Полевые транзисторы серии КП723. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Мощные кремниевые полевые n-канальные транзисторы КП723А-КП723Г с изолированным затвором, обогащением канала и встроенным защитным обратно включенным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для работы в источниках вторичного электропитания, в регуляторах мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в блоках бесперебойного питания персональных компьютеров, в устройствах привода электродвигателей и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28 (по зарубежной классификации - ТО-220) с жесткими штампованными лужеными выводами; масса прибора - не более 2,5 г.

Зарубежные функциональные аналоги транзисторов КП723А - IRFZ44, КП723Б - IRFZ45, КП723В - IRFZ40, КП723Г- IRLZ44.

По конструкции корпуса, электрической схеме внутренних соединений и цоколевке транзисторы серий КП723 и КП727 аналогичны.

Основные технические характеристики при Tокр.ср = 25 °С

• Пороговое напряжение, В, при токе стока 0,25 мА и соединенных затворе и стоке для КП723А - КП723В......2...4
• КП723Г......1...2
• Ток стока, А, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и скважности не менее 50 для КП723А и КП723В при напряжении сток-исток 1,75 В и затвор-исток 10 В, для КП723Б при напряжении сток-исток 2,25 В и затвор-исток 10 В, для КП723Г при напряжении сток-исток 1,75 В и затвор-исток 5 В......50
• Сопротивление канала открытого транзистора, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50 и токе стока 31 А для КП723А, КП723В (при напряжении затвор-исток 10 В)......0,028
• КП723Б(10В)......0,035
• КП723Г (5 В)......0,028
• Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимально допустимом напряжении сток-исток и нулевом напряжении затвор-исток......250
• Ток утечки затвора, нА, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50 и нулевом напряжении сток-исток для КП723А - КП723В при напряжении затвор-исток ±20 В, для КП723Г при напряжении затвор-исток ±10 В......100
• Крутизна характеристики, А/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50, напряжении сток-исток 25 В, токе стока 31 А для КП723А-КП723В......15
• КП723Г......23
• Тепловое сопротивление, °С/Вт, не более, переход - корпус......1
• переход - окружающая среда......62
• Время включения, не, не более, при напряжении сток-исток 30 В, токе стока 51 А для КП723А-КП723В (при выходном сопротивлении источника сигнала 9,1 Ом и напряжении затвор- исток 10 В)......130
• КП723Г (4,6 Ом, 5 В)......247
• Время выключения, не, не более, при напряжении сток-исток 30 В, токе стока 51 А для КП723А-КП723В (при выходном сопротивлении источника сигнала 9,1 Ом и напряжении затвор- исток 10 В)......150
• КП723Г (4,6 Ом, 5 В)......152
• Входная емкость*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц для КП723А-КП723В......2500
• КП723Г......4300
• Выходная емкость*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц для КП723А- КП723В......1200
• КП723Г......1600
• Проходная емкость*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц......290
• Прямое напряжение защитного диода, В, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50, нулевом напряжении затвор-исток и токе стока** 51 А......2,5

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение сток-исток, В, для КП723А, КП723Б, КП723Г .....60
• КП723В......50
• Наибольшее напряжение затвор-исток, В, для КП723А-КП723В......±20
• КП723Г......±10
• Наибольший постоянный ток стока, А, при температуре корпуса 25°С......50
• Наибольший импульсный ток стока, А, при температуре корпуса 25°С......200
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность, Вт, с теплоотводом, при температуре корпуса 25°С......150
• Наибольшая температура перехода, °С......175
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С -60...+125

Допустимое значение статического потенциала - 200 В (III степень жесткости по ОСП 1073.062).

Режим работы и условия монтажа транзисторов в аппаратуру должны соответствовать ОСП 1336.907.0. Не разрешается эксплуатация при двух и более предельно допустимых значениях параметров. Для повышения надежности и долговечности рекомендуется использовать транзисторы в режимах, когда значения параметров не превышают 70 % от предельных.

При монтаже допускается одноразовое изгибание выводов с радиусом закругления не менее 1,5 мм на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, причем только в плоскости, перпендикулярной плоскости выводов и проходящей вдоль изгибаемого вывода. Скручивать выводы не разрешается.

Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не должно быть менее 5 мм. Температура пайки - не более 265°С. Время лужения не должно превышать 2 с, а пайки - 4 с.

Для улучшения передачи тепла от фланца транзистора к теплоотводу рекомендуется применение теплопроводных смазок и паст, например, КПТ-8 по ГОСТ 19783. При необходимости установки под транзистор изолирующей прокладки необходимо учитывать ее тепловое сопротивление.

На рис. 1-8 представлены типовые графические зависимости параметров транзисторов серии КП723. Семейства выходных характеристик приборов при двух значениях температуры корпуса изображены на рис. 1 и 2, а на рис. 3 и 4 - их передаточные характеристики.

Нормализованные зависимости сопротивления открытого канала от температуры перехода показаны на рис. 5, а на рис. 6 - зависимости входной, выходной и проходной емкости от напряжения сток-исток. Рис. 7,а и б иллюстрирует изменение тока через стоковый вывод транзистора от напряжения, приложенного к выводам канала в полярности, открывающей защитный диод прибора.

На рис. 8 представлены температурные зависимости предельного тока стока.

Автор: В. Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Кислотность океана разрушает зубы акул 03.10.2025

Мировые океаны выполняют важнейшую функцию - они поглощают около трети углекислого газа, выбрасываемого в атмосферу. Это помогает замедлять темпы глобального потепления, но имеет и обратную сторону. Растворяясь в воде, CO2 образует угольную кислоту, которая повышает концентрацию водородных ионов и приводит к снижению pH. Вода становится более кислой, а последствия этого процесса уже заметны для морских экосистем. Средний показатель кислотности океана сейчас равен примерно 8,1, тогда как еще недавно за условную норму брали значение 8,2. По прогнозам, к 2300 году уровень может упасть до 7,3 - это сделает океан почти в десять раз кислее нынешнего состояния. Для обитателей морей подобные изменения означают не просто сдвиг химического равновесия, а реальную угрозу физиологическим процессам, начиная от формирования раковин у моллюсков и заканчивая охотничьим поведением акул. Чтобы выяснить, как именно кислотная среда отражается на зубах акул, группа немецких исследователей провела эксп ...>>

Почтовый космический корабль Arc 03.10.2025

Космические технологии становятся частью инфраструктуры, способной повлиять на логистику, медицину и даже военную сферу. Идея использовать орбиту как глобальный склад для срочных поставок звучала еще недавно как научная фантастика, но стартап Inversion пытается превратить ее в практическое решение. Компания Inversion появилась в начале 2021 года благодаря Джастину Фиаскетти и Остину Бриггсу, которые на тот момент были студентами Бостонского университета. Их замысел состоял в том, чтобы сделать возможной доставку грузов не только через спутниковые сети данных, но и в буквальном смысле - физических предметов. В основе лежит простая мысль: если космос обеспечивает доступ к любой точке Земли, то и грузы должны перемещаться тем же маршрутом. Уже за три года работы команда из 25 специалистов успела построить демонстрационный аппарат "Ray". Его запуск состоялся в рамках миссии SpaceX Transporter-12. Устройство весом 90 килограммов проверяло ключевые технологии Inversion, включая двухком ...>>

Лазерное обогащение урана 02.10.2025

Ядерная энергия остается одним из ключевых источников стабильного электричества, особенно для стран с растущими потребностями в энергоснабжении. Однако обеспечение бесперебойных поставок топлива для атомных станций требует современных технологий обогащения урана, которые одновременно эффективны и безопасны. Американская компания Global Laser Enrichment (GLE) делает значительный шаг в этом направлении, завершив масштабное тестирование лазерной технологии обогащения урана. Демонстрационная программа была проведена на объекте в Уилмингтоне, Северная Каролина. Тестирование технологии SILEX (Separation of Isotopes by Laser EXcitation), разработанной австралийской Silex Systems, стартовало в мае 2025 года и продлится до конца года. В ходе экспериментов компания планирует получить сотни фунтов низкообогащенного урана (LEU), который может быть использован в качестве топлива для атомных электростанций. GLE была создана в 2007 году для коммерциализации лазерных методов обогащения урана в С ...>>

Случайная новость из Архива Новые планшеты 21.02.2011 За 2010 год рынок планшетов пережил серьезные перемены, обусловленные выходом iPad, и, вполне естественно, главные его игроки готовятся отвоевать у Apple лидерство в данном сегменте. На "войну" они все как один отправляются, вооружившись операционной системой Google Android, и только в редких случаях можно встретить модели на Windows 7. Аппаратные характеристики подобных устройств следующие: сенсорные дисплеи с диагональю 5,7 или 10 дюймов, чипы NVIDIA Tegra 2, Qualcomm Snapdragon, а также Intel Atom. Ha CES 2011 Google анонсировала скорый релиз ОС Android 3.0, которая разрабатывалась специально для планшетов, но в действии ее так и не показала. Большинство производителей еще не видели этой платформы и пока будут выпускать устройства под Android 2.3. Несмотря на ожидания, Microsoft так и не представила на CES операционную систему для планшетов, продолжая рекомендовать для этих целей Windows 7. По заявлению Стива Балмера (Steve Balmer), в следующей версии Windows появится поддержка архитектуры ARM, а это подразумевает ее установку на планшеты на основе Tegra 2 или Snapdragon.

Другие интересные новости:

▪ Обязательная биометрическая регистрация

▪ Водород из золота и ржавчины

▪ Нитроглицерин может вызвать мигрень и аномальные сердечно-сосудистые реакции

▪ Секрет языка хамелеона

▪ Ветрогенератор работает при любой погоде

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электробезопасность, пожаробезопасность. Подборка статей

▪ статья Срывать цветы удовольствия. Крылатое выражение

▪ статья Где был введен налог на уши? Подробный ответ

▪ статья Виноград амурский. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Антенна с обратным излучением. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Фонарик на таймере серии 555. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025