Полевые транзисторы серии КП723. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Мощные кремниевые полевые n-канальные транзисторы КП723А-КП723Г с изолированным затвором, обогащением канала и встроенным защитным обратно включенным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для работы в источниках вторичного электропитания, в регуляторах мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в блоках бесперебойного питания персональных компьютеров, в устройствах привода электродвигателей и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28 (по зарубежной классификации - ТО-220) с жесткими штампованными лужеными выводами; масса прибора - не более 2,5 г.

Зарубежные функциональные аналоги транзисторов КП723А - IRFZ44, КП723Б - IRFZ45, КП723В - IRFZ40, КП723Г- IRLZ44.

По конструкции корпуса, электрической схеме внутренних соединений и цоколевке транзисторы серий КП723 и КП727 аналогичны.

Основные технические характеристики при Tокр.ср = 25 °С

• Пороговое напряжение, В, при токе стока 0,25 мА и соединенных затворе и стоке для КП723А - КП723В......2...4
• КП723Г......1...2
• Ток стока, А, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и скважности не менее 50 для КП723А и КП723В при напряжении сток-исток 1,75 В и затвор-исток 10 В, для КП723Б при напряжении сток-исток 2,25 В и затвор-исток 10 В, для КП723Г при напряжении сток-исток 1,75 В и затвор-исток 5 В......50
• Сопротивление канала открытого транзистора, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50 и токе стока 31 А для КП723А, КП723В (при напряжении затвор-исток 10 В)......0,028
• КП723Б(10В)......0,035
• КП723Г (5 В)......0,028
• Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимально допустимом напряжении сток-исток и нулевом напряжении затвор-исток......250
• Ток утечки затвора, нА, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50 и нулевом напряжении сток-исток для КП723А - КП723В при напряжении затвор-исток ±20 В, для КП723Г при напряжении затвор-исток ±10 В......100
• Крутизна характеристики, А/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50, напряжении сток-исток 25 В, токе стока 31 А для КП723А-КП723В......15
• КП723Г......23
• Тепловое сопротивление, °С/Вт, не более, переход - корпус......1
• переход - окружающая среда......62
• Время включения, не, не более, при напряжении сток-исток 30 В, токе стока 51 А для КП723А-КП723В (при выходном сопротивлении источника сигнала 9,1 Ом и напряжении затвор- исток 10 В)......130
• КП723Г (4,6 Ом, 5 В)......247
• Время выключения, не, не более, при напряжении сток-исток 30 В, токе стока 51 А для КП723А-КП723В (при выходном сопротивлении источника сигнала 9,1 Ом и напряжении затвор- исток 10 В)......150
• КП723Г (4,6 Ом, 5 В)......152
• Входная емкость*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц для КП723А-КП723В......2500
• КП723Г......4300
• Выходная емкость*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц для КП723А- КП723В......1200
• КП723Г......1600
• Проходная емкость*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц......290
• Прямое напряжение защитного диода, В, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс, скважности не менее 50, нулевом напряжении затвор-исток и токе стока** 51 А......2,5

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение сток-исток, В, для КП723А, КП723Б, КП723Г .....60
• КП723В......50
• Наибольшее напряжение затвор-исток, В, для КП723А-КП723В......±20
• КП723Г......±10
• Наибольший постоянный ток стока, А, при температуре корпуса 25°С......50
• Наибольший импульсный ток стока, А, при температуре корпуса 25°С......200
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность, Вт, с теплоотводом, при температуре корпуса 25°С......150
• Наибольшая температура перехода, °С......175
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С -60...+125

Допустимое значение статического потенциала - 200 В (III степень жесткости по ОСП 1073.062).

Режим работы и условия монтажа транзисторов в аппаратуру должны соответствовать ОСП 1336.907.0. Не разрешается эксплуатация при двух и более предельно допустимых значениях параметров. Для повышения надежности и долговечности рекомендуется использовать транзисторы в режимах, когда значения параметров не превышают 70 % от предельных.

При монтаже допускается одноразовое изгибание выводов с радиусом закругления не менее 1,5 мм на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, причем только в плоскости, перпендикулярной плоскости выводов и проходящей вдоль изгибаемого вывода. Скручивать выводы не разрешается.

Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не должно быть менее 5 мм. Температура пайки - не более 265°С. Время лужения не должно превышать 2 с, а пайки - 4 с.

Для улучшения передачи тепла от фланца транзистора к теплоотводу рекомендуется применение теплопроводных смазок и паст, например, КПТ-8 по ГОСТ 19783. При необходимости установки под транзистор изолирующей прокладки необходимо учитывать ее тепловое сопротивление.

На рис. 1-8 представлены типовые графические зависимости параметров транзисторов серии КП723. Семейства выходных характеристик приборов при двух значениях температуры корпуса изображены на рис. 1 и 2, а на рис. 3 и 4 - их передаточные характеристики.

Нормализованные зависимости сопротивления открытого канала от температуры перехода показаны на рис. 5, а на рис. 6 - зависимости входной, выходной и проходной емкости от напряжения сток-исток. Рис. 7,а и б иллюстрирует изменение тока через стоковый вывод транзистора от напряжения, приложенного к выводам канала в полярности, открывающей защитный диод прибора.

На рис. 8 представлены температурные зависимости предельного тока стока.

Автор: В. Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026 Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень стремительно, а гаджеты просто "воруют" время у живого общения, с помощью которого малыш действительно познает мир. В 2-3 года отрицательный эффект почти не заметили, но перед первым классом он снова возвращается. Это означает, что контроль нужен не только малышам, но и детям постарше, которые готовятся к школе. Авторы исследования советуют придерживаться простого правила: "меньше экранов - лучше". Конечно, лишний час перед планшетом не разрушит жизнь каждого конкретного ребенка. Однако если говорить о целом поколении, такие привычки могут снизить общие результаты обучения у большого количества детей. Особенно чувствительными оказываются периоды, когда мозг активно формирует основы восприятия, внимания и памяти. Результаты работы подчеркивают важность живого взаимодействия в раннем возрасте и более внимательного отношения к экранному времени перед началом школьного обучения. Родителям и воспитателям стоит учитывать, что даже относительно небольшое, но регулярное использование гаджетов в критические периоды может иметь отсроченные последствия для когнитивного развития.

Другие интересные новости:

▪ Человекоподобные роботы Asimo продолжают совершенствоваться

▪ Использование воды для переработки аккумуляторов

▪ Овощная диета полезна при рассеянном склерозе

▪ Самораспадающийся телефон

▪ Ткань уничтожает запахи

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электротехнические материалы. Подборка статей

▪ статья Ни на йоту. Крылатое выражение

▪ статья Какие реки мира входят в первую десятку по длине? Подробный ответ

▪ статья Рекомендуемый список группового снаряжения. Советы туристу

▪ статья Плавный пуск и остановка электродвигателя. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Конденсаторно стабилитронный выпрямитель. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026