Бесплатная техническая библиотека
Импульсный усилитель мощности звуковой частоты
TDA8925. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Применение микросхем
Комментарии к статье
Фирма Philips Semiconductors анонсировала микросхему выходного коммутирующего каскада для создания усилителя мощности звуковой частоты (УМЗЧ) класса D с выходной мощностью от 2 х 15 до 2 х 25 Вт с КПД более 94%. Микросхема TDA8925 (УМЗЧ) питается от двухполярного источника с напряжением от ±7,5 до ±30 В и имеет собственный потребляемый ток около 25 мА. Благодаря ключевому режиму работы силового каскада (УМЗЧ) и, соответственно, столь высокому КПД отсутствует необходимость устанавливать микросхему на радиатор охлаждения. Микросхема (УМЗЧ) оснащена диагностическим выводом, напряжение низкого уровня на котором сигнализирует о перегреве выходного каскада или о коротком замыкании в цепи нагрузки. TDA8925 (УМЗЧ) имеет защиту выводов от статического электричества и выполнена в пластмассовом корпусе DBS17P (рис. 1) для обычного печатного монтажа.
Рис. 1. Расположение выводов TDA8925 в пластмассовом корпусе DBS17P
Микросхема имеет следующие отличительные особенности:
- высокий КПД (более 94%);
- напряжение питания от ±7,5 В до ±30 В;
- сверхмалый ток покоя - 25 мА;
- большая выходная мощность;
- диагностический вывод;
- схема включения нагрузки - стереофонический несимметричный выход;
- защита от статического электричества;
- не требует применения радиатора.
Области применения микросхемы:
- телевизоры;
- музыкальные центры;
- мультимедиа-комплексы;
- любая аудиоаппаратура с сетевым питанием.
Блок-схема микросхемы приведена на рис. 2, назначение выводов - в табл. 1, а типовая схема включения - на рис. 3.
Рис. 2. Блок-схема микросхемы TDA8925
Таблица 1. Назначение выводов микросхемы TDA8925
| Номер вывода |
Сигнал |
Описание |
| 1 |
SW1 |
Цифровой вход, канал 1 |
| 2 |
REL1 |
Цифровой выход 1, сигнал изменяется синхронно с сигналом на входе SW1 с задержкой |
| 3 |
DIAG |
Диагностический выход, открытый сток, низкий уровень - активный (по превышению температуры 150°С и тока - 3 А) |
| 4 |
EN1 |
Вход разрешения работы канала 1 |
| 5 |
VDD1 |
Напряжение питания канала 1 |
| 6 |
BOOT1 |
Конденсатор начальной загрузки канала 1 |
| 7 |
OUT1 |
Выход канала 1 |
| 8 |
VSS1 |
Общий 1 |
| 9 |
STAB |
Выход внутреннего стабилизатора |
| 10 |
VSS2 |
Общий 2 |
| 11 |
OUT2 |
Выход канала 2 |
| 12 |
BOOT2 |
Конденсатор начальной загрузки канала 2 |
| 13 |
VDD2 |
Напряжение питания канала 2 |
| 14 |
EN2 |
Вход разрешения работы канала 2 |
| 15 |
POWERUP |
Вход разрешения переключения внутренних опорных источников |
| 16 |
REL2 |
Цифровой выход 2, сигнал изменяется синхронно с сигналом на входе SW1 с задержкой |
| 17 |
SW2 |
Цифровой вход, канал 2 |
Достаточно легко реализуется защита от короткого замыкания в нагрузке. Если это произошло, растет потребляемый микросхемой ток. Если он достигает значения 3 А, срабатывает внутренний детектор, и на выв. 1 (DIAG) формируется низкий потенциал. Этот сигнал можно использовать для управления входом включения микросхемы - POWERUP (выв. 15). В рабочем режиме на этом выводе должен быть уровень не менее VCC+5 В.
Электрические характеристики микросхемы по постоянному и переменному току приведены в табл. 2 и 3.
Таблица 2. Электрические характеристики микросхемы TDA8925 по постоянному току (при Vp = ±15 В, T am b = 25°C).
| Обозначение |
Описание |
Кондиции |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. изм. |
| Питание |
| V P |
Напряжение питания |
|
±7,5 |
±15 |
±30 |
В |
| I Q (tot) |
Ток покоя |
Нагрузка отключена |
- |
25 |
45 |
мA |
| Внутренний стабилизатор (выв. 9, STAB) |
| Vo(STAB) |
Выходное напряжение |
Относительно VSS |
11,7 |
13 |
14,3 |
В |
| Импульсные входы (выв. 1 и 17, SW1 и SW2) |
| V ih |
Высокий уровень входного напряжения |
Относительно VSS |
10 |
- |
15 |
В |
| V IL |
Низкий уровень входного напряжения |
Относительно VSS |
0 |
- |
2 |
В |
| Выходы контроля (выв. 2 и 16, REL1 и REL2) |
| V OH |
Высокий уровень входного напряжения |
Относительно VSS |
10 |
- |
15 |
В |
| V OL |
Низкий уровень входного напряжения |
Относительно VSS |
0 |
- |
2 |
В |
| Диагностический выход (выв. 3, DIAG, открытый сток) |
| V OL |
Низкий уровень выходного напряжения |
|
0 |
- |
1,0 |
В |
| I lo |
Ток утечки |
|
- |
- |
50 |
мкА |
| Входы разрешения (выв. 4 и 14, EN1 и EN2) |
| V ih |
Высокий уровень входного напряжения |
Относительно VSS |
9 |
- |
15 |
В |
| V il |
Низкий уровень входного напряжения |
Относительно VSS |
0 |
5 |
- |
В |
| V EN (hys) |
Напряжение гистерезиса |
|
- |
4 |
- |
В |
| I I (EN) |
Входной ток |
|
- |
- |
300 |
мкА |
| Вход включения микросхемы (выв. 15, POWERUP) |
| V POWERUP |
Операционное напряжение |
Относительно VSS |
5 |
- |
12 |
В |
| h(POWERUP) |
Входной ток |
v powerup = 12 В |
- |
100 |
170 |
мкА |
| Температурная защита |
| T DIAG |
Температура включения |
v diag - v diag (low) |
150 |
- |
- |
°C |
| T HYS |
Гистерезис |
v diag - v diag (low) |
- |
20 |
- |
°С |
| Токовая защита |
| I O (ocpl) |
Уровень тока защиты |
|
- |
3,5 |
- |
A |
Рис. 3. Типовая схема включения микросхемы TDA8925 (нажмите для увеличения)
Таблица 3. Электрические характеристики микросхемы TDA8925 по переменному току
| Обозначение |
Описание |
Кондиции |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. изм. |
| P O |
Выходная мощность |
R L = 8 Ом |
|
|
|
|
|
|
THD = 0,5% |
10 |
12 |
- |
Вт |
|
|
THD = 10% |
14 |
15 |
- |
Вт |
|
|
R L = 6 Ом |
|
|
|
|
|
|
THD = 0,5% |
- |
16 |
- |
Вт |
|
|
THD = 10% |
- |
20 |
- |
Вт |
| THD |
Уровень гармонических искажений |
P O = 1 Вт |
|
|
|
|
|
|
fi = 1 кГц |
- |
0,05 |
0,1 |
% |
|
|
fi= 10 кГц |
- |
0,2 |
- |
% |
| n |
КПД |
P 0 = 2 х 15 Вт; f = 1 кГц |
- |
94 |
- |
% |
Публикация: remserv.ru
Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
<< Назад
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Жидкий кальциевый нитрат для овощеводства
07.06.2026
Хозяйство Solbergs Gartneri, расположенное в Веттре, Норвегия, выращивает огурцы на площади 12 500 м2. В текущем сезоне оно полностью заменило традиционный водорастворимый кальциевый нитрат на продукт, производимый компанией N2 Applied из воздуха, воды и возобновляемой электроэнергии. Первые испытания нового удобрения начались еще в конце прошлого сезона в небольшом объеме, после чего хозяйство приняло решение о полном переходе.
Технология N2 Applied основана на использовании плазмы для получения азотной кислоты из атмосферного воздуха и воды, которую затем превращают в жидкий кальциевый нитрат. Этот формат особенно удобен для систем фертигации. Важным преимуществом является отсутствие аммония в составе, что дает агрономам больше возможностей для точной корректировки питания растений. Владелец хозяйства Кристиан Солберг отметил, что теперь они могут более гибко реагировать на изменения pH в субстрате, снижая или увеличивая внесение аммония по необходимости.
Одним из главных мотив ...>>
Игровой монитор MSI MPG OLED 322URDX36
07.06.2026
Компания MSI представила монитор MPG OLED 322URDX36, который стал первым в мире 31,5-дюймовым монитором с технологией Triple Mode.
Эта инновация позволяет пользователю одним нажатием переключаться между тремя режимами: 4K (3840x2160) при 360 Гц для максимальной детализации и кинематографичности, 2K/QHD (2560x1440) при 520 Гц для оптимального баланса качества и плавности, а также Full HD (1920x1080) при впечатляющих 680 Гц - идеальном варианте для динамичных киберспортивных дисциплин. Такая гибкость открывает новые возможности для игроков разного уровня.
Монитор построен на базе панели QD-OLED пятого поколения с технологией Penta Tandem и субпиксельной структурой RGB Stripe. Это решение устраняет традиционные проблемы OLED-дисплеев, такие как цветовая окантовка и снижение четкости текста. Благодаря усовершенствованной структуре изображения становятся более естественными и приятными для глаз даже при длительных игровых сессиях.
Среди ключевых достоинств модели - поддержка VESA D ...>>
Дифузное покрытие для теплиц
06.06.2026
В тепличном овощеводстве и ягодоводстве управление светом играет ключевую роль в повышении урожайности и качества продукции. Растения особенно активно используют красную и синюю части спектра для фотосинтеза, в то время как зеленый свет в значительной степени отражается. Французская компания Ondex разработала инновационное решение, которое позволяет эффективнее использовать доступный солнечный свет без дополнительных затрат на досветку.
Французский производитель Ondex вывел на рынок диффузное тепличное покрытие OptiRed DIFFU100. Этот материал смещает часть зеленого спектра в красный, усиливая фотосинтетическую активность растений. В 2026 году начались масштабные производственные испытания покрытия в юго-западной Франции на экспериментальной станции Invenio-FL. Исследования проводятся на ремонтантной землянике, выращиваемой на гидропонике с марта по июль, и на перце, посаженном в почву с середины мая по октябрь.
По замыслу разработчиков, увеличение доли красного света должно спосо ...>>
Случайная новость из Архива Наноалмазы для светодиодов и полупроводников
17.01.2013
Ученые Томского политехнического университета (ТПУ) первыми в мире нашли способ синтезировать наночастицы алмазов внутри поверхностного слоя других веществ, что в перспективе позволит изменить некоторые свойства металлических изделий и полупроводников, в частности, сделать их прочнее, сообщил в четверг РИА Новости профессор ВУЗа Геннадий Ремнев.
'Мы воздействовали на вещество (кремний) короткими импульсами ионов углерода, в результате чего смогли синтезировать наноразмерные алмазы и частицы карбида кремния в поверхностном слое кремния', - пояснил Ремнев.
Он уточнил, что синтез алмазов таким способом принципиально возможен не только в кремнии, но и в других материалах. Наночастицы алмазов возникают в верхнем слое вещества благодаря высоким температурам и давлению, которыми сопровождается воздействие ионов углерода. По словам ученого, такое изменение, предположительно, позволит сделать некоторые материалы более прочными, например, к истиранию и повысить прочность связи поверхности с алмазной пленкой, которая необходима в некоторых изделиях.
'Сейчас более детально исследуем этот процесс (имплантации углерода), чтобы определить и обосновать возможности этого метода. Возможно, он найдет свое применение в изготовлении светодиодов и вообще в полупроводниковых технологиях', - сказал Ремнев.
Собеседник агентства добавил, что ученые ТПУ начали исследовать воздействие импульсов ионов углерода в режиме короткоимпульсной имплантации в кремний около трех лет назад, а в конце 2012 года получили патент на имплантацию углерода. Кроме того, их разработка включена в '100 лучших изобретений России' по версии Федеральной службы по интеллектуальной собственности РФ.
ТПУ был основан в 1896 году как Томский технологический институт императора Николая II. В состав вуза сегодня входят 11 учебных институтов, три факультета, 100 кафедр, три НИИ, 17 научно-образовательных центров и 68 научно-исследовательских лабораторий. В вузе обучаются 22,3 тысячи студентов, в том числе 224 студента из 31 страны дальнего зарубежья. В 2012 году ВУЗ заработал на научно-исследовательских и опытно-конструкторских работах более 1,4 миллиарда рублей.
|
Другие интересные новости:
▪ Наручные атомные часы
▪ Видеокарты EVGA GeForce GTX 1650 GDDR6
▪ Северное полушарие ждет самое жаркое лето за 600 лет
▪ Здоровье почек зависит от матери
▪ Недорогой RGB-датчик Avago в миниатюрном корпусе
Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:
▪ раздел сайта Афоризмы знаменитых людей. Подборка статей
▪ статья Что такое телевизионные поля. Искусство видео
▪ статья Какое совпадение связало смерти солиста Boney M и Григория Распутина? Подробный ответ
▪ статья Гидрастис. Легенды, выращивание, способы применения
▪ статья Мелодический сигнализатор на микросхемах УМС. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
▪ статья 120-вольтный блок питания в сети 220 вольт. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
[an error occurred while processing this directive]
Оставьте свой комментарий к этой статье:
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2026