Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Полевые транзисторы. Типовые области применения. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Транзистор

Назначение

2П101 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КП102 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2П103
2П103-9
для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2ПС104 для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2П201 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2ПС202 для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КПС203 для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КП301 для применения во входных каскадах малошумящих усилителей и нелинейных малосигнальных схемах с высоким входным сопротивлением
КП302 для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах
КП303 предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой (Д, Е, И) и низкой (А, Б, В, Ж) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г предназначены для применения в зарядочувствительных усилител ях и других схемах ядерной спектрометрии
КП304 предназначены для применения в переключающих и усилительных схемах с высоким входным сопротивлением
2П305 предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП306 предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП307 предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП307Ж предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других схемах ядерной спектрометрии
2П308-9 предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока (А, Б, В), в переключающих схемах и схемах коммутаторов (Г, Д) с высоким входным сопротивлением.
КП310 для применения в приемно-передающих устройствах сверхвысокочастотного диапазона
КП312 предназначены для применения во входных каскадах усилителей и преобразователей сверхвысокочастотного диапазона
КП313 предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП314 для применения в охлаждаемых каскадах предусилителей устройств ядерной спектрометрии
КПС315 для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КПС316 для работы во входных каскадах дифференциальных усилителей, балансных схем различного назначения с высоким входным сопротивлением
3П320-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц
3П321-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц
КП322 тетрод на основе p-n перехода для усилительных и смесительных каскадов на частотах до 400 МГц
КП323-2 транзистор с p-n переходом для входных каскадов предварительных малошумящих предварительных усилителей низкой и высокой частот (до 400 МГц)
3П324-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц
3П325-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для СВЧ устройств с малым уровнем шума, а также для фотоприемных устройств с малым уровнем собственных шумов
3П326-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 17.4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
КП327 МОП тетрод с n-каналом и затворами, защищенными диодами, для селекторов телевизионных каналов метровых и дециметровых волн
3П328-2 арсенидогаллиевые полевые двухзатворные транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
КП329 для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением
3П330-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 25 ГГц (3П330А-2, 3П330Б-2) и 17.4 ГГц (3П330В-2) для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П331-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 10 ГГц для применения в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном
2П332 полевой p-канальный транзистор для переключающих и усилительных устройств
2П333 полевой n-канальный транзистор для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением
2П335-2 для усилительных устройств
2П336-1 для переключающих и усилительных устройств
2П337-Р транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением на частотах до 400 МГц
2П338-Р1 транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением
3П339-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частотах 8 и 17.4 ГГц для применения в малошумящих усилителях, в усилителях с расширенным динамическим диапазоном и в широкополосных усилителях
2П341 транзистор с p-n переходом для входных каскадов малошумящих усилителей в диапазоне частот 20 Гц - 500 МГц
КП342 для переключающих устройств
3П343-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П344-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П345-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для применения в фотоприемных устройствах с малым уровнем собственных шумов
КП346-9 МОП n-канальный двухзатворный транзистор с затворами, защищенными диодами, для селекторов каналов ТВ приемником (А,Б- для дециметровых волн, В- для метровых волн)
2П347-2 n-канальный двухзатворный транзистор для входных каскадов радиоприемных устройств
КП350 предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобразовательных каскадах сверхвысокой частоты (до 700 МГц)
КП351 транзисторы с барьером Шоттки с двумя затворами (3П351А-2) и с одним затвором (3П351А1-2), предназначены для применения в малошумящих усилителях, смесителях и других устройствах в сантиметровом диапазоне
КП365А BF410C n-канальный транзистор
КП382А BF960 двухзатворный полевой транзистор селекторов каналов ЦТ
КП501А ZVN2120 высоковольтный полевой МОП-транзистор, используемый в качестве ключа для аналоговых средств связи
КП601
2П601-9
полевые транзисторы с диффузионным затвором и n-каналом, работа во входных и выходных каскадах усилителей и преобразователей частоты
АП602-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-12 ГГц
3П603-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц
3П604-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-18 ГГц
3П605-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим
диапазоном
3П606-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц
3П607-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 10 ГГц
3П608-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в выходных каскадах усилителей и генераторов
КП701 полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств с частотой переключения до 1 МГц
КП702 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов
КП703 полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов
КП704 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в выходных каскадах оконечных видеоусилителей многоцветных графических дисплеев, во вторичных источниках энергопитания, в устройствах коммутации электрических цепей
КП705 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах
КП706 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах
КП709 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках электропитания ТВ приемников четвертого и пятого поколений, переключающих и импульсных устройствах радиоэлектронной аппар атуры, устройствах электропривода. Аналог BUZ90, BUZ90A Siemens.
КП712 полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для работы в импульсных устройствах
КП717Б IRF350 МОП-транзистор с 400 В, 0.3 Ом
КП718А BUZ45 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом
КП718Е1 IRF453 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом
КП722А BUZ36 МОП-транзистор с 200 В, 0.12 Ом
КП723А IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП723Б IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП723В IRF45 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП724Г IRF42 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП724А MTP6N60 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП724Б IRF842 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП725А TPF450 МОП-транзистор с 500 В, 0.4 Ом
КП726А BUZ90 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП728А МОП-транзистор с 800 В, 3.0 Ом
КП801 полевые транзисторы p-n переходом для применения в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры
КП802 полевые транзисторы p-n переходом работа в ключевых схемах преобразователей постоянного напряжения в качестве быстродействующего коммутатора
КП803 полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей и генераторов
КП804 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для быстродействующих импульсных схем
КП805 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для построения источников вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, работающих от промышленной сети переменного тока с частотой 50 Гц и напряжением 220 В и для других устройств преобразования электрической энергии
КП809 МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП810 прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП812 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания, регуляторов, усилителей звуковой частоты
КП813 МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП814 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания
КП901 полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн (до 100 МГц)
КП902 полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в приемно-передающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц
КП903 полевые транзисторы p-n переходом для применения в приемно-передающих и переключающих устройствах в диапазоне частот до 30 МГц
КП904 полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных, преобразовательных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн
КП905 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц
КП907 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона
КП908 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 2.25 ГГц
КП909 полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах в непрерывном и импульсном режимах на частотах до 400 МГц
АП910-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц
КП911 полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах
КП912 полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных устройствах, усилителях и генераторах
КП913 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц при напряжении питания до 45 В
2П914 полевой транзистор с p-n переходом д для применения в усилителях, преобразователях и генераторах высокой частоты, а также в переключающих устройствах
3П915-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц
КП918 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1 ГГц, а также для быстродействующих переключающих устройств
КП920 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц, а также для быстродействующих переключающих устройств
КП921 полевые транзисторы с изолированным затвором, предназначен для применения в быстродействующих переключающих устройствах
2П922
2П922-1
полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом, предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, быстродействующ их переключающих и импульсных устройствах, а также в стабилизаторах и преобразователях напряжения
КП923 полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах, в линейных усилительных устройствах на частоты до 1 ГГц
3П925-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 3.7-4.2 ГГц (3П925А) и 4.3-4.8 ГГц (3П925Б) в тракте с волновым сопротивлением 50 Ом и содержит внутренние соглассующие цепи
2П926 полевые транзисторы для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых и линейных устройств
3П927 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с n-каналом для работы в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частот ы в диапазоне частот 1-18 ГГц
2П928 два МОП транзистора с n-каналом и общим истоком, генераторные, предназначены для применения в усилителях мощности и генераторах
3П930 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в диапазоне частот 5.7-6.3 ГГц
КП932 высоковольтный транзистор для работы в каскадах видеоусилителей цветных дисплеев
КП933 два МДП транзистора с n-каналом и общим истоком для работы в линейных и широкополосных усилительных устройствах и автогенераторах с высокой стабильностью частоты (для усиления и генерирования сигналов с частотой до 1 ГГц)
КП934 транзисторы со статической индукцией и n-каналом предназначенные для применения в источниках вторичного электропитания и в высоковольтных ключевых устройствах
КП937 переключательные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях напряжения, системах электропривода, импульсных генераторах электроискровых обрабат ывающих комплексов
КП938 переключательные высоковольтные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, для питания двигателей постоянного и переменного тока, в мощных коммутаторах, усилителях низкой частоты
2П941 для генерирования сигналов и усиления мощности в радиоэлектронных схемах с рабочей частотой до 400-600 МГц при напряжении питания 12 В
КП944 МДП транзистор с p-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках
КП944 МДП транзистор с n-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках
КП946 прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП948 прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП953 прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП955 прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности

Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Дети, растущие рядом с природой, обретают крепкие кости 02.03.2026

Влияние окружающей среды на здоровье человека становится все более очевидным, особенно в детском возрасте. Новое исследование, опубликованное в журнале JAMA Network Open, показывает, что близость к природе напрямую связана с крепостью костей у детей. Ученые установили, что у детей, чьи дома окружены природными территориями в радиусе 1000 метров на 25% больше обычного, риск развития крайне низкой плотности костей снижается на 65%. Для проведения исследования были проанализированы данные более 300 детей, проживающих в городских, пригородных и сельских районах Фландрии в Бельгии. Плотность костной ткани у детей в возрасте от четырех до шести лет оценивалась с помощью ультразвуковых методов. Такой подход позволил безопасно и точно измерить состояние костей на ранних этапах формирования скелета. При анализе учитывались ключевые факторы, влияющие на рост и развитие детей: возраст, вес, рост, этническая принадлежность и уровень образования матери. На основании этих параметров исследоват ...>>

Самовосстанавливающаяся инфраструктура будущего 02.03.2026

Современные мосты и бетонные конструкции по всему миру сталкиваются с проблемой устаревания и износа. Многие сооружения, построенные до 1980-х годов, постепенно теряют свою несущую способность, что требует дорогого ремонта или полной замены. Недавние разработки ученых из Швейцарских федеральных лабораторий материаловедения и технологий (Empa) предлагают инновационное решение - систему укрепления бетонных конструкций с помощью "умной стали", способной самостоятельно устранять трещины и повреждения. В основе новой технологии лежит арматура из сплава на основе железа с эффектом памяти формы (Fe-SMA). Этот материал обладает уникальным свойством: при нагревании до 190-200 °C стержни стремятся вернуться к своей первоначальной конфигурации. В бетонной конструкции это создает внутреннее напряжение, которое затягивает трещины и выравнивает деформированные элементы, существенно повышая прочность и долговечность сооружений. Актуальность разработки объясняется критическим состоянием инфрастр ...>>

Поцелуи полезны для здоровья 01.03.2026

Вопрос о том, как социальные связи и близость с партнером отражаются на здоровье человека, привлекает внимание не только психологов, но и специалистов в области микробиологии. Новое исследование показывает, что совместное проживание с любимым человеком может оказывать значительное влияние на микробиом кишечника и общее самочувствие. Доктор Наоми Миддлтон, клинический психологи и эксперт по здоровью кишечника, объяснила, что все аспекты совместной жизни - поцелуи, совместное питание, физическая близость и даже просто пребывание рядом - тесно связаны с поддержанием сбалансированной кишечной микрофлоры. Она подчеркивает, что здоровье экосистемы кишечника во многом определяется социальными взаимодействиями и повседневной близостью с другими людьми. По словам Миддлтон, длительное совместное пребывание с партнером может способствовать увеличению микробного разнообразия в кишечнике, а также снижать воспалительные процессы, связанные со стрессом. Такой эффект обусловлен тем, что микробио ...>>

Случайная новость из Архива

Квантовое трение в составленном графене 15.08.2025

Группа исследователей из Института химической физики Ланьчжоу под руководством профессора Чжан Цзюньяня и доцента Гун Чжэньбина смогла впервые зафиксировать квантовое трение в составленном графене. Используя высокоточную наноманипуляцию, ученые создали контролируемые сгибы графена с разной кривизной и числом слоев, что дало возможность исследовать трение на уровне отдельных атомов.

Результаты эксперимента оказались неожиданными: трение в местах сгибов графена не увеличивалось пропорционально количеству слоев, как можно было бы предсказать на основе классических представлений. Вместо этого наблюдалась сложная нелинейная зависимость, при которой с увеличением толщины трение порой даже уменьшалось. Такое поведение указывает на важную роль квантовых эффектов, которые традиционные модели не учитывают.

Суть открытого феномена квантового трения состоит в том, что внутренние деформации материала влияют на движение электронов, переводя их в особые энергетические состояния - так называемые псевдоровни Ландау. В результате уменьшается рассеивание энергии в виде тепла, что ведет к снижению силы трения между жесткими поверхностями.

Эксперимент проводился при сверхнизких температурах на системе из графена, что позволило уловить тонкие квантовые явления. В дальнейшем команда планирует изучить возможность проявления квантового трения в других материалах и при более высоких температурах. Такие исследования важны для развития технологий наноэлектроники и квантовых вычислений, где минимизация потерь энергии критична.

Данное открытие имеет фундаментальное значение, поскольку впервые экспериментально подтверждает существование квантового трения между твердыми телами. Это расширяет понимание взаимодействия материалов на самом мелком уровне и открывает новые горизонты в управлении трением и тепловыми потерями.

Другие интересные новости:

▪ Микрочип для мозга, переводящий мысли в текст

▪ Память DDR4

▪ Электрический самокат Bugatti 9.0

▪ Новые двигатели Toyota

▪ Cамый ёмкий жесткий диск для автомобильных систем

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Устройства защитного отключения. Подборка статей

▪ статья Вырезание ненужных фрагментов AVI файла в VirtualDub. Искусство видео

▪ статья Кто такой единорог? Подробный ответ

▪ статья Универсальная сельскохозяйственная машина Золушка. Личный транспорт

▪ статья Последствия плохого электрического контакта. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Электролизные установки и установки гальванических покрытий. Электролизные установки получения водорода (водородные станции). Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026