Бесплатная техническая библиотека
Комплементарные мощные транзисторы серий КТ8115, КТ8116. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы
Комментарии к статье
Кремниевые мощные составные транзисторы КТ8115А - КТВ115В (структуры р-n-р) и КТ8116А - КТ8116В (n-р-n), изготовляемые по эпитаксиально-планарной технологии, предназначены для работы в оконечных ступенях усилителей 3Ч, в преобразователях напряжения и другой аппаратуре широкого применения. Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28 (ТО-220) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1). Масса прибора - не более 2,5 г.

Зарубежные аналоги: КТ8115А - TIP127, КТ8115Б - TIP126, КТ8115В - TIP125, КТ8116А - TIP122, КТ8116Б - TIP121, КТ8116В - TIP120.
Основные характеристики при Токр.ср = 25°С
- Граничное напряжение коллектор-эмиттер, В, не менее, при токе коллектора 100 мА и нулевом токе базы для КТ8115А, КТ8116А......100
- КТ8115Б, КТ8116Б......80
- КТ8115В, КТ8116В......60
- Обратный ток коллектора, мА, не более, при максимальном напряжении коллектор-база и нулевом токе эмиттера......0,2
- Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, не более, для КТ8115А, КТ8116А (при напряжении коллектор-эмиттер 50 В), КТ8115Б, КТ8116Б (40 В), КТ8115В, КТ8116В (30 В) .....0.5
- Обратный ток эмиттера, мА, не более, при напряжении база-эмиттер 5 В и нулевом токе коллектора......2
- Статический коэффициент передачи тока базы, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 3 В и токе эмиттера 0,5 А и ЗА......1000
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, не более, при токе коллектора 3 А и токе базы 12 мА......2
- 5 А и 20 мА соответственно......4
- Напряжение насыщения база-эмиттер, В, не более, при токе коллектора 3 А и токе базы 12 мА......2,5
- Модуль коэффициента передачи тока базы, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 4 В, токе коллектора 3 А и частоте 1 МГц.....4
- Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт, не более......1,92
Предельно допустимые значения
- Наибольшее напряжение коллектор-база, В, для КТ8115А, КТ8116А......100
- КТ8115Б, КТ8116Б.....80
- КТ8115В, КТ8116В......60
- Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер, В, для КТ8115А, КТ8116А.....100
- КТ8115Б, КТ8116Б......80
- КТ8115В, КТ8116В......60
- Наибольшее напряжение эмиттер-база, В......5
- Наибольший постоянный ток коллектора, А......5
- Наибольший импульсный ток коллектора, А......8
- Наибольший постоянный ток базы, А......0,12
- Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, с теплоотводом......65
- Наибольшая температура перехода, °С......150
- Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С -60...+125
Допустимое значение статического потенциала - 2000 В (VI степень жесткости по ОСТ 11073.062). Не разрешается использование транзисторов при предельных значениях двух и более параметров. Для повышения надежности рекомендуется эксплуатировать приборы при значениях параметров не более 70% от предельно допустимых.
При монтаже транзисторов в устройство, находящееся под напряжением, базовый вывод необходимо припаивать первым, а при демонтаже - отключать последним. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочем токе, соизмеримом с неуправляемым обратным током переходов во всем интервале рабочей температуры.
Допустимо не более чем однократное изгибание выводов. Место изгиба не должно быть ближе 5 мм от корпуса, радиус изгиба - не менее 1,5 мм. Во время изгибания необходимо принять меры, исключающие передачу усилия на корпус.
На рис. 2 изображена типовая зависимость статического коэффициента передачи тока базы транзисторов, а на рис. 3 - типовые зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора.

При повышении температуры корпуса транзистора сверх +25°С мощность, рассеиваемую коллектором, необходимо уменьшать в соответствии с кривой, изображенной на рис. 4.

Рис. 5 определяет область безопасной работы транзисторов в статическом и импульсном режимах.

Автор: В.Киселев, г.Минск
Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
<< Назад
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Расставание действительно может причинять физическую боль
16.09.2026
Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу.
Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний.
Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>
Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера
16.09.2026
Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики.
Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>
Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв
15.09.2026
Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии.
Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>
Случайная новость из Архива Texas Instruments раскрывает подробности своего 45-нм техпроцесса
27.03.2008
Компания Texas Instruments (TI) готова к серийному выпуску своих первых 45-нанометровых микросхем. Переход к нормам 45 нм, как утверждается, позволил снизить энергопотребление чипов на 63% и повысить производительность на 55% по сравнению с 65-нанометровыми продуктами.
В настоящее время TI отгружает ознакомительные образцы первого 45-нанометрового процессора для устройств с поддержкой сетей 3.5G. В производстве новинки применяется напряженный кремний, иммерсионная литография и диэлектрики со сверхмалым значением диэлектрической постоянной (ultra-low К). Указанный процессор позволит выпускать более компактные и легкие устройства для сетей 3.5G.
|
Другие интересные новости:
▪ Кроманьонец был умнее нас
▪ Удаленное родительское собрание
▪ П-образные фотоэлектрические датчики серии BUP от Autonics
▪ Автоматическое ограничение скорости электросамокатов на тротуарах
▪ Нитроглицерин может вызвать мигрень и аномальные сердечно-сосудистые реакции
Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:
▪ раздел сайта Электробезопасность, пожаробезопасность. Подборка статей
▪ статья Типовые инструкции по охране труда. Виды работ. Справочник
▪ статья Почему регулярное потребление алкоголя, даже умеренное, вредно для организма? Подробный ответ
▪ статья Работа на тигельном позолотном прессе типа ФОММ, КРАУЗЕ, БАЕР, YAWA и т.п.. Типовая инструкция по охране труда
▪ статья Логический пробник на одной микросхеме. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
▪ статья Термокомпенсированный регулятор напряжения. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
Оставьте свой комментарий к этой статье:
Комментарии к статье:
Виктор Попов
Очень хорошо, всё доступно и понятно.
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2026