Полевые транзисторы серии КП723. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Мощные кремниевые полевые n-канальные транзисторы КП723А-КП723Г с изолированным затвором, обогащением канала и встроенным защитным обратно включенным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для работы в источниках вторичного электропитания, в регуляторах мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в блоках бесперебойного питания персональных компьютеров, в устройствах привода электродвигателей и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28 (по зарубежной классификации - ТО-220) с жесткими штампованными лужеными выводами; масса прибора - не более 2,5 г.

Зарубежные функциональные аналоги транзисторов КП723А - IRFZ44, КП723Б - IRFZ45, КП723В - IRFZ40, КП723Г- IRLZ44.

По конструкции корпуса, электрической схеме внутренних соединений и цоколевке транзисторы серий КП723 и КП727 аналогичны.

Основные технические характеристики при Tокр.ср = 25 °С

• Пороговое напряжение, В, при токе стока 0,25 мА и соединенных затворе и стоке для КП723А - КП723В......2...4
• КП723Г......1...2
• Ток стока, А, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и скважности не менее 50 для КП723А и КП723В при напряжении сток-исток 1,75 В и затвор-исток 10 В, для КП723Б при напряжении сток-исток 2,25 В и затвор-исток 10 В, для КП723Г при напряжении сток-исток 1,75 В и затвор-исток 5 В......50
• Сопротивление канала открытого транзистора, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50 и токе стока 31 А для КП723А, КП723В (при напряжении затвор-исток 10 В)......0,028
• КП723Б(10В)......0,035
• КП723Г (5 В)......0,028
• Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимально допустимом напряжении сток-исток и нулевом напряжении затвор-исток......250
• Ток утечки затвора, нА, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50 и нулевом напряжении сток-исток для КП723А - КП723В при напряжении затвор-исток ±20 В, для КП723Г при напряжении затвор-исток ±10 В......100
• Крутизна характеристики, А/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50, напряжении сток-исток 25 В, токе стока 31 А для КП723А-КП723В......15
• КП723Г......23
• Тепловое сопротивление, °С/Вт, не более, переход - корпус......1
• переход - окружающая среда......62
• Время включения, не, не более, при напряжении сток-исток 30 В, токе стока 51 А для КП723А-КП723В (при выходном сопротивлении источника сигнала 9,1 Ом и напряжении затвор- исток 10 В)......130
• КП723Г (4,6 Ом, 5 В)......247
• Время выключения, не, не более, при напряжении сток-исток 30 В, токе стока 51 А для КП723А-КП723В (при выходном сопротивлении источника сигнала 9,1 Ом и напряжении затвор- исток 10 В)......150
• КП723Г (4,6 Ом, 5 В)......152
• Входная емкость*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц для КП723А-КП723В......2500
• КП723Г......4300
• Выходная емкость*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц для КП723А- КП723В......1200
• КП723Г......1600
• Проходная емкость*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц......290
• Прямое напряжение защитного диода, В, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50, нулевом напряжении затвор-исток и токе стока** 51 А......2,5

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение сток-исток, В, для КП723А, КП723Б, КП723Г .....60
• КП723В......50
• Наибольшее напряжение затвор-исток, В, для КП723А-КП723В......±20
• КП723Г......±10
• Наибольший постоянный ток стока, А, при температуре корпуса 25°С......50
• Наибольший импульсный ток стока, А, при температуре корпуса 25°С......200
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность, Вт, с теплоотводом, при температуре корпуса 25°С......150
• Наибольшая температура перехода, °С......175
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С -60...+125

Допустимое значение статического потенциала - 200 В (III степень жесткости по ОСП 1073.062).

Режим работы и условия монтажа транзисторов в аппаратуру должны соответствовать ОСП 1336.907.0. Не разрешается эксплуатация при двух и более предельно допустимых значениях параметров. Для повышения надежности и долговечности рекомендуется использовать транзисторы в режимах, когда значения параметров не превышают 70 % от предельных.

При монтаже допускается одноразовое изгибание выводов с радиусом закругления не менее 1,5 мм на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, причем только в плоскости, перпендикулярной плоскости выводов и проходящей вдоль изгибаемого вывода. Скручивать выводы не разрешается.

Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не должно быть менее 5 мм. Температура пайки - не более 265°С. Время лужения не должно превышать 2 с, а пайки - 4 с.

Для улучшения передачи тепла от фланца транзистора к теплоотводу рекомендуется применение теплопроводных смазок и паст, например, КПТ-8 по ГОСТ 19783. При необходимости установки под транзистор изолирующей прокладки необходимо учитывать ее тепловое сопротивление.

На рис. 1-8 представлены типовые графические зависимости параметров транзисторов серии КП723. Семейства выходных характеристик приборов при двух значениях температуры корпуса изображены на рис. 1 и 2, а на рис. 3 и 4 - их передаточные характеристики.

Нормализованные зависимости сопротивления открытого канала от температуры перехода показаны на рис. 5, а на рис. 6 - зависимости входной, выходной и проходной емкости от напряжения сток-исток. Рис. 7,а и б иллюстрирует изменение тока через стоковый вывод транзистора от напряжения, приложенного к выводам канала в полярности, открывающей защитный диод прибора.

На рис. 8 представлены температурные зависимости предельного тока стока.

Автор: В. Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива Супертонкая клавиатура с эффектом магнитной подушки 10.06.2014 Супертонкие клавиатуры для установки в ноутбуки и другие сверхтонкие мобильные системы пользуются все большим спросом. На мероприятии Computex 2014 тайваньская компания Darfon представила супертонкую клавиатуру необычной конструкции. Многие знают о поездах на магнитной подушке, используемых в Японии и Китае. Электромагнитное поле большой мощности приподнимает поезд над рельсом и позволяет составу развивать огромные скорости. Разработчики компании Darfon применили такой же эффект при создании клавиатуры: электромагнитное поле возвращает клавишу после нажатия в изначальное положение, удерживая ее там. Насколько это удобно с позиции потребителя, вопрос спорный, но без применения традиционного возвратного силиконового колпачка под клавишей вся конструкция значительно потеряла в высоте. Стоит заметить, что у малого хода кнопок есть существенный недостаток: подобная клавиатура не так удобна, как традиционная. Впрочем, производитель обещает облегчить жизнь пользователей, обеспечив регулировку силы поля в пределах трех штатных градаций. На сегодняшний день все, кто познакомился с разработкой Darfon на выставке, не в восторге от новой клавиатуры. Компания пока что не поделилась информацией о возможном производителе ноутбуков, который готов выпустить модели ПК с магнитной клавиатурой. При этом Darfon надеется, что такие системы появятся на рынке во второй половине этого года.

Другие интересные новости:

▪ Песни в часах

▪ Самый большой в мире телевизор с жидкокристаллическим экраном

▪ Lego - идеальным теплоизолятор

▪ Ручной осциллограф ScopeMeter 190

▪ След деревянного Стоунхенджа

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Бытовая электроника. Подборка статей

▪ статья Детская хирургия. Конспект лекций

▪ статья Как связаны между собой шахматы, рис и разорение? Подробный ответ

▪ статья Главный инженер по строительству. Должностная инструкция

▪ статья Выбор автомобильных и домашних акустических систем. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Регулируемый блок питания, 0-20 вольт 2 ампера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026