, установленным на выводах микросхемы АО, А1, А2. Этот субадрес формируется по следующему правилу:

- вывод А1 является входом, и на него обязательно нужно подать входной уровень нуля или единицы;
- выводы АО и А2 являются входами-выходами, и на них можно (но не обязательно) подать входной уровень нуля или единицы, либо вообще не подавать входное напряжение. В этом случае микросхема воспринимает состояние выводов АО и А2 как логический ноль.

После второго байта начинается передача данных. Первый байт данных записывается в ОЗУ одной из микросхем INF8577CN - именно в ту микросхему и в то место ОЗУ, на которое указывает вектор сегментов. Микросхема, которая приняла информацию, формирует А-условие, подтверждающее прием. После этого вектор сегментов автоматически увеличивается, и микросхемы готовы принимать следующий байт данных. Длина цепочки данных не ограничена. Все микросхемы отслеживают изменение вектора сегментов, и данные автоматически записываются в ОЗУ нужной микросхемы. Если вектор сегментов достиг максимального значения 111111, то следующее значение будет 000000.

Величина инкремента равна 1 или 2 и определяется тем, в каком режиме функционируют микросхемы. Инкремент равен 1 в режиме мультиплексного управления, то есть регистры микросхем загружаются подряд, один за другим, без учета того, к какому банку они принадлежат. В режиме прямого управления величина инкремента равна 2, что обеспечивает загрузку либо банка "A", либо банка "B" вне зависимости от того, какой из них отображается.

Интегральная микросхема INF8577CN. Справочные данные. Схема драйвера ЖКИ с прямым управлением
Рис. 6. Схема драйвера ЖКИ с прямым управлением

Интегральная микросхема INF8577CN. Справочные данные. Схема драйвера с дуплексным управлением
Рис. 7. Схема драйвера с дуплексным управлением

В табл. 1 приведено назначение выводов ИС, в табл. 2 даны предельные и предельно допустимые значения параметров, в табл. 3 - основные электрические параметры. На рис. 6 приведена схема драйвера ЖКИ с прямым управлением, на рис. 7 - схема драйвера с дуплексным управлением, на рис. 8 - схема 32-разрядного расширителя I2C-шины. Следуем отметить, что в режиме дуплексного управления необходимо использовать ЖКИ с двумя отдельными общими выводами либо два отдельных ЖКИ.

Интегральная микросхема INF8577CN. Справочные данные. Cхема 32-разрядного расширителя I<sup>2</sup>C-шины
Рис. 8. Cхема 32-разрядного расширителя I2C-шины

Литература

  1. К. Конов. Интерфейс I2C в телевизоре. - Радиолюбитель, 2000, N9, С.24...26

Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Применение микросхем.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Хорошо управляемые луга могут компенсировать выбросы от скота 15.02.2026

Животноводство, особенно разведение крупного рогатого скота, часто обвиняют в значительном вкладе в глобальное потепление из-за мощного парникового газа - метана, который выделяется при пищеварении у жвачных животных. Это вызывает острые политические споры и призывы к сокращению потребления мяса. Однако ученые напоминают, что полная картина климатического воздействия отрасли не ограничивается только выбросами от животных: огромную роль играет окружающая экосистема - пастбища, почва и растительность, которые способны активно поглощать углекислый газ из атмосферы. Исследователи из Университета Небраски-Линкольна решили глубже изучить этот баланс. Группа под руководством профессора Галена Эриксона сосредоточилась на том, как правильно организованные пастбища накапливают углерод в растениях и грунте благодаря естественным процессам, стимулируемым выпасом скота. Ученые подчеркивают, что при достаточном уровне осадков и грамотном управлении такие луга превращаются в мощные природные погло ...>>

NASA тестирует инновационную технологию крыла 15.02.2026

Коммерческая авиация ежегодно расходует колоссальные объемы керосина, что сказывается не только на бюджете авиакомпаний, но и на состоянии окружающей среды. В 2024 году глобальные затраты на авиационное топливо достигли 291 миллиарда долларов, и эта сумма продолжает расти. Чтобы справиться с этими вызовами, NASA активно работает над технологиями, способными заметно повысить аэродинамическую эффективность самолетов. Одним из самых перспективных направлений стало создание специальной конструкции крыла, которая максимизирует естественный ламинарный поток воздуха и минимизирует сопротивление. В январе 2026 года специалисты NASA Armstrong Flight Research Center успешно провели важный этап наземных испытаний концепции Crossflow Attenuated Natural Laminar Flow (CATNLF). Для эксперимента под фюзеляж исследовательского самолета F-15B закрепили вертикально ориентированную масштабную модель высотой около 0,9 м (3 фута), напоминающую узкий киль. Такая компоновка позволила подвергнуть прототип р ...>>

Забота о внуках очень полезна для здоровья мозга 14.02.2026

Общение между поколениями приносит радость всей семье, но мало кто задумывается, насколько активно бабушки и дедушки, заботящиеся о внуках, поддерживают свою умственную форму. Регулярное взаимодействие с детьми стимулирует мозг пожилых людей, помогая сохранять память, скорость мышления и общую когнитивную активность. Новые научные данные подтверждают, что такая добровольная помощь не только важна для общества, но и может замедлять возрастные изменения в мозге. Исследователи из Тилбургского университета в Нидерландах провели анализ, чтобы понять, приносит ли уход за внуками реальную пользу здоровью пожилых людей. Ведущий автор работы Флавия Черечес отметила, что многие бабушки и дедушки регулярно присматривают за детьми, и оставался открытым вопрос, насколько это положительно сказывается на их собственном благополучии, особенно в плане когнитивных функций. Ученые поставили цель выяснить, способен ли регулярный уход за внуками замедлить снижение памяти и других умственных способ ...>>

Случайная новость из Архива

Танталовая инновация для усовершенствования термоядерных реакторов 20.12.2023

Инженеры Университета Висконсин-Мэдисон из США представили инновационный метод облицовки внутренних стенок термоядерного реактора с использованием тантала. Предлагаемая технология призвана сделать реактор более компактным, а также облегчить процессы обслуживания и ремонта.

Новое технологическое достижение в области облицовки термоядерных реакторов открывает перспективы для более эффективного и компактного использования этой энергетической технологии. Подобные инновации вносят важный вклад в развитие экологически чистых и устойчивых источников энергии, но также подчеркивают важность дальнейших исследований в области термоядерной энергетики.

Уникальность метода заключается в применении холодного распыления тантала (металла, устойчивого к высоким температурам) на поверхность нержавеющей стали. Материал, нанесенный таким образом, способен задерживать больше частиц водорода, что снижает размеры термоядерного устройства.

Из-за того, что ионизированные частицы водорода иногда выходят из плазмы и нейтрализуются, часть энергии теряется. Поэтому создание высокопроницаемой поверхности стен реактора играет важную роль.

Процесс создания покрытия с использованием холодного распыления тантала аналогичен применению баллончика с краской. Частицы из баллончика суперсонически направляются на поверхность, сплющиваются при ударе, покрывая всю поверхность и сохраняя наноразмерные границы между частицами. Эти микроскопические границы оказываются эффективными в захвате частиц водорода.

Исследователи планируют применить свой новый материал в установке WHAM. Экспериментальное устройство, строящееся неподалеку от Мэдисона, штат Висконсин, станет прототипом будущей термоядерной электростанции нового поколения, которую разрабатывает компания Realta Fusion, являющаяся подразделением UW-Madison. Эксперимент WHAM проводится в Лаборатории физических наук в сотрудничестве между Университетом Мэдисона, Массачусетским технологическим институтом и компанией Commonwealth Fusion Systems.

Другие интересные новости:

▪ Экологические лекарства из отходов бумажной промышленности

▪ Названа главная причина землетресений

▪ Измерено время существования свободного нейтрона

▪ Экспериментальные подводные дата-центры Microsoft

▪ Многорежимная технология беспроводной связи для сетей датчиков

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Цифровая техника. Подборка статей

▪ статья Возьмемся за руки, друзья, чтоб не пропасть поодиночке. Крылатое выражение

▪ статья Что такое тальк? Подробный ответ

▪ статья Сам себе байдарка. Личный транспорт

▪ статья Сварочный - без схем и формул. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Платок Зебра. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026