Мощные кремниевые полевые n-канальные транзисторы КП723А-КП723Г с изолированным затвором, обогащением канала и встроенным защитным обратно включенным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для работы в источниках вторичного электропитания, в регуляторах мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в блоках бесперебойного питания персональных компьютеров, в устройствах привода электродвигателей и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28 (по зарубежной классификации - ТО-220) с жесткими штампованными лужеными выводами; масса прибора - не более 2,5 г.

Зарубежные функциональные аналоги транзисторов КП723А - IRFZ44, КП723Б - IRFZ45, КП723В - IRFZ40, КП723Г- IRLZ44.

По конструкции корпуса, электрической схеме внутренних соединений и цоколевке транзисторы серий КП723 и КП727 аналогичны.

Основные технические характеристики при Tокр.ср = 25 °С

Предельно допустимые значения

Допустимое значение статического потенциала - 200 В (III степень жесткости по ОСП 1073.062).

Режим работы и условия монтажа транзисторов в аппаратуру должны соответствовать ОСП 1336.907.0. Не разрешается эксплуатация при двух и более предельно допустимых значениях параметров. Для повышения надежности и долговечности рекомендуется использовать транзисторы в режимах, когда значения параметров не превышают 70 % от предельных.

При монтаже допускается одноразовое изгибание выводов с радиусом закругления не менее 1,5 мм на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, причем только в плоскости, перпендикулярной плоскости выводов и проходящей вдоль изгибаемого вывода. Скручивать выводы не разрешается.

Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не должно быть менее 5 мм. Температура пайки - не более 265°С. Время лужения не должно превышать 2 с, а пайки - 4 с.

Для улучшения передачи тепла от фланца транзистора к теплоотводу рекомендуется применение теплопроводных смазок и паст, например, КПТ-8 по ГОСТ 19783. При необходимости установки под транзистор изолирующей прокладки необходимо учитывать ее тепловое сопротивление.

На рис. 1-8 представлены типовые графические зависимости параметров транзисторов серии КП723. Семейства выходных характеристик приборов при двух значениях температуры корпуса изображены на рис. 1 и 2, а на рис. 3 и 4 - их передаточные характеристики.

Нормализованные зависимости сопротивления открытого канала от температуры перехода показаны на рис. 5, а на рис. 6 - зависимости входной, выходной и проходной емкости от напряжения сток-исток. Рис. 7,а и б иллюстрирует изменение тока через стоковый вывод транзистора от напряжения, приложенного к выводам канала в полярности, открывающей защитный диод прибора.

На рис. 8 представлены температурные зависимости предельного тока стока.

Автор: В. Киселев, г.Минск, Белоруссия